公开(公告)号：CN101369531A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810210944.6

申请日：2008-08-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 ,  凯瑟琳·路易斯·史密斯 ,  马修·泽维尔·先尼 ,  斯图尔特·爱德华·胡帕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L31/101 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/127 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在半导体表面上沉积半导体层，所述半导体表面包括具有第一(平均表面晶格)参数值的至少一个第一区域和具有与所述第一值不同的第二参数值的至少一个第二区域；在半导体表面上沉积半导体层到一个厚度，使得自组织岛形成覆盖第一区域和第二区域。参数值的差别意味着覆盖第一区域的岛具有第一平均参数值以及覆盖第二区域的岛具有不同于第一平均值的第二平均参数值；在岛上沉积覆盖层，并且覆盖层具有比岛更大的禁止带隙，藉此岛形成量子点，覆盖第一区域和第二区域的量子点由于第一和第二区域岛之间的不同具有不同的特性。本发明还涉及一种利用该方法制造的半导体器件。