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公开(公告)号：CN113821111B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111008994.8
申请日：2021-08-31
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F3/033 , A63F13/214 , A63F13/24 , A61H39/04
Abstract: 本发明属于电脑输入设备技术领域，具体为一种用脚掌移动做位移量的电脑输入装置。本电脑输入装置通过检测脚底位移来记录脚底移动，包括使用脚底驱动的滚球加垂直按压，或者使用摄像头检测脚底纹路移动（类似于光学鼠标器）；脚掌的线位移通过直接接触滚球转换为角位移，再使用软质圆柱驱动的角位移编码器对角位移进行感知，或者通过使用软质圆柱驱动的微型直流电机和电学放大器转换为与角速度成正比的电压、电流信号。位移传感器与压力传感器的输出通过导线连接到单片机，进行信号处理。装置通过USB接口与电脑连接，可被电脑识别为游戏杆或者鼠标器。本电脑输入装置，可手脚并用，在电脑前工作娱乐中得到健身，并提高工作效率。
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公开(公告)号：CN113805711B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111008992.9
申请日：2021-08-31
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F3/033 , G06F3/038 , A63F13/214 , A63F13/24
Abstract: 本发明属于电子运动设备技术领域，具体为一种脚控位移输入装置。本发明通过脚掌操控输入操作，通过直流电机或圆形格栅角位移编码器实现脚底位移信号转化为电信号；最后通过USB接口将信号输入到电脑中，驱动与运动相关的程序；输入装置包括脚控位移信号传感器，其结构有两种形式：一为直流电机驱动式，包括：滚球、支撑轴承、软质圆柱、弹性薄片、固定支架、直流电机、运算放大器和单片机；另一种为角位移编码器驱动式，即将前一种位移传感器中的直流电机替换以为角位移编码器。本发明装置无需额外占地，无需安全防护装置，正常桌椅与带有USB接口的电脑就可使用。应用场景包括如2D、3D游戏，地图历经，360°VR街景体验，实景虚拟参观等。
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公开(公告)号：CN112908853B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110114036.2
申请日：2021-01-27
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08
Abstract: 本发明提供了一种GAA晶体管及其制备方法、电子设备，其中的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括交替层叠的牺牲层与硅层，其中，所述外延层中与所述衬底相接触的一层为底层牺牲层；刻蚀所述衬底与所述外延层，以形成鳍片；刻蚀所述鳍片中剩余的外延层，以在鳍片的第一侧与第二侧刻蚀出源极区域与漏极区域，其中，刻蚀的最终终点低于所述剩余的外延层中底层牺牲层的最高处，且不低于衬底与底层牺牲层的连接处；鳍片的第一侧与第二侧为鳍片一对相对的两侧；在所述源极区域制作源极，在所述漏极区域制作漏极。
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公开(公告)号：CN114203706A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111528268.9
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，使得静态随机存取存储器的存储单元结构在制造时能够使用连续的鳍式结构，无需切断鳍式结构工艺，降低了工艺风险，降低了成本，并且所述第一位线、所述第二位线、所述第一互连线、所述第二互连线、所述第一电源线和所述第二电源线平行于所述第一方向，所述字线垂直于所述第一方向，结合场效应晶体管，极大的降低了所占用的面积，提高了电路集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。
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公开(公告)号：CN113506775A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110720222.0
申请日：2021-06-28
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供了一种动态随机存取存储器，包括衬底、晶体管、介质叠层、电容器和导电柱，所述晶体管设置于所述衬底的上表面，所述介质叠层设置于所述衬底的上表面，且部分所述介质叠层包覆所述晶体管，所述导电柱设有若干个，且所述导电柱分别与所述晶体管和所述电容器电接触，所述电容器设置于所述介质叠层，且所述电容器的底部与所述衬底的上表面的最小轴向距离大于0，使得降低了半导体衬底对电容器的电学干扰，从而可以增大电容器的品质因子，减少漏电流，避免了动态随机存取存储器占据较大空间，保证了动态随机存取存储器具有较大的存储密度。本发明提供了所述动态随机存取存储器的制作方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113284806A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110538164.X
申请日：2021-05-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08
Abstract: 本发明提供了一种环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备，其中，环栅器件的源漏制备方法，包括：在基底上形成鳍片，以及横跨所述鳍片的伪栅极单元，所述鳍片包括交替层叠的预备沟道层与预备牺牲层；所述伪栅极单元的数量为多个，多个所述伪栅极单元沿所述预备沟道层的沟道方向依次分布；刻蚀掉相邻两个伪栅极单元之间的预备牺牲层部分；对相邻两个伪栅极单元之间的预备沟道层部分进行刻蚀减薄，并保留部分沟道层材料作为种子层；基于所述种子层，外延源漏的锗硅体层，并在所述锗硅体层形成源极与漏极。
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公开(公告)号：CN119233064B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411730553.2
申请日：2024-11-29
Abstract: 本发明公开了一种传感器矩阵及图像采集方法、封装结构及封装方法，涉及图像采集技术领域，包括衬底及至少一个图像采集单元，每两个相邻的图像采集单元侧面依次紧密固定连接；依次相邻焊接的图像采集单元分别固定在衬底的一侧并构成图像采集矩阵阵列；各个图像采集单元分别包括至少两个图像传感器，多个图像传感器间的排列方式与图像采集单元的排布方式相同。本发明通过在衬底上焊接固定多个矩阵阵列排布的图像传感器，能够规避传统电子器件机械运动过程中的器件磨损风险，大大降低图像传感器以及与图像传感器所连接的器件损耗，通过降低图像传感器的磨损程度，有利于提高传感器系统的使用寿命和使用可靠性。
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公开(公告)号：CN119233751B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411730551.3
申请日：2024-11-29
Abstract: 本发明提供一种高密度线性电容及其制备方法、图像传感器，包括：提供基础电容结构；在基础电容结构的顶部形成功能柱，以将基础电容结构的顶部分为第一区域和第二区域；在第一区域和第二区域中形成多层堆叠的扩展电容结构。通过在现有的基础电容结构上形成多层堆叠的扩展电容结构，从而有效增加了电容的单位面积电容容量；同时，通过形成功能柱，对扩展电容结构进行支撑，保证了扩展电容结构相对于基础电容结构的稳定性，解决了现有用于图像传感器的电容电容容量较小的问题。
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公开(公告)号：CN119217561A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411730558.5
申请日：2024-11-29
IPC: B28D5/04 , B28D7/04 , B24B27/06 , B24B41/06 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器制造装置、制造方法及图像传感器，涉及半导体制造技术领域，包括底座、线轴组件和切割线，底座的顶部固定有电机箱；线轴组件包括分别与电机箱输出端连接的放线轴、驱动轴、张紧结构、辅助轴和收线轴；线轴组件还包括导向轴，导向轴的底部焊接有能够使切割线的缠绕方向发生变化的转向部件；切割线绕经导向轴与辅助轴之间时形成水平切割段和倾斜切割段。本发明能够同时得到多个厚度连续增加的晶柱块，并能减少晶圆受到外力的影响程度，防止晶圆进行后端工艺的加工过程中晶圆发生折断或边缘翘曲的现象，有利于减小晶圆后端工艺的处理难度，保证晶圆出厂的良品率。
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公开(公告)号：CN118695126A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410738642.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种面阵传感器及其信号读出方法，包括：像素模块，包括多个呈阵列排布的像素单元；驱动模块，用于利用输出的选通信号控制所述像素模块中所述像素单元的读出；配置模块，用于根据预设的配置条件发送使能信号至所述驱动模块，以控制所述驱动模块选择读出的像素单元。通过配置模块根据配置条件发送使能信号，并通过驱动模块根据使能信号生成选通信号来控制像素单元的读出，使得无需读出的像素单元不会输出模拟信号，即能够只对感兴趣区域的像素单元的模拟信号进行读出，提高了图像处理效率，进而能够满足图像处理需求，解决了现有面阵传感器无法满足图像高速处理需求的问题。
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