激光用掩模
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111172496B

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202010076403.X

    申请日:2016-02-03

    Abstract: 本发明提供一种即使在大型化的情况下也能够实现轻量化且可形成比以往更高精细的蒸镀图案的蒸镀掩模的制造方法、可制造与比以往更高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。所述方法具有如下的工序:准备层积有设有缝隙的金属掩模和树脂板的带树脂板的金属掩模;从所述金属掩模侧照射激光,在所述树脂板上形成与要蒸镀制作的图案对应的开口部,在形成所述开口部的工序中,通过使用设有开口区域和衰减区域的激光用掩模,利用在所述开口区域通过的激光在树脂板上形成与要蒸镀制作的图案对应的开口部,并且利用在所述衰减区域通过的激光在所述树脂板的开口部周围形成薄壁部,所述开口区域与所述开口部对应,所述衰减区域使照射的激光的能量衰减。

    激光用掩模
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111172496A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN202010076403.X

    申请日:2016-02-03

    Abstract: 本发明提供一种即使在大型化的情况下也能够实现轻量化且可形成比以往更高精细的蒸镀图案的蒸镀掩模的制造方法、可制造与比以往更高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。所述方法具有如下的工序:准备层积有设有缝隙的金属掩模和树脂板的带树脂板的金属掩模;从所述金属掩模侧照射激光,在所述树脂板上形成与要蒸镀制作的图案对应的开口部,在形成所述开口部的工序中,通过使用设有开口区域和衰减区域的激光用掩模,利用在所述开口区域通过的激光在树脂板上形成与要蒸镀制作的图案对应的开口部,并且利用在所述衰减区域通过的激光在所述树脂板的开口部周围形成薄壁部,所述开口区域与所述开口部对应,所述衰减区域使照射的激光的能量衰减。

    蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模制造装置

    公开(公告)号:CN111088476A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN202010076410.X

    申请日:2016-02-03

    Abstract: 本发明提供一种即使在大型化的情况下也能够实现轻量化且可形成比以往更高精细的蒸镀图案的蒸镀掩模的制造方法、可制造与比以往更高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。所述方法具有如下的工序:准备层积有设有缝隙的金属掩模和树脂板的带树脂板的金属掩模;从所述金属掩模侧照射激光,在所述树脂板上形成与要蒸镀制作的图案对应的开口部,在形成所述开口部的工序中,通过使用设有开口区域和衰减区域的激光用掩模,利用在所述开口区域通过的激光在树脂板上形成与要蒸镀制作的图案对应的开口部,并且利用在所述衰减区域通过的激光在所述树脂板的开口部周围形成薄壁部,所述开口区域与所述开口部对应,所述衰减区域使照射的激光的能量衰减。

    顶部发射型有机电致发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN105474752B

    公开(公告)日:2018-01-05

    申请号:CN201480046690.2

    申请日:2014-08-28

    Abstract: 能够充分防止利用激光除去的有机层的粉尘等向像素区域飞散,抑制显示特性下降。一种顶部发射型有机EL显示装置,其特征在于,具有:基板、像素电极、辅助电极、以覆盖上述像素电极的边缘部分的方式在上述像素电极之间形成的且具有开口部使得上述辅助电极露出的绝缘层、在上述像素电极上形成且由多个有机层构成的、至少具有发光层的有机EL层、在从上述绝缘层的开口部露出的上述辅助电极上形成的上述有机层、在从上述绝缘层的开口部露出的上述辅助电极上形成的作为上述有机层的开口部的接触部、以及透明电极层,上述接触部和与上述接触部相邻的上述像素电极之间的上述绝缘层的宽度为6μm以上,上述透明电极层通过上述接触部而与上述辅助电极电连接。

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