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公开(公告)号：CN113474886B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202080016044.7
申请日：2020-08-31
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/60 , H01L23/544
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。双向二极管部在正面可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。
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公开(公告)号：CN113544846A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080018066.7
申请日：2020-09-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/07 , H03K17/687
Abstract: 提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。输出比较二极管部可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。温度感测部可以包括温度感测二极管，且输出比较二极管部可以包括与温度感测二极管反向并联地连接的二极管。
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公开(公告)号：CN113474886A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080016044.7
申请日：2020-08-31
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/60 , H01L23/544
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。双向二极管部在正面可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。
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公开(公告)号：CN107924872A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201780002760.8
申请日：2017-01-04
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 佐藤茂树
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L27/0629 , H01L27/0647 , H01L29/7393 , H01L29/866 , H03K17/08128 , H03K17/0828 , H03K2017/0806
Abstract: 在绝缘栅半导体装置中实现静电放电耐量的提高，所述绝缘栅半导体装置具备：主绝缘栅晶体管，具备控制主电流的栅极；电流检测用绝缘栅晶体管，与主绝缘栅晶体管并联设置，输出与在主绝缘栅晶体管流通的主电流成比例的电流；以及温度检测用二极管，与这些绝缘栅晶体管一同形成在同一半导体基板上。通过在电流检测用绝缘栅晶体管的发射极与温度检测用二极管的阳极之间安装静电耐量用齐纳二极管，从而利用温度检测用二极管来确保电流检测用绝缘栅晶体管的静电放电耐量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113544846B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202080018066.7
申请日：2020-09-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H10D89/60 , H03K17/687
Abstract: 提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。输出比较二极管部可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。温度感测部可以包括温度感测二极管，且输出比较二极管部可以包括与温度感测二极管反向并联地连接的二极管。
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公开(公告)号：CN115207113A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210186669.9
申请日：2022-02-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：预先设定的第一沟槽长度的第一沟槽部；第二沟槽长度的第二沟槽部，所述第二沟槽长度比第一沟槽长度长；第一栅极布线部，其与第一沟槽部的端部电连接；以及第二栅极布线部，其与第一栅极布线部电连接，并且与第二沟槽部的端部电连接，第一栅极布线部的每单位长度的电阻率大于第二栅极布线部的每单位长度的电阻率。
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公开(公告)号：CN107924872B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201780002760.8
申请日：2017-01-04
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 佐藤茂树
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 在绝缘栅半导体装置中实现静电放电耐量的提高，所述绝缘栅半导体装置具备：主绝缘栅晶体管，具备控制主电流的栅极；电流检测用绝缘栅晶体管，与主绝缘栅晶体管并联设置，输出相对于在主绝缘栅晶体管流通的主电流而按晶体管的面积成比例的电流；以及温度检测用二极管，与这些绝缘栅晶体管一同形成在同一半导体基板上。通过在电流检测用绝缘栅晶体管的发射极与温度检测用二极管的阳极之间安装静电耐量用齐纳二极管，从而利用温度检测用二极管来确保电流检测用绝缘栅晶体管的静电放电耐量。
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公开(公告)号：CN110352475B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201880014992.X
申请日：2018-08-02
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 佐藤茂树
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供能够提高具有虚设沟槽栅结构的IGBT的控制性的功率模块和反向导通IGBT。所述功率模块具备：功率半导体芯片，其在同一芯片内形成有包括虚设沟槽栅极的沟槽栅结构的IGBT(41A)和用于使IGBT(41A)的发射极的过剩载流子回到IGBT(41A)的集电极的续流二极管(5A)；以及用于对IGBT(4A)进行导通/关断驱动的驱动芯片(3A)，所述功率模块是将功率半导体芯片和驱动芯片(3A)封装而成的功率模块，为了将虚设沟槽栅极用于筛选检查，所述功率模块还具备电荷蓄积元件(CP1)，其连接在能够虚拟形成的虚设IGBT(42A)的栅极与发射极之间。
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公开(公告)号：CN110352475A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201880014992.X
申请日：2018-08-02
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 佐藤茂树
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供能够提高具有虚设沟槽栅结构的IGBT的控制性的功率模块和反向导通IGBT。所述功率模块具备：功率半导体芯片，其在同一芯片内形成有包括虚设沟槽栅极的沟槽栅结构的IGBT(41A)和用于使IGBT(41A)的发射极的过剩载流子回到IGBT(41A)的集电极的续流二极管(5A)；以及用于对IGBT(4A)进行导通/关断驱动的驱动芯片(3A)，所述功率模块是将功率半导体芯片和驱动芯片(3A)封装而成的功率模块，为了将虚设沟槽栅极用于筛选检查，所述功率模块还具备电荷蓄积元件(CP1)，其连接在能够虚拟形成的虚设IGBT(42A)的栅极与发射极之间。
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