公开(公告)号：CN101393764B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810200092.2

申请日：2008-09-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李晶 ,  廖嘉霖 ,  魏慎金 ,  金庆原

IPC: G11B27/36 ,  G11B5/02 ,  G11B11/105

Abstract: 本发明是激光诱导磁记录动态测试方法及测试系统，主要是运用磁存储介质对光频的选择响应、热磁效应及巨磁阻效应等，实现的一种超高密度高速、光磁混合动态存储技术方案。是目前光、磁存储技术发展领域中的创新方法与技术。采用一定波长及功率连续可调的激光为诱导热辅助光源，选择与光频相匹配的磁记录介质制成的盘片，在2000～10000转/分的转速下，利用磁场调制、巨磁阻磁头动态写读方式，在信息记录点处使介质在适当的磁场调制(水平磁记录或垂直磁记录)下实现磁畴翻转，从而实现激光诱导磁调制动态写入、擦除及读出。

公开(公告)号：CN107123433A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710215468.6

申请日：2017-04-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宗芝 ,  林亮 ,  朱振东 ,  赵柄丞 ,  朱伟骅 ,  金庆原

IPC: G11B5/706 ,  G11B5/718 ,  G11B5/851 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35

CPC classification number: G11B5/70605 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  C23C14/35 ,  G11B5/718 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明属于磁存储技术领域，具体为交换耦合复合磁记录介质及其制备方法。本发明复合磁记录介质是一种耦合复合膜，从下至上依次是：软磁层、中间层、硬磁层和保护层，衬底采用单晶MgO基片，软磁层为厚度t的FeRu层，中间层为Pt层，硬磁层为L10‑FePt，保护层为Pt层。本发明解决了传统ECC结构在信息写入时，下层与磁头距离过大所获磁场不足的问题。该结构中，硬磁层为5.0 nm厚的高有序度L10‑FePt薄膜，其矫顽力约为9.0 kOe；通过引入软磁层FeRu，当软磁层厚度为10.0 nm时复合薄膜的整体矫顽力可降至2.2kOe；当外场与膜面法线夹角从0°‑60°变化时，ECC薄膜的矫顽力角度特性曲线展现出良好的角度包容性。这些性能的提高对信息的写入十分有利。

公开(公告)号：CN103682087A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310734074.3

申请日：2013-12-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宗芝 ,  吴迪 ,  陈绍海 ,  金庆原

IPC: H01L43/12

Abstract: 本发明属于磁存储技术领域，具体为一种有效增强磁性多层膜垂直矫顽力的方法。本发明通过对Ta/Cu底层进行不同温度下的在位加热处理，研制出具有高垂直矫顽力的Ta/Cu/[Co/Ni]3-8/Ta多层膜结构，并且具有较强的垂直各向异性。再结合后续退火处理，可进一步提高多层膜的垂直矫顽力。本发明的有益效果在于：其方法简单，可有效提高基于较薄种子层的磁性多层膜的垂直矫顽力，进而用于高性能的自旋电子器件的研究。

公开(公告)号：CN101853919B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201010153452.5

申请日：2010-04-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宗芝 ,  邱永成 ,  李暄 ,  马斌 ,  金庆原

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明属于磁存储技术领域，具体为具有纳米软磁核的垂直磁化自旋阀。本发明中的自旋阀结构中磁性参考层和自由层分别采用具有垂直磁各向异性的[Co/Pt]和[Co/Ni]多层膜结构。在保存信息的自由层利用微制备或掺杂的方法加入具有面内磁各向异性的[NiFeCo]纳米软磁核。不影响存储信号的情况下，纳米核面积可控制在自由层总面积的2％-12％左右。通过对纳米旋阀器件的微磁模拟发现，具有纳米核的垂直磁化自旋阀自由层磁矩翻转电流比普通垂直磁化的自旋阀结构大幅度降低，降幅高达56.9％，翻转时间缩短65.1％，临界翻转电流的强度不对称性也有很大改善。本发明在研发低能耗的自旋转矩型大容量磁随机存储器MRAM方面具有重大的应用价值。

公开(公告)号：CN101853919A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010153452.5

申请日：2010-04-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宗芝 ,  邱永成 ,  李暄 ,  马斌 ,  金庆原

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明属于磁存储技术领域，具体为具有纳米软磁核的垂直磁化自旋阀。本发明中的自旋阀结构中磁性参考层和自由层分别采用具有垂直磁各向异性的[Co/Pt]和[Co/Ni]多层膜结构。在保存信息的自由层利用微制备或掺杂的方法加入具有面内磁各向异性的[NiFeCo]纳米软磁核。不影响存储信号的情况下，纳米核面积可控制在自由层总面积的2％-12％左右。通过对纳米旋阀器件的微磁模拟发现，具有纳米核的垂直磁化自旋阀自由层磁矩翻转电流比普通垂直磁化的自旋阀结构大幅度降低，降幅高达56.9％，翻转时间缩短65.1％，临界翻转电流的强度不对称性也有很大改善。本发明在研发低能耗的自旋转矩型大容量磁随机存储器MRAM方面具有重大的应用价值。

公开(公告)号：CN101393746A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810200091.8

申请日：2008-09-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 廖嘉霖 ,  魏慎金 ,  李晶 ,  金庆原

IPC: G11B5/02 ,  G11B11/105

Abstract: 本发明公开一种激光辅助纵向磁头实现垂直记录介质磁盘的动态存储方法，属于磁学、光学及信息存储技术领域。该方法基于激光诱导磁记录原理，利用纵向磁头一端的垂直磁场分量作为新的磁记录场，在约2±0.2μm直径的405nm波长激光聚焦光斑的诱导下，局部加热高速旋转的垂直记录介质磁盘，在信号写入的过程中有效降低磁记录介质的矫顽力，从而实现纵向磁头一端的垂直磁场分量对磁信息的写入。本发明提供了一种无需升级磁记录动态测试系统的情况下，实现激光辅助纵向磁头记录垂直记录介质磁盘的有效手段，可有效降低系统成本，同时提高了现有设备的利用率。

公开(公告)号：CN101271059A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810036920.3

申请日：2008-04-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 马斌 ,  顾培培 ,  张宗芝 ,  金庆原

IPC: G01N21/21 ,  G01R33/14

Abstract: 本发明属于光学技术领域，具体为一种大场纵向表面磁光克尔效应测量装置。该装置由电磁铁、程控磁铁电源、光路系统、操作控制系统(PC机)组成，其中，光路系统依次为半导体激光器、起偏棱镜、半透半反棱镜、一检偏棱镜、一光电探测器、凸透镜、样品架、光阑、另一检偏棱镜、长焦距凸透镜和另一光电探测器组成；测量用磁场由电磁铁提供，在磁极间距为4cm时能提供最大至1.5特斯拉的磁场。本发明利用一会聚凸透镜有效地增大了光在样品表面的入射角和反射角，克服了磁极间距对激光入射角的限制，增强了纵向表面磁光克尔信号强度。本发明使得通过磁光克尔效应测量大矫顽力磁性薄膜成为可能。