公开(公告)号：CN104126219B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380010206.6

申请日：2013-02-20

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 今井文一

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的方法对SiC基板(1)上的包含镍和钛的层进行加热以形成包含碳化钛的硅化镍层(4)，包含镍和钛的层使用蒸镀或溅射来形成，通过1100℃以上1350℃以下的加热来生成硅化镍层(4)。此时，在升温速度10℃/分钟以上1350℃/分钟以下、加热保持时间0分钟以上120分钟以下的条件下进行。利用这些加热条件，能够得到背面接触电阻足够低、且均匀的SiC半导体器件用背面电极(8)。

公开(公告)号：CN105765698A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480061687.8

申请日：2014-11-12

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大濑直之 ,  今井文一 ,  中嶋经宏 ,  福田宪司 ,  原田信介 ,  岡本光央

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 在n型SiC基板(1)的背面形成欧姆电极(8)时，通过离子注入在n型外延基板的背面的表面层形成n+型半导体区(7)。在该离子注入中，以30keV以上且150keV以下的范围的加速能量注入n型杂质，以使n+型半导体区(7)的杂质浓度成为1×1019/cm3以上且8×1020/cm3以下，优选成为4×1020/cm3以下，且使n+型半导体区(7)的厚度成为200nm以下的程度。然后，在n+型半导体区(7)的表面依次形成镍层和钛层，并通过热处理对镍层进行硅化而形成由硅化镍构成的欧姆电极(8)。据此，能够抑制背面电极剥离，并能够形成具有良好的特性的背面电极。

公开(公告)号：CN104272442A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380018966.1

申请日：2013-03-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 今井文一

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: 在SiC基板(11)的正面形成包含钛、钨、钼、铬中的任一种金属的层，通过加热在SiC基板(11)上形成肖特基电极(16)。利用铝或者含硅的铝，在肖特基电极(16)的表面形成表面电极(17)。在形成表面电极(17)时，以100℃以上500℃以下的温度进行加热，因此表面电极(17)对于肖特基电极(16)的凹凸覆盖良好，表面电极(17)还具有适合于自动引线接合装置进行图像识别的反射率。如此一来，能够形成对肖特基接触的凹凸覆盖良好、并且具有最适于定位等图像识别的反射率的表面电极。

公开(公告)号：CN103548119A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024155.8

申请日：2012-05-30

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 今井文一

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4975 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/24 ,  H01L21/244 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: 在SiC衬底(1)上形成包钛和镍的层。通过加热形成含碳化钛的硅化镍层(4)。通过逆溅射来去除所析出的碳层(5)。由此，抑制在后续步骤中形成于硅化镍上的金属层的电极(8)发生剥离。当碳层(5)去除前的硅化镍表面上析出的碳量与碳化钛的碳量之间的关系满足预定条件时，能够进一步提高防止剥离的效果。