公开(公告)号：CN100456635C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200510135074.7

申请日：2005-12-23

Applicant: 富士通媒体部品株式会社

Inventor： 先滩薰 ,  郡池圣 ,  相川俊一 ,  川内治 ,  兼田泰文

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

Abstract: 电子器件及其制造方法。一种电子器件，包括：由绝缘体制成的封装基板；器件芯片，倒装安装在封装基板上；以及密封该器件芯片的密封部分。该密封部分包括由焊料制成的侧壁。包括侧壁的整个密封部分由焊料制成。该电子器件可以包括在密封部分上提供的金属层。

公开(公告)号：CN1323488C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN01823437.2

申请日：2001-12-26

Applicant: 富士通媒体部品株式会社

Inventor： 川内治 ,  阿部卓也 ,  兼田泰文 ,  田岛基行

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H03H9/02771

Abstract: 一种表面声波器件，能够降低通带中的插入损耗并且实现窄波段特性，该表面声波器件包括：压电基板；叉指式换能器，形成在所述压电基板上，并且包括至少一个用于驱动表面声波的驱动电极；以及反射器，布置在所述叉指式换能器的两侧。每个反射器都构成得包括：开路电极块，具有多个电独立的电极指；和短路电极块，具有在端部被共通地电短路的多个电极指。

公开(公告)号：CN1794574A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510135074.7

申请日：2005-12-23

Applicant: 富士通媒体部品株式会社

Inventor： 先滩薰 ,  郡池圣 ,  相川俊一 ,  川内治 ,  兼田泰文

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

Abstract: 电子器件及其制造方法。一种电子器件，包括：由绝缘体制成的封装基板；器件芯片，倒装安装在封装基板上；以及密封该器件芯片的密封部分。该密封部分包括由焊料制成的侧壁。包括侧壁的整个密封部分由焊料制成。该电子器件可以包括在密封部分上提供的金属层。

公开(公告)号：CN1617445A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410088671.4

申请日：2004-11-15

Applicant: 富士通媒体部品株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 藁科卓 ,  松田隆志 ,  上田政则 ,  川内治 ,  兼田泰文

IPC: H03H9/25 ,  H01L23/02

CPC classification number: H03H9/059 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H03H9/0538 ,  H03H9/1078 ,  H01L2924/00014

Abstract: 声波器件及其制造方法。一种声波器件，其包括：器件基板，其上形成有沿外部周边设置的多个电极、多个第一端子和第一金属密封层；支撑基板，其上形成有与所述多个第一端子相连的多个第二端子，以及与所述第一金属密封层接合的第二金属密封层；以及设置在所述器件基板的外表面、所述第一金属密封层的外表面和所述第二金属密封层的外表面上的导电密封膜。通过所述第一和第二金属密封层以及所述密封膜来气密地密封所述多个电极以及所述多个第一和第二端子。