公开(公告)号：CN103733448A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201180072695.9

申请日：2011-08-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 田中信介

IPC: H01S5/14 ,  H01S5/50

CPC classification number: H01S5/125 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/1007 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/141 ,  H01S5/142

Abstract: 本发明提供半导体光元件。在基板上，形成有多个第1反射器。每个第1反射器反射从输入端口输入的光并返回至该输入端口，具有以目标波长表示峰值的反射光谱。在基板上形成有第1光耦合器，第1光耦合器对从光放大器输出的光分波并输入至多个第1反射器的输入端口，对由第1反射器反射的光合波并再次输入至光放大器。第2反射器与每个第1反射器一起划分内部包含光放大器和第1光耦合器的光谐振器。每个第1反射器包含相同尺寸的环形谐振器，从上述输入端口输入的光反射而返回至该输入端口的延迟时间在第1反射器间相同。

公开(公告)号：CN103137777A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210383495.1

申请日：2012-10-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 朱雷 ,  关口茂昭 ,  田中信介 ,  河口研一

IPC: H01L31/167 ,  G02B6/122

CPC classification number: G02B6/122 ,  G02B6/29352 ,  G02B2006/121 ,  G02F1/025 ,  H01L31/105

Abstract: 一种半导体光学器件包括：第一包覆层、第二包覆层以及夹设于第一包覆层与第二包覆层之间的光波导层；其中该光波导层包括：第一半导体层；第二半导体层，布置在第一半导体层上且沿一个方向延伸；以及第三半导体层，覆盖第二半导体层的顶表面；以及其中该第一半导体层包括：n型区域，布置在第二半导体层的一侧；p型区域，布置在第二半导体层的另一侧；以及i型区域，布置在n型区域与p型区域之间，以及其中第二半导体层的带隙比第一半导体层和第三半导体层的带隙窄。采用该半导体光学器件，可以减少半导体光学器件的功率消耗或缩短器件长度。

公开(公告)号：CN102171896A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200880131443.7

申请日：2008-10-03

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 田中信介 ,  森户健

IPC: H01S5/024

CPC classification number: H01S5/0612 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0617 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/50

Abstract: 一种光放大控制装置，由半导体光放大器、温度调整单元和光增益控制单元形成，所述温度调整单元调整所述半导体光放大器的温度，所述光增益控制单元通过控制所述温度调整单元来调整所述半导体光放大器的温度，并且使所述半导体光放大器的光增益变动。因而，即使输出光强度(放大光的强度)增加，也能够抑制图案效应。