一种可张紧感应膜片的电容薄膜真空计

    公开(公告)号:CN114964613B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202210917065.7

    申请日:2022-08-01

    Abstract: 本申请涉及半导体领域,具体而言,涉及一种可张紧感应膜片的电容薄膜真空计,其包括:腔体底板、外壳、感应膜片和张紧组件,所述外壳的下端与所述腔体底板连接以压紧所述感应膜片的边沿,所述感应膜片与所述腔体底板围成测量室,并与所述外壳围成参考腔,所述腔体底板与所述感应膜片的接触处设置有第一环槽,所述张紧组件设置在所述参考腔内,所述张紧组件用于把所述感应膜片覆盖所述第一环槽的部分压入所述第一环槽以张紧所述感应膜片,且所述张紧组件把所述感应膜片压入所述第一环槽的压入深度可调;可对感应膜片进行多次张紧,提高真空计的测量精度和使用寿命。

    一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN115219103A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202211145367.3

    申请日:2022-09-20

    Abstract: 本申请涉及半导体加工技术领域,具体而言,涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法,该制作方法包括以下步骤:制作芯轴组件,芯轴组件包括由上到下依次连接的固定电极、上支撑板、感应电极、膜片和下支撑板,感应电极与膜片在周向上凸出于上支撑板与下支撑板,上支撑板的上表面安装有上支撑杆,下支撑板的下表面安装有下支撑杆;利用气相沉积反应在芯轴组件外生成外壳;冷却芯轴组件以及外壳,并拆除上支撑杆和下支撑杆;向外壳内通入氧化气体并加热氧化以消除上支撑板和下支撑板,通过将电容薄膜真空计传感器外壳一体式加工成型,减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力,从而保证陶瓷薄膜硅的性能。

    用于电容薄膜规的压力测量系统、方法及电容薄膜规

    公开(公告)号:CN114323355B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210251300.1

    申请日:2022-03-15

    Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域,具体提供了用于电容薄膜规的压力测量系统、方法及电容薄膜规,其包括:膜片;陶瓷基体,设置在膜片一侧;固定电极组,设置在陶瓷基体靠近膜片的端面上,用于根据其与膜片的距离生成测量电容信息;多个形变检测电极,设置在陶瓷基体上,且圆周阵列在固定电极组外侧,分别用于根据其与膜片的距离生成对应的检测电容信息;控制器,与固定电极组和形变检测电极电性连接,用于获取检测电容信息,还用于根据检测电容信息检测膜片形变是否均匀,还用于在膜片形变均匀时,获取测量电容信息并根据测量电容信息计算压力值;有效地提高了用于电容薄膜规的压力测量系统测量压力的稳定性、准确性和可靠性。

    电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计

    公开(公告)号:CN116429317B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310683461.2

    申请日:2023-06-09

    Abstract: 本申请涉及生物组织工程技术领域,具体而言,涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计,该制作方法包括:制备壳体和膜片,壳体底部有第一凸环,膜片顶部有第二凸环,第一凸环的外径与第二凸环的内径相等;在壳体下表面镀第一金属膜,第一金属膜位于第一凸环的内侧,在膜片上表面镀第二金属膜,第二金属膜位于第二凸环的内侧;将壳体扣合在膜片上,使第一凸环与第二凸环配合,并旋压壳体使壳体固定在膜片上,得到电容薄膜真空计传感器,该方式可减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力,从而保证电容薄膜真空计传感器的性能。

    电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计

    公开(公告)号:CN116429317A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310683461.2

    申请日:2023-06-09

    Abstract: 本申请涉及生物组织工程技术领域,具体而言,涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计,该制作方法包括:制备壳体和膜片,壳体底部有第一凸环,膜片顶部有第二凸环,第一凸环的外径与第二凸环的内径相等;在壳体下表面镀第一金属膜,第一金属膜位于第一凸环的内侧,在膜片上表面镀第二金属膜,第二金属膜位于第二凸环的内侧;将壳体扣合在膜片上,使第一凸环与第二凸环配合,并旋压壳体使壳体固定在膜片上,得到电容薄膜真空计传感器,该方式可减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力,从而保证电容薄膜真空计传感器的性能。

    一种复合金刚石保护膜及其制备方法和芯片基材

    公开(公告)号:CN115595553A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211407075.2

    申请日:2022-11-10

    Abstract: 本申请涉及光电领域,本申请公开一种复合金刚石保护膜及其制备方法和芯片基材,包括以下步骤:将基材放置于金刚石纳米粉的无水乙醇悬浊液中进行超声处理;将处理后的所述基材放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上,进行等离子体清洗;在所述基材表面生长金刚石过渡层;生长高致密度的纳米晶金刚石层;生长高取向(100)微米晶金刚石层;对所述基材表面进行等离子体清洗;停止通入氩气,降低氢气流量、气压、微波功率,降温速率低于每秒钟1℃,破真空后取出具有所述复合金刚石保护膜的所述基材。所述复合金刚石保护膜为具有高激光损伤阈值的保护膜,可大幅度提升基材的抗激光损伤阈值。

    金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法

    公开(公告)号:CN115386856A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202211279601.1

    申请日:2022-10-19

    Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法,属于真空计领域,金刚石薄膜电容制造方法包括以下步骤:在两片衬底的正面沉积金刚石;其中一片衬底直接沉积得到第一部件,另一片衬底用金属环包围外沿后沉积得到第二部件;取下金属环,并去除第一部件和第二部件背面的衬底;在第二部件一面的中央和第一部件背面的中央沉积金属层;在金属层上焊上导线,且在第一部件或在第二部件上开设导线通孔;将第一部件和第二部件金属层相对且不接触地盖合;在第二部件朝上的状态下沉积金刚石,得到高精度、耐腐蚀的金刚石薄膜电容,用于真空计中可以有效降低弹性后效和弹性滞后引起的测量精度不高的问题。

    一种分区显示方法、系统、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN114935976A

    公开(公告)日:2022-08-23

    申请号:CN202210711264.2

    申请日:2022-06-22

    Abstract: 本申请涉及屏幕显示技术领域,具体提供了一种分区显示方法、系统、电子设备及存储介质,应用在分区显示系统中,分区显示系统包括视觉相机和显示屏,视觉相机用于生成采集显示屏前的图像信息,分区显示方法包括以下步骤:根据图像信息获取任一人眼的第一人眼尺寸信息;根据第一人眼尺寸信息获取人眼到显示屏的第一距离信息;根据图像信息获取第一人眼尺寸信息对应人眼的第一偏移信息和瞳孔在该人眼中的第二偏移信息;根据第一距离信息、第一偏移信息和第二偏移信息获取对应人眼在显示屏上的注视区域;控制显示屏在注视区域内显示高刷新率画面信息;该分区显示方法使显示屏能够同时实现高刷新率显示和降低功耗。

    真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统

    公开(公告)号:CN114659706B

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210544153.7

    申请日:2022-05-19

    Abstract: 本申请属于真空计量技术领域,公开了一种真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统,通过获取内环电容产生的第一电压信号和外环电容产生的第二电压信号;分别对所述第一电压信号和所述第二电压信号进行峰值检测处理,得到第一峰值信号和第二峰值信号;对所述第一峰值信号和所述第二峰值信号进行差分处理,得到电压差值信号;对所述电压差值信号进行计算处理,得到真空度检测结果,其中差分处理可以减少信号干扰,提高检测精度,从而保证真空度检测结果的可靠性。

    一种电容薄膜真空计
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114459670B

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202210380028.7

    申请日:2022-04-12

    Abstract: 本申请涉及半导体领域,具体而言,涉及一种电容薄膜真空计,其包括:壳体,所述壳体具有一容置腔;弹性膜片,所述弹性膜片将所述容置腔分隔为测量室和参考腔;连接口,所述连接口与所述测量室连通;固定基板,所述固定基板设在所述参考腔中,所述固定基板与所述弹性膜片平行,且在靠近所述弹性膜片一侧设有固定电极;感应膜片,所述感应膜片平行地设置在所述固定电极和所述弹性膜片之间,并通过支架与所述弹性膜片连接;所述支架可在所述弹性膜片变形时带动所述感应膜片靠近或远离所述固定电极移动;从而有效提高电容薄膜真空计的精确度和灵敏度。

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