公开(公告)号：CN101996597A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010247405.7

申请日：2010-08-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吉冈史善 ,  太田佳似 ,  矢追善史 ,  足立浩一郎 ,  片冈耕太郎 ,  市川雄二 ,  佐藤克彦 ,  岩田浩

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133

Abstract: 本发明涉及显示装置、校正系统、作成装置、决定装置及其方法。将包括亮度不均区域的、或者将包括亮度不均区域及其周边区域的校正区域所含有的像素中的一部分像素选择作为调整校正像素，并使得对调整校正像素的灰阶值校正量与对该校正区域所含有的除调整校正像素以外的像素的灰阶值校正量不同，从而实现了类似于对校正区域内的所有像素的亮度值相同地仅校正了小于与显示用图像数据的1灰阶相当的亮度值(或，与显示用图像数据的小数部分不为0的灰阶值相当的亮度值)。由此能够确切地校正显示装置的亮度不均。

公开(公告)号：CN1551360A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410044742.0

申请日：2004-05-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吉冈史善 ,  柴田晃秀 ,  岩田浩

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/112

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/6684

Abstract: 一种半导体存储器件，它包含：经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极；排列在栅电极下方的沟道区；排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的扩散区；以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元，其中，各个扩散区具有：排列成偏移于栅电极的高浓度杂质区；以及排列成与高浓度杂质区相接触以便与栅电极重叠的低浓度杂质区，且当电压被施加到栅电极时，从一个扩散区流到另一个扩散区的电流量，根据保持在存储功能单元中的电荷量而被改变。