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公开(公告)号：CN1125850C
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN00802549.5
申请日：2000-01-11
Applicant: 大金工业株式会社
Abstract: 提供合适的弹性体成形物用作非常洁净、具有优良的耐等离子体性以及耐金属溶出性的半导体或液晶制造装置用的成型品材料。该成型品可以将硅以外的杂质金属的含量为100ppm以下的氧化硅填料，和氟系弹性体成分组成的交联性弹性体组合物交联成形而得到，杂质金属含量为100ppm以下，而且由氧等离子体照射所致颗粒增加率为1000%以下，另外50%HF所致的硅以外的杂质金属提取量为200ppb以下。
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公开(公告)号：CN1313541C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN02825216.0
申请日：2002-12-13
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C08L101/00 , C08K3/00 , H01L21/02
CPC classification number: C08L27/18 , C08G73/101 , C08L79/08 , C08L101/00 , C08L2666/14 , C08L2666/02
Abstract: 本发明提供可以减少高温下HF的产生，即使对于在半导体制造工序中曝露于NF3等离子体处理和O3处理，其重量变化小，可以明显抑制在这些处理中产生异物(颗粒)的交联性弹性体组合物。本发明涉及含有交联性弹性体和比表面积大于等于0.5m2/g的、由主链具有热稳定和化学稳定的芳香环的合成高分子形成的填充物的交联性弹性体组合物、由交联性弹性体和非氧化陶瓷形成的交联性弹性体组合物，以及NF3等离子体照射时减小的重量小于等于0.20重量%的交联性弹性体组合物。
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公开(公告)号：CN1604940A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN02825216.0
申请日：2002-12-13
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C08L101/00 , C08K3/00 , H01L21/02
CPC classification number: C08L27/18 , C08G73/101 , C08L79/08 , C08L101/00 , C08L2666/14 , C08L2666/02
Abstract: 本发明提供可以减少高温下HF的产生，即使对于在半导体制造工序中曝露于NF3等离子体处理和O3处理，其重量变化小，可以明显抑制在这些处理中产生异物(颗粒)的交联性弹性体组合物。本发明涉及含有交联性弹性体和比表面积大于等于0.5m2/g的、由主链具有热稳定和化学稳定的芳香环的合成高分子形成的填充物的交联性弹性体组合物、由交联性弹性体和非氧化陶瓷形成的交联性弹性体组合物，以及NF3等离子体照射时减小的重量小于等于0.20重量％的交联性弹性体组合物。
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公开(公告)号：CN1427874A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN01809115.6
申请日：2001-04-27
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C08L101/00 , C08K3/22 , C08K3/36 , C08K9/06 , H01L21/3065
CPC classification number: C08F214/18 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供作为使用水分产生量与有机系气体产生量均降低的清洁填料的半导体制造装置用的成型品材料适用的弹性体组合物与成型品，本发明的填料在200℃加热2小时的每单位表面积的重量减少率是2.5×10－5重量％/m2以下，且在200℃加热15分钟时的有机系气体的总发生量是2.5ppm以下，该填料与高分子聚合物，尤其是与交联性含氟弹性体组成交联性组合物。
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公开(公告)号：CN1293599A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN99804016.9
申请日：1999-03-24
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: B08B3/04 , H01L21/304
CPC classification number: B08B3/04 , Y10S210/90
Abstract: 提供一种能够获得清洁化的半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的新型并且有效的洗涤方法。用金属含量在1.0ppm以下、且含有粒径在0.2μm以上的微粒不超过300个/ml的超纯水洗涤氟橡胶类密封材料至少1次。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100402895C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200480034471.9
申请日：2004-11-17
Applicant: 大金工业株式会社
CPC classification number: F16J15/128 , C09K3/10 , G02F1/1339 , Y10T428/265 , Y10T428/3154 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及表面经涂布的密封材料，涉及在保持橡胶基材所具有的强度、硬度、密封性的同时提高了耐药品性、耐等离子体性、不粘性的密封材料。对于所述密封材料，其在含有软质材料的基材的整个或部分表面具有涂布膜，所述软质材料的肖氏D硬度小于等于75，并且肖氏A硬度为40～100，所述涂布膜含有选自由金属、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物及它们的复合物组成的组中的至少一种金属或金属化合物。
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公开(公告)号：CN1891761A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610095775.7
申请日：2002-12-13
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C08L101/00 , C08K5/18 , C09K3/10 , C08K3/00 , H01L21/02
CPC classification number: C08L27/18 , C08G73/101 , C08L79/08 , C08L101/00 , C08L2666/14 , C08L2666/02
Abstract: 本发明提供可以减少高温下HF的产生，即使对于在半导体制造工序中曝露于NF3等离子体处理和O3处理，其重量变化小，可以明显抑制在这些处理中产生异物(颗粒)的交联性弹性体组合物。本发明涉及含有交联性弹性体和比表面积大于等于0.5m2/g的、由主链具有热稳定和化学稳定的芳香环的合成高分子形成的填充物的交联性弹性体组合物、由交联性弹性体和非氧化陶瓷形成的交联性弹性体组合物，以及NF3等离子体照射时减小的重量小于等于0.20重量％的交联性弹性体组合物。
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公开(公告)号：CN1882796A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480034471.9
申请日：2004-11-17
Applicant: 大金工业株式会社
CPC classification number: F16J15/128 , C09K3/10 , G02F1/1339 , Y10T428/265 , Y10T428/3154 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及表面经涂布的密封材料，涉及在保持橡胶基材所具有的强度、硬度、密封性的同时提高了耐药品性、耐等离子体性、不粘性的密封材料。对于所述密封材料，其在含有软质材料的基材的整个或部分表面具有涂布膜，所述软质材料的肖氏D硬度小于等于75，并且肖氏A硬度为40～100，所述涂布膜含有选自由金属、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物及它们的复合物组成的组中的至少一种金属或金属化合物。
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公开(公告)号：CN1286898C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN02825208.X
申请日：2002-12-13
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C08L27/12
CPC classification number: H01L23/296 , C08K3/22 , C08K3/28 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , C08L27/12 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供在大于等于275℃的高温下耐用并且耐高密度等离子体的含氟弹性体成型品，其是利用耐热性交联剂将交联性含氟弹性体组合物交联后得到的交联的含氟弹性体成型品，所述交联性含氟弹性体组合物是将一次平均粒径小于等于5μm的α型氧化铝或氮化铝等无机填料，混合在具有CN基和COOH基等全氟弹性体等的含氟弹性体成分中形成的。
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公开(公告)号：CN1335871A
公开(公告)日：2002-02-13
申请号：CN00802549.5
申请日：2000-01-11
Applicant: 大金工业株式会社
Abstract: 提供合适的弹性体成形物用作非常洁净、具有优良的耐等离子体性以及耐金属溶出性的半导体或液晶制造装置用的成型品材料。该成型品可以将硅以外的杂质金属的含量为100ppm以下的氧化硅填料,和氟系弹性体成分组成的交联性弹性体组合物交联成形而得到,杂质金属含量为100ppm以下,而且由氧等离子体照射所致颗粒增加率为1000%以下,另外50%HF所致的硅以外的杂质金属提取量为200ppb以下。
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