公开(公告)号：CN103258752A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310048269.2

申请日：2013-02-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石月义克 ,  佐佐木伸也 ,  谷元昭

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置制造方法和电子装置制造方法，该半导体装置制造方法包括：将半导体元件放置在粘着层上，该粘着层放置在具有第一通孔的支撑体上；将部件放置在包括与第一通孔对应的部分的区域中，该部分在放置在支撑体上的粘着层上；通过在已放置了半导体元件和部件的粘着层上形成树脂层来在粘着层上形成基板，该基板包括半导体元件、部件和树脂层；以及通过经由第一通孔按压部件而从粘着层分离基板。

公开(公告)号：CN103258751A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310044990.4

申请日：2013-02-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 谷元昭 ,  石月义克 ,  佐佐木伸也

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法和制造电子组合件的方法。制造半导体器件的方法包括：在支承体上设置粘合层；在粘合层上设置半导体元件；在其上设置有半导体元件的粘合层上设置树脂层，并且在粘合层上形成衬底，该衬底包括半导体元件和树脂层；以及从粘合层移除衬底，其中粘合层在移除衬底的方向上的粘附力小于粘合层在形成衬底的平面方向上的粘附力。