公开(公告)号：CN105261643A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510608178.9

申请日：2015-09-22

Applicant: 宁波大学

Inventor： 赵子奇 ,  桂进争 ,  周幸叶 ,  姜涛 ,  张后程 ,  胡子阳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0603

Abstract: 本发明涉及一种高击穿电压氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次主要由衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及在AlGaN势垒层上形成的源极、漏极和栅极组成，其特征在于，还包括位于AlGaN势垒层之上、栅极与漏极之间的Al组分渐变的AlxGa1-xN极化掺杂层。AlxGa1-xN极化掺杂层内的Al组分从上至下线性增大，通过Al组分渐变而产生的三维空穴气与沟道二维电子气相互补偿，形成电荷自平衡的超结结构，解决了电荷不平衡问题，提升了器件击穿电压和稳定性。

公开(公告)号：CN205723544U

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201620255990.8

申请日：2016-03-30

Applicant: 宁波大学

Inventor： 曲兆珠 ,  赵子奇 ,  朱超 ,  张后程 ,  姜涛 ,  胡子阳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本实用新型涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次由衬底，GaN缓冲层，沟道层，势垒层，势垒层上的源极、漏极和栅极，栅极与漏极之间的电荷补偿层，电荷补偿层上的金属电极以及绝缘介质组成，其特征在于：所述的沟道层、势垒层和电荷补偿层均为GaN材料，沟道层和势垒层极化方向相反，势垒层和电荷补偿层极化方向相反。沟道层和势垒层之间与势垒层和电荷补偿层之间由于极化电荷不平衡，产生了数量相同、类型相反的电荷，形成电荷自平衡的超结结构。解决了采用AlGaN等材料作为势垒层引起的可靠性与输出功率低等问题，同时解决了已有超结GaN器件中的电荷不平衡问题，提升了器件性能。