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公开(公告)号：CN110335995B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910420776.1
申请日：2019-05-20
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种掺杂Al3+正八面体形貌镍锰酸锂材料的制备方法，将铝源、锰源、镍源以及锂源按化学计量比精确称量；将称量得到的锰源、镍源和Al2O3混合并进行球磨；将球磨得到的混合物干燥成粉末；称量草酸粉末并与干燥成粉末的混合物混合；在得到的混合物中加入PEG，搅拌，得到黑灰色胶状混合物，对该黑灰色胶状混合物预加热，得到黑色的前驱体粉末；将得到的黑色的前驱体粉末与称量得到的锂源球磨混合；将得到的混合物先在800℃下保温5～24h，再降温到600℃下保温5～24h并退火到室温下，得到亚微米级的掺杂Al3+正八面体形貌镍锰酸锂材料。本发明利用低成本的高温固相法与聚合物辅助法相结合，得到掺杂Al3+的正八面体形貌的镍锰酸锂材料，性价比较高。
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公开(公告)号：CN110217833B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201910420778.0
申请日：2019-05-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种亚微米级正八面体结构镍锰酸锂材料的制备方法，将锰源、镍源以及锂源按化学计量比精确称量；将称量得到的锰源和镍源混合并进行球磨；将球磨得到的锰源和镍源的混合物干燥成粉末；称量一定量的草酸，将上述草酸、称量得到的锂源和干燥成粉末的锰源和镍源的混合物通过球磨混合；在上述得到的混合物中加入一定量的PEG，搅拌，得到黑灰色胶状混合物，对该黑灰色胶状混合物进行预加热；将预加热得到的混合物先在300℃下保温1～5h，后升温到800℃下保温1～5h并退火到室温下，得到亚微米级正八面体结构镍锰酸锂材料。本发明利用低成本的高温固相法与聚合物辅助法相结合，得到亚微米级正八面体结构镍锰酸锂材料，使得性价比有较大提升。
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公开(公告)号：CN110335995A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910420776.1
申请日：2019-05-20
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种掺杂Al3+正八面体形貌镍锰酸锂材料的制备方法，将铝源、锰源、镍源以及锂源按化学计量比精确称量；将称量得到的锰源、镍源和Al2O3混合并进行球磨；将球磨得到的混合物干燥成粉末；称量草酸粉末并与干燥成粉末的混合物混合；在得到的混合物中加入PEG，搅拌，得到黑灰色胶状混合物，对该黑灰色胶状混合物预加热，得到黑色的前驱体粉末；将得到的黑色的前驱体粉末与称量得到的锂源球磨混合；将得到的混合物先在800℃下保温5～24h，再降温到600℃下保温5～24h并退火到室温下，得到亚微米级的掺杂Al3+正八面体形貌镍锰酸锂材料。本发明利用低成本的高温固相法与聚合物辅助法相结合，得到掺杂Al3+的正八面体形貌的镍锰酸锂材料，性价比较高。
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公开(公告)号：CN109850905A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910304735.6
申请日：2019-04-16
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种电子束熔炼过程中提高挥发性杂质除杂量的方法及装置，本发明在电子束熔炼硅材料的过程中，通过改变电子束的熔炼模式可以使硅熔体表面出现波动，进而提高蒸发表面积，增加熔体界面的蒸发表面积，提高单位时间内的杂质的蒸发量，通过在熔炼坩埚底部放置石墨衬底，改变硅熔体底部的温度分布，从而促进熔炼坩埚底部硅熔体的流动，使得硅熔体内部产生对流，从而加速底部的硅熔体与顶部的硅熔体之间的熔体交换。本发明通过改变电子束的熔炼模式和实验装置从而增加熔体的蒸发表面积，提高杂质在单位时间内的蒸发量，解决硅熔体在对挥发性杂质除杂过程中杂质蒸发量少、熔炼时间长、硅材料损失量大、成本高的问题。
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公开(公告)号：CN104556048A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410822579.X
申请日：2014-12-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种在多晶硅定向凝固提纯中分离高金属杂质区的设备及其分离方法，通过在现有多晶硅定向凝固提纯设备中加入水冷铜棒及其提拉装置，并加入冷却水循环系统，使水冷铜棒伸入金属浓度较高的近上层熔体中，硅熔体遇冷凝结在水冷铜棒上，通过水冷铜棒以一定的速率向上提拉，硅熔体中近上层的部分被不断地分离出，达到分离目的。本发明的设备简单，设计巧妙，利用此设备的分离方法可有效抑制金属杂质的扩散行为，有效提高硅锭利用率5～10％；实现高金属杂质的硅熔体区域与硅锭的分离，提高了实际良率5～15％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104532340A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410826714.8
申请日：2014-12-24
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种电子束熔炼多晶硅粉体与定向凝固结合的装置及利用该装置进行多晶硅熔炼的方法，属于电子束熔炼领域。本发明提供一种可在熔炼的过程中进行补料的电子束熔炼多晶硅粉体的装置，主要在于提供了加料装置，该加料装置结构紧凑，不会影响熔炼设备整体体积，并使整个熔炼过程具有可持续性。该装置同时配有拉锭系统，可以实现在多晶硅电子束熔炼去除杂质磷元素的同时，进行定向凝固提纯技术，可以利用一个设备同时去除磷杂质和金属杂质，减少了多设备的使用，减少了多设备使用时不必要的抽真空时间的浪费，以及多设备使用时中间环节硅料的损失和二次污染。
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公开(公告)号：CN104131343A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410339759.2
申请日：2014-07-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 局部加热凝固多晶硅除杂装置，在炉体内下部设有石墨底座，在石墨底座上配有装入多晶硅料的坩锅，在炉体内位于坩锅周边设有与系统控制装置相接的加热体，所述的炉体上方竖直按装有滑道，与滑道相配有齿条，齿条连接有支架，炉体上方设有电机，电机的输出轴安装有齿轮，齿轮与所述的齿条相啮合，支架上通过固定环连接有竖直设置的运动轴，运动轴的下端连接有与系统控制装置相接的加热碳筒。除杂方法如下：向炉体内的坩锅中加入多晶硅料，关闭并抽真空；开始运行程序；温度达到1420-1480℃后保温；长晶阶段；利用加热碳筒局部加热并随液面上升，直至硅料完全长晶；出炉。提高了出成率，降低了成本。
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公开(公告)号：CN112572760B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202011524633.4
申请日：2020-12-22
Applicant: 大连理工大学
IPC: B64C1/36
Abstract: 本发明提供一种上下分体式的拱形高低温连接结构，属于飞行器为左右对称结构，左右两部分结构均包括主级支撑梁，次级弧部支撑梁，次级底部支撑梁，拱形连接梁，水平连接梁，位于高温端的支撑梁外伸侧螺栓脚、支撑梁外伸侧螺栓台，位于低温端的无支撑梁外伸侧螺栓脚。主级支撑梁位于拱形连接梁和水平连接梁之间，次级弧部支撑梁设于主级支撑梁顶部，次级底部支撑梁设于主级支撑梁底部；两个拱形连接梁组成拱形梁，位于两个水平连接梁组成的水平梁上方。本发明采用楔形螺栓连接安装，可有效降低与连接件连接的热端结构，减轻结构之间的热失配现象。同时加装次级梁的支撑结构件，可提高连接件承受外力载荷的能力，从而整体增强高低温连接结构的强度。
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公开(公告)号：CN116623276A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310617246.2
申请日：2023-05-29
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种实现连续提拉单晶硅过程中多棒电阻稳定控制的方法，步骤为：对石英坩埚中的初投硅料与掺杂母合金进行加热熔化；通过结合熔料时间与熔体有效挥发面积对熔料阶段挥发损失进行修正；硅料完全熔化后，按照提拉生长参数进行引晶、放肩、等径阶段；结合等径阶段提拉长度代入掺杂元素分凝及挥发模型进行晶棒与熔体中掺杂元素含量计算，获得留埚熔体掺杂元素留存量；根据下一棒目标电阻率，获得复投熔料后所需熔体掺杂元素浓度，进一步获得复投母合金配额。此外，在连续晶体生长的过程中，可结合实际晶体的电阻率实测值对理论计算模型予以次棒或隔棒修正，最终实现多棒电阻率稳定控制。本发明可显著提高单晶硅棒的合格率。
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公开(公告)号：CN116159983A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211527985.4
申请日：2022-11-30
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种电子束滴熔逐层铸造技术制备高纯有序梯度高温合金的方法，包括如下步骤：S1、原材料的预处理；S2、电子束滴熔；S3、逐层滴溶。本发明实现了高温合金的高纯化制备，制备所得铸锭夹杂物尺寸细小且杂质元素含量明显降低，并且引入有序结构可以进一步提高高温合金的热加工性能。
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