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    一种相变存储单元及其制备方法
    11.
    发明授权
    一种相变存储单元及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105280814B

    公开(公告)日：2018-06-12

    申请号：CN201510617080.X

    申请日：2015-09-24

    申请人： 宁波大学

    发明人： 吕业刚 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  戴世勋 ,  李敏华

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/62

    摘要： 本发明公开了一种新型相变存储单元及其制备方法，特点是半导体衬底上设置有呈水平分布的多层电极，多层电极的中间从下到上依次嵌设有相变存储薄膜及介质层，多层电极由至少两种不同的导电材料层按顺序上下交替排列形成至少10层界面结构，导电材料为TiN、Ti、Al、W、Ag、Au、Cu、TiW、HfN、WN、TaN或AlN，相变存储薄膜为存储材料Ge‑Sb‑Te体系，介质层采用的材料为Si3N4­或SiO2­，半导体衬底采用的材料为Si、SiC或SOI，多层电极的总厚度为150～500 nm，单层导电材料层的厚度为2‑15nm，优点是有效地降低热量流失，充分提高加热效率，进而降低操作电流，实现低功耗。

    一种Ge‑Sb‑Se硫系纳米线的制备方法
    12.
    发明授权
    一种Ge‑Sb‑Se硫系纳米线的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105480955B

    公开(公告)日：2017-09-05

    申请号：CN201510909387.7

    申请日：2015-12-10

    申请人： 宁波大学

    发明人： 李增光 ,  吕业刚 ,  马亚东 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  戴世勋

    IPC分类号： C01B19/00 ,  B82Y40/00

    摘要： 本发明公开了一种Ge‑Sb‑Se硫系纳米线的制备方法，特点是采用高纯度的Ge20Sb15Se65玻璃粉末作为原料，采用水平管式炉装置，以高纯氩气作为工作气体，采用镀金硅片衬底材料进行表面沉积的步骤；将衬底分别放入去离子水与无水乙醇中用超声清洗的步骤；控制高温区温度450~550℃，低温区300~400℃，氩气流量130~150sccm及真空度1~5torr的步骤；最后沉积90~120分钟制得Ge‑Sb‑Se硫系纳米线的步骤，优点是工艺可控性强，生产成本低，重复性好，Ge‑Sb‑Se纳米线均匀致密。

    一种用于低功耗相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法
    15.
    发明公开
    一种用于低功耗相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105304815A

    公开(公告)日：2016-02-03

    申请号：CN201510711574.4

    申请日：2015-10-28

    申请人： 宁波大学

    发明人： 王苗 ,  吕业刚 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  戴世勋

    IPC分类号： H01L45/00

    摘要： 本发明公开了一种用于低功耗相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法，特点是多层纳米复合薄膜材料为GaSb/Sb多层复合薄膜，其结构符合通式：[GaSb(a)/Sb(b)]x，式中a、b分别表示所述的单层GaSb和单层Sb薄膜的厚度，3≤a≤7nm，b=2nm，x表示单层GaSb和单层Sb薄膜的交替周期数或者交替层数，x=13，17或者24，其由GaSb合金靶和Sb单质靶在磁控溅射镀膜系统中通过双靶交替溅射获得，具有较高的结晶温度，较好的热稳定性和较低的功耗。

    一种基于相变材料的零相移跑道型谐振器
    18.
    发明公开
    一种基于相变材料的零相移跑道型谐振器 审中-实审

    公开(公告)号：CN116661175A

    公开(公告)日：2023-08-29

    申请号：CN202310439361.5

    申请日：2023-04-23

    申请人： 宁波大学

    发明人： 吕业刚 ,  朱红辉 ,  徐培鹏 ,  田野

    IPC分类号： G02F1/00 ,  G02F1/01 ,  G02F1/015

    摘要： 本发明公开了一种基于相变材料的零相移跑道型谐振器，特点是包括脊型波导，脊型波导上设置有相互平行的输入波导和输出波导；脊型波导上且位于输入波导与输出波导之间设置有跑道波导，跑道波导与输入波导之间以及跑道波导与输出波导之间均设置有耦合间距，输入波导的耦合区域设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生非晶态至晶态的可逆相变的相变狭缝结构，相变狭缝结构材料选取为Sb2Se3或者Sb2S3相变材料，脊型波导上设置有用于将相变材料在加热作用下发生晶态和非晶态的可逆相变的PIN二极管，优点是具有零相移、高透射率调谐范围和低插入损耗。

    一种用于相变存储器的Sb-Si3N4薄膜材料及其制备方法
    19.
    发明公开
    一种用于相变存储器的Sb-Si3N4薄膜材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN112786782A

    公开(公告)日：2021-05-11

    申请号：CN202110032271.5

    申请日：2021-01-11

    申请人： 宁波大学

    发明人： 吕业刚 ,  汪子洋 ,  廖立波

    IPC分类号： H01L45/00

    摘要： 本发明公开了一种用于相变存储器的Sb‑Si3N4薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构是为Sbx(Si3N4)100‑x，其中15≤x≤50；其制备方法步骤如下：采用高纯度圆块Si3N4和Sb作为靶材，通过磁控溅射装置，采用双靶共同溅射方法，通入高纯度氩气作为工作气体，以硅片或者石英片作为衬底材料，对其进行表面沉积；调整Sb直流溅射功率为10~20W，调整Si3N4靶的射频功率为30~60W，在室温下，溅射30min得到Sb‑Si3N4薄膜材料，优点是具有较高的结晶温度和较强的十年数据保持力，较快结晶速度，较好的热稳定性，以及较大的非晶和晶态电阻率。