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公开(公告)号：CN101891468A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910051878.7
申请日：2009-05-22
Applicant: 复旦大学
IPC: C04B35/472 , H01G4/33 , H01L21/02
Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及一种铁电溶液及其薄膜电容制备的方法。本发明在制备先体溶液时，加入一定过量的铅原料，并配合一定的工艺流程，通过过量的铅抵消在制备铁电薄膜时的铅挥发，从而提高铁电薄膜的电学性能。所述前驱液由Pb、Zr、Ti的水解物的聚集物生成Pb1+xZryTi1-yO3(PZT)溶液，通过旋涂淀积在衬底上，后通过干化、热解、高温退火生成钙钛矿晶体结构的铁电薄膜，并在此基础上制作成铁电电容。本方法能克服现有技术中PZT铁电薄膜在高温结晶时发生铅挥发，导致铁电薄膜电学性能下降，使铁电电容的存储性能下降的缺陷，能明显提高铁电存储器(FERAM)的存储特性。
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公开(公告)号：CN104681093B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410827335.0
申请日：2014-12-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C29/08
Abstract: 本发明属于微电子存储器件测试技术领域，具体为一种半导体存储器件电学参数测试系统。本发明系统包括测试机台、计算机、控制软件以及通讯电缆。其中：测试机台包括信号发生模块、数据采集模块、多档电阻切换电路模块、集成控制模块；计算机用于安装控制软件以及存储数据；控制软件用于用户执行已编辑或用户自定义编辑的测试程序模块，以及监控和处理数据；通讯电缆用于计算机与测试机台互相通信。本发明解决了目前新一代半导体存储器件研发中缺乏相应存储器件电学参数测试设备，已有的相关电学测试设备测试功能单一，难以满足新型多样存储器件研发需求，同时本发明结构简单，方便实用，可快速扩展多种测试功能。
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公开(公告)号：CN102590669B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210038180.3
申请日：2012-02-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种铁电薄膜电畴区域运动速度与矫顽电场关系的测量方法。在铁电电容器充电过程中，铁电薄膜上电压逐渐从零上升到目标电压时，矫顽电压较小的电畴率先反转，反转电流和电畴运动速度呈正比；该电畴反转完毕后，随着薄膜充电电压的逐步增大，矫顽电压较高的电畴依次反转，即将铁电薄膜矫顽电压随不同区域的分布按照矫顽电压从小到大的顺序转化为电畴极化反转电流随时间的变化。在0.1V-100V间外加脉冲电压下，通过总串联电路中电阻在100Ω－100MΩ间调节，可以在1nA-1A间改变电畴反转电流或电畴运动速度，从而获得在不同区域中矫顽电场随电畴运动速度的变化。
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公开(公告)号：CN102033772A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010608191.1
申请日：2010-12-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体为一种用于FPGA映射的电路改写指令系统。指令系统中包括测试指令和操作指令两类，测试指令用于过程控制，通过对电路特性的分析判断来决定不同的电路改写策略，操作指令用于描述实际的电路改写方法。由于在电子设计自动化工具中经常涉及到对电路的修改和等价性替换，用基于文本的指令系统来描述电路网表的修改过程，可以使用户避免修改程序代码就能灵活处理复杂多变的电路修改要求。
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公开(公告)号：CN102663465B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210133364.8
申请日：2012-05-03
Applicant: 复旦大学
IPC: G06K19/00
Abstract: 本发明属于计算机通信技术领域，具体为一种卡片式USB接口信息存读取电子名片。该电子名片包括电路系统和外部塑料卡片；所述电路系统包括USB主控芯片、外围基本电路、存储芯片、LED灯、USB标准插头、USB标准插座；USB主控制芯片通过USB-OTG主从双重功能模块及MCU微控制器实现电子名片信息采集及保存,自带电源控制系统为主电子名片读取对方电子名片信息提供能源。外部塑料卡片作为电路系统保护层，制作成超薄型，同时在卡片表面印刷有个人信息。本电子名片能在交流名片时快速输出及读取对方信息，方便对客户名片信息进行管理，并可长久保存；本电子名片也可当U盘使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102650821B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201210161659.6
申请日：2012-05-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G03F1/68
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种耐高温硬掩膜版制备方法。此耐高温硬掩膜版采用氧化锌材料，具体表现为在衬底上利用传统光刻技术使用正性光刻胶转移图形，然后室温下淀积一层氧化锌薄膜，去除光刻胶及其上的氧化锌薄膜层则衬底上留下与光刻胶相反的图形。在此基础上，可以根据需要在高温下淀积各种高温生长材料，最后通过能快速腐蚀氧化锌但对所淀积材料影响忽略不计的稀浓度酸去除氧化锌及其上的材料,最终实现在衬底上形成各种图形淀积材料结构。
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公开(公告)号：CN103412210A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310304913.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明属于固态电介质应用技术领域，具体为一种铁电薄膜成核可逆电畴极化强度的测量方法。预极化铁电薄膜电畴极化方向至外加电压的反平行方向，通过施加不同脉冲宽度的电压后，测得不同铁电电容器电压时铁电电容器放电电荷面密度及铁电薄膜反转电畴极化强度；预极化铁电薄膜电畴极化方向至外加电压的平行方向，通过施加不同脉冲宽度的电压后，测得不同铁电电容器电压时铁电电容器放电电荷面密度；最终可计算出铁电薄膜成核可逆电畴极化强度。本发明方法可适应各种情况，而且测量精度高，便于深入了解铁电薄膜成核电畴生长运动的动力学机理，可应用在超高介电响应等新型器件中。
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公开(公告)号：CN101882463B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200910221812.8
申请日：2009-11-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及一种多位铁电存储器及其电压施加方法。本发明利用铁电薄膜材料只有在外电场达到矫顽场时电畴才会发生极化反转的特性，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状铁电薄膜材料，每一阶台阶对应一种厚度，进而分别对应一定的矫顽电压，通过施加不同的外电压来极化反转相应台阶厚度的铁电薄膜。可以在单个存储单元中通过组合不同台阶厚度的铁电薄膜来实现多位数据存储功能。采用本发明方法加工的多位存储器件可以极大地提高存储密度，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN101882463A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910221812.8
申请日：2009-11-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及一种多位铁电存储器及其电压施加方法。本发明利用铁电薄膜材料只有在外电场达到矫顽场时电畴才会发生极化反转的特性，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状铁电薄膜材料，每一阶台阶对应一种厚度，进而分别对应一定的矫顽电压，通过施加不同的外电压来极化反转相应台阶厚度的铁电薄膜。可以在单个存储单元中通过组合不同台阶厚度的铁电薄膜来实现多位数据存储功能。采用本发明方法加工的多位存储器件可以极大地提高存储密度，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN204406311U
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201520014914.3
申请日：2015-01-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F1/20
CPC classification number: Y02D10/16
Abstract: 本实用新型属于微电子技术领域,具体为一种超高速芯片的快速散热装置。快速散热装置包括依次加装在超高速芯片上的肋片散热器、温控开关、半导体制冷片及风冷散热器；本实用新型把自然对流散热、半导体制冷片散热及风冷散热方式相互结合。当超高速芯片工作于低频状态时，芯片散热量较小，肋片散热器依靠自然对流散热即可满足芯片散热要求；当高速芯片工作于高频状态时，芯片散热量急剧增大，温控开关开启半导体制冷片及风冷散热器，迅速冷却超高速芯片。本实用新型解决了目前以及未来超高速芯片难以、快速散热的技术障碍，同时具有高效、经济、节能、简单方便优点。
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