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公开(公告)号：CN111166160A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911382858.8
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种新型加热与自降温烹饪器具，第一热电制冷电偶的热端面与内胆的底部外表面和外侧壁贴合，第二热电制冷电偶的冷端面与外胆的底部外表面贴合，在底座和外胆底部外表面之间的间隙中设置有PCB板；通过将第一热电制冷电偶的热端面与内胆的底部外表面和外侧壁贴合，第一热电制冷电偶通电后，第一热电制冷电偶的热端面即开始放热，加热内胆；通过将第二热电制冷电偶的冷端面与外胆的底部外表面贴合，第二热电制冷电偶通电后，第二热电制冷电偶的冷端即开始吸热，降低底座和外胆底部外表面之间的间隙温度，对PCB板实现降温；这样，即加快了烹饪器具的加热速度，同时又能对PCB板实现降温，避免电气元件温升超标。
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公开(公告)号：CN111118599A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911379934.X
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，包括步骤：A.制备SiC凝胶溶胶；B.把SiC凝胶溶胶装入喷机中预热至150℃～250℃；C.将SiC凝胶溶胶喷射到石墨载盘所有表面并自然干燥24小时；D.将石墨载盘装入烧结炉中在1600℃～1800℃、压力550托～650托、氢气环境中烧结2小时，然后自然冷却到室温；E.将石墨载盘表面的SiC涂层进行整形、打磨；F.按预设次数重复执行步骤B～E。该方法制得的SiC涂层的抗热震能力强、使用寿命长，且制备成本低。
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公开(公告)号：CN111089988A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911379941.X
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
IPC: G01Q60/56
Abstract: 本发明公开了一种高均匀性磁性探针及其制备方法，检测硅基探针针尖先端的曲率半径，筛选出曲率半径在规格要求以内的探针；将筛选合格的硅基探针悬臂水平放置，使针尖基体外侧面沿竖直向上，溅射沉积钝化层；将硅基探针悬臂竖直放置，使针尖基体外侧面沿水平方向，溅射沉积磁性感应层；将硅基探针悬臂与竖直方向成30º夹角进行放置，使针尖基体内侧面沿水平方向，溅射沉积磁性屏蔽层；通过采用本技术方案制得的磁性探针的成本低、工艺简单、可重复性好，具备高均匀性的磁感应信号强度，能充分保证定量分析结果的准确性，适用于工业生产用大批量连续的磁力显微镜检测。
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公开(公告)号：CN111085692A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911379935.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于高温水相反应的不规则合金纳米材料合成方法，包括以下步骤：制得种子生长液，所述种子生长液由硝酸银、三水合氯金酸、盐酸和柠檬酸三钠制成；制得纳米金种子溶液；将纳米金种子溶液和种子生长液反应合成不规则纳米合金材料；使不规则纳米合金材料进行再生长；本合成方法通过在高温沸腾的水相反应体系中加入种子生长液，合成得到具有长径比的不规则纳米合金材料，并可通过持续加入的种子生长液使得该不规则纳米合金材料的长径比得到精确有效控制；该合成方法可以用于任意两种晶格匹配或相似的金属上制备得到合金纳米材料。
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公开(公告)号：CN111162743B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201911382855.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供一种误差放大器及开关电源，所述误差放大器包括：一偏置电路；一第一级放大电路，其与所述偏置电路连接以获取第一偏置电流，其两个输入端输入差分信号，其输出端输出误差电压信号；一第二级放大电路，其包括第四PMOS管、第七PMOS管以及第一电容、第七NMOS管，所述第七PMOS管的栅极与偏置电路连接以获取预设偏置电压使得所述第七PMOS管处于线性区，第七PMOS管的源极与所述第一级放大电路的输出端连接以获取所述误差电压信号，第七PMOS管的漏极与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端与所述第七NMOS管的漏极以及所述第四MOS管的漏极连接于第一公共节点并以第一公共节点作为所述第二级放大电路的输出端；保证了系统稳定性且降低了功耗。
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公开(公告)号：CN111748777B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010514554.9
申请日：2020-06-08
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明提供一种可变角度变径磁过滤阴极电弧薄膜沉积设备和方法，包括阴极电弧生成系统、等离子传输系统、真空镀膜腔体以及电源；阴极电弧生成系统包括电弧生成器和靶材；等离子传输系统包括变径磁过滤管道、电磁线圈以及扫描电磁线圈，电磁线圈绕设在所述变径磁过滤管道的外部，变径磁过滤管道为两头大中间小的双喇叭型。本发明通过设置在阴极电弧沉积设备中设计两头大中间小的双喇叭型的变径磁过滤管道，配合绕设在变径磁过滤管道上的电磁线圈，聚焦和偏斜电磁场可以向着基板导向等离子流，而不受电磁场影响的中性宏观粒子则继续从阴极沿着直线行进从而被过滤，通过简洁的磁过滤管道的设计，可以得到致密的均匀的阴极电弧薄膜。
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公开(公告)号：CN111093347B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201911379925.0
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种自循环高效散热器，采用封闭式管道，无需外连冷却水进行外循环，有利于降低冷却成本，操作方便；通过采用TiO2‑水纳米流体作为冷却剂，在TiO2‑水纳米流体中，TiO2的浓度在0.2%‑0.5%范围内最佳，相较于常规散热器采用的自来水冷却剂可将换热系数提高25%左右；同时，散热基板内设有可自旋转的螺旋形旋转轴，螺旋形旋转轴的持续自旋转加强了管路内TiO2‑水纳米流体的扰动，将TiO2‑水纳米流体由层流变成紊流，将很大程度上提高散热能力，换热系数将提高50%。
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公开(公告)号：CN111020693B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201911379922.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延生长设备的进气装置，包括进气装置主体，进气装置主体的前部设置有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气管穿过所述冷却腔；还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的冷却液入口管和冷却液出口管，以及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。该进气装置可抑制反应气体的预反应。
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公开(公告)号：CN111748777A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010514554.9
申请日：2020-06-08
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明提供一种可变角度变径磁过滤阴极电弧薄膜沉积设备和方法，包括阴极电弧生成系统、等离子传输系统、真空镀膜腔体以及电源；阴极电弧生成系统包括电弧生成器和靶材；等离子传输系统包括变径磁过滤管道、电磁线圈以及扫描电磁线圈，电磁线圈绕设在所述变径磁过滤管道的外部，变径磁过滤管道为两头大中间小的双喇叭型。本发明通过设置在阴极电弧沉积设备中设计两头大中间小的双喇叭型的变径磁过滤管道，配合绕设在变径磁过滤管道上的电磁线圈，聚焦和偏斜电磁场可以向着基板导向等离子流，而不受电磁场影响的中性宏观粒子则继续从阴极沿着直线行进从而被过滤，通过简洁的磁过滤管道的设计，可以得到致密的均匀的阴极电弧薄膜。
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