公开(公告)号：CN1283002C

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN03122279.X

申请日：2003-04-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小野敦 ,  浅津琢郎 ,  山口真司

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/288 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及连接端子及其制造方法以及半导体装置及其制造方法。在电极垫片(2)上形成第1保护膜(3)和第2保护膜(4)，并在共同除去了它们相互被层叠的第1保护膜(3)和第2保护膜(4)的部分形成凸起(5)。此处，作为位置在下层的第1保护膜(3)除去部分的开口部分(3a)形成比作为位置在上层的第2保护膜(4)的除去部分的开口部分(4a)大，上层的第2保护膜(4)变成突出的构造，凸起(5)的底部在其外围部分被形成以便进入第2保护膜(4)的下面。

公开(公告)号：CN1645598A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510005645.5

申请日：2005-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小野敦 ,  藤原纪人

IPC: H01L23/02 ,  H01L27/14

Abstract: 图象拾取元件和微透镜部分被形成在半导体衬底的正面上；形成了穿过半导体衬底的穿通电极；从正面向着玻璃盖子突出的突出部分被形成为厚度大于穿通电极上微透镜部分的厚度；且突出部分被插入在半导体衬底与玻璃盖子之间。