公开(公告)号：CN102800332B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210225470.9

申请日：2012-05-22

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  学校法人早稻田大学

Inventor： 逢坂哲弥 ,  杉山敦史 ,  蜂巢琢磨 ,  茂智雄 ,  福岛正人 ,  山根明 ,  坂胁彰

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/7325 ,  G11B5/65 ,  G11B5/656 ,  G11B5/66 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/855

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法、以及具备这种磁记录介质或利用这种制造方法制造的磁记录介质的磁记录再生装置，所述磁记录介质在圆盘状的非磁性基板上至少具备垂直磁性层，其特征在于，上述垂直磁性层具有如下构造，即，通过实施纹理化处理，在形成有具有圆周方向成分的多个沟槽的形成面上形成FePt或CoPt纳米粒子排列体。

公开(公告)号：CN1717722A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200380104120.6

申请日：2003-10-30

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  学校法人早稻田大学

Inventor： 大森将弘 ,  太田浩志 ,  逢坂哲弥 ,  朝日透 ,  横岛时彦

IPC: G11B5/65 ,  G11B5/73 ,  G11B5/738 ,  G11B5/667 ,  G11B5/84

Abstract: 一种垂直磁记录介质(10)，包括非磁性衬底(1)、以及至少由软磁性材料形成的软磁性底涂层膜(2)、对准控制膜(3)，其用于控制被直接设置在其上的膜的晶体对准、垂直磁膜(5)，其易磁化轴的取向一般垂直于衬底、以及保护层(6)，所述膜和层被设置在所述衬底的上方，其中所述软磁性底涂层膜表现出磁各向同性或具有取向垂直于衬底的易磁化轴。根据本发明，可以形成没有磁畴壁的底涂层膜(2)。当采用该底涂层膜时，本发明提供垂直磁记录介质和垂直磁记录和再现装置，其表现出较高的热稳定性和优良的噪音特征，并且实现了高密度记录。

公开(公告)号：CN108152743A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711245176.3

申请日：2017-12-01

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  学校法人早稻田大学

Inventor： 小熊泰正 ,  逢坂哲弥 ,  津田信悟 ,  内海和明 ,  横岛时彦 ,  向山大吉

IPC: G01R31/36

Abstract: 本发明提供一种电池状态推测装置，使用阻抗准确地推测电池的状态。电池状态推测装置(100)具备：取得单元(110)，在不同的多个温度下取得电池的复阻抗；计算单元(120)，计算在复平面上将所取得的多个复阻抗的在第一预定频率下的值相互连结而得到的直线的斜率来作为复阻抗的斜率，该复平面将复阻抗的实数分量及虚数分量作为轴；存储单元(130)，预先存储复阻抗的斜率和与电池相关的电池状态的关系；以及推测单元(140)，根据计算出的复阻抗的斜率和所存储的关系来推测电池状态。

公开(公告)号：CN1940148A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610141432.X

申请日：2006-09-29

Applicant: 关东化学株式会社 ,  学校法人早稻田大学

Inventor： 千田一敬 ,  加藤胜 ,  逢坂哲弥 ,  冲中裕

IPC: C25D3/56

CPC classification number: C22C5/02 ,  B32B15/018 ,  C22C9/00 ,  C22C45/003 ,  C22C45/02 ,  C25D3/562 ,  C25D3/62 ,  C25D7/00 ,  H01H1/023 ,  H01R13/03 ,  H05K3/244

Abstract: 本发明提供一种金－钴类无定形合金镀膜。利用使用了含有以金基准表示为0.01～0.1mol/dm3的浓度的氰化金盐、以钴基准表示为0.02～0.2mol/dm3的浓度的钴盐及以钨基准表示为0.1～0.5mol/dm3的浓度的钨酸盐的电镀液的电镀，形成以不具有微细晶体的均匀的无定形相形成的金－钴类无定形合金镀膜。本发明的金－钴类无定形合金镀膜由不具有微细晶体的均匀的无定形相形成，从而在以实际应用上没有问题的程度维持金本来的良好的接触电阻值或化学稳定性的同时，提高了硬度，因此作为继电器等电气·电子部件的接点材料十分有用。