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公开(公告)号：CN109580693A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811426330.1
申请日：2018-11-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种红外显微成像系统，包括：沿成像光路依次设置的样品台、显微成像模块及探测模块；所述样品台设置于显微成像模块的一侧，适于放置待测样品；显微成像模块适于根据接收的待测样品辐射的红外信号进行显微成像；探测模块，设置于显微成像模块的另一侧，适于接收和检测显微成像模块成像的红外信号；其中样品台、显微成像模块和探测模块均处于封闭环境中，所述封闭环境包括一个或多个低温区域，样品台、显微成像模块、和探测模块处于同一个或者不同的低温区域，显微成像模块、探测模块以及低温区域的温度均低于室温。所述红外显微成像系统能降低室温黑体辐射背景，突破传统红外成像技术中室温元件引起的系统性能极限，具有普适性价值。
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公开(公告)号：CN109580693B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201811426330.1
申请日：2018-11-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种红外显微成像系统，包括：沿成像光路依次设置的样品台、显微成像模块及探测模块；所述样品台设置于显微成像模块的一侧，适于放置待测样品；显微成像模块适于根据接收的待测样品辐射的红外信号进行显微成像；探测模块，设置于显微成像模块的另一侧，适于接收和检测显微成像模块成像的红外信号；其中样品台、显微成像模块和探测模块均处于封闭环境中，所述封闭环境包括一个或多个低温区域，样品台、显微成像模块、和探测模块处于同一个或者不同的低温区域，显微成像模块、探测模块以及低温区域的温度均低于室温。所述红外显微成像系统能降低室温黑体辐射背景，突破传统红外成像技术中室温元件引起的系统性能极限，具有普适性价值。
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公开(公告)号：CN103022343B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210487938.1
申请日：2012-11-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L43/08
Abstract: 本发明属于自旋电子技术领域，具体为一种基于表面等离子体的自旋整流器件。该自旋整流器件结构包括：附在绝缘衬底上的金属结构，该金属结构包括两个背靠背的类似C字形结构组成，背靠背部形成金属条。两个类似C字形结构共有4个末端。当具有合适频率的入射光垂直或倾斜于金属结构所在的平面照射到金属结构上时，入射光与表面等离子体结构发生共振，此时在金属条周围产生增强的磁场，在4个末端所围的区域及邻近的上下两侧产生增强的电场。增强的电场主要是平行于金属条的；增强的磁场是环绕金属条的，而且离金属条越近磁场越强。因此在4个末端所围的区域及邻近的上下两侧，可以得到增强的电场和磁场。此增强的电磁场和外加恒定磁场H的共同作用下，在磁性薄膜（112）上得到增强的自旋整流效应。
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公开(公告)号：CN102709346A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210151113.2
申请日：2012-05-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/0232
Abstract: 本发明属于光波探测器技术领域，具体涉及一种半导体量子阱光探测器件。该探测器包括半导体层、量子阱层和一层亚波长周期性结构的金属膜；量子阱中至少具有两个能级，并具有一定的载流子浓度。一定频谱宽度入射光波垂直或倾斜于半导体层入射，入射光波激发周期性结构的金属膜/量子阱界面的表面等离子体，表面等离子体被半导体量子阱吸收并发生电子子带跃迁过程，跃迁的电子在外加偏压下形成电流信号。本发明中的半导体量子阱光探测器件，其探测效率可大幅度提高。
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公开(公告)号：CN101299445B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810039212.5
申请日：2008-06-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/111
CPC classification number: H01L31/035209 , H01L31/02327 , H01L31/112
Abstract: 本发明属于光探测技术领域，具体为一种半导体量子阱光子探测器。该探测器包括一半导体层，在该半导体层一侧表面附近有量子阱层，该量子阱层中具有一定的载流子浓度，并至少具有两个能级；一金属层，在半导体一侧表面上，该金属层中具有亚波长孔周期性结构；一入射光波，在垂直于半导体一侧表面和量子阱层的方向上，从金属层正面或半导体层的另一侧表面入射，并最终被量子阱层所吸收。本发明利用金属亚波长周期性结构进行光耦合，实现量子阱结构对垂直入射光的有效吸收；同时将半导体能带工程技术与金属周期性结构的表面等离子体技术相结合，实现耦合方式的方便调谐和在很宽波长范围内的半导体量子阱光波探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114203837B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202111332599.5
申请日：2021-11-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/112
Abstract: 本发明涉及一种光子筛选型太赫兹光晶体管及其多光子探测方法，包括由上至下依次相对设置的耦合光栅层、光敏浮栅层和沟道层，耦合光栅层包括多个用于耦合增强不同目标太赫兹光子的子光栅，光敏浮栅层用于对应吸收经子光栅结构耦合增强后的光子，以改变电化学势、进而改变沟道层的电导，沟道层的一端连接至源极，沟道层的另一端连接至漏极。其中，耦合光栅层将不同太赫兹光子在其超元胞周期内空间上筛选区分，进而耦合到对应的太赫兹光敏浮栅区域，不同光子对应的光信号则根据光晶体管的源漏电流中读取出。与现有技术相比，本发明能够突破对每种单一光子探测效率小于1/n的极限，实现多光子同步高灵敏检测的目的。
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公开(公告)号：CN105895675A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610401143.2
申请日：2016-06-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/66
CPC classification number: H01L29/66984
Abstract: 本发明属于自旋电子技术领域，具体为一种基于超材料的自旋电子学器件。本发明自旋电子学器件是由磁性金属材料和非磁性金属材料组合而成的复合超材料体系，其上层为两个类似开口谐振环结构背靠背组成的金属结构，该金属结构单元周期性的附在绝缘衬底上，其尺寸是亚波长量级，下层为周期性金属长条以及宽度渐变的长条，在金属长条最窄处有磁性金属薄膜。非磁性金属材料的结构共振可以将电磁波最大效率地集中在结构内部，即完美吸收模式；同时，利用铁磁材料中电子自旋进动与电荷电流的非线性耦合产生的自旋整流效应，吸收电磁波从而产生直流电压信号。因此将磁性金属材料置于体系中电磁场以及电流最强的位置，吸收因结构共振产生的电磁波，产生可以利用的直流电压。
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公开(公告)号：CN105304755A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510715266.9
申请日：2015-10-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/101
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/035236 , H01L31/101
Abstract: 本发明属于光波探测技术领域，具体为一种电学调控增强半导体量子阱红外光探测器响应率的方法。所述探测器包含两层量子阱材料，其中一层较薄靠近表面的量子阱中有两个能级，为吸光区域，另一层较厚量子阱在下方，通过感应吸光区域电荷变化来进行光探测。两层量子阱夹层的能带结构通过掺杂不同浓度粒子的方式形成势能渐变层，由上层到下层势能缓变降低。该器件通过在重置光栅上施加脉冲来实现器件的重置。本发明通过在耦合光栅施加一种与重置脉冲相配合的脉冲波，来动态调控上层量子阱的能带变化，以此增强探测器的光响应率。
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公开(公告)号：CN103022343A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210487938.1
申请日：2012-11-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L43/08
Abstract: 本发明属于自旋电子技术领域，具体为一种基于表面等离子体的自旋整流器件。该自旋整流器件结构包括：附在绝缘衬底上的金属结构，该金属结构包括两个背靠背的类似C字形结构组成，背靠背部形成金属条。两个类似C字形结构共有4个末端。当具有合适频率的入射光垂直或倾斜于金属结构所在的平面照射到金属结构上时，入射光与表面等离子体结构发生共振，此时在金属条周围产生增强的磁场，在4个末端所围的区域及邻近的上下两侧产生增强的电场。增强的电场主要是平行于金属条的；增强的磁场是环绕金属条的，而且离金属条越近磁场越强。因此在4个末端所围的区域及邻近的上下两侧，可以得到增强的电场和磁场。此增强的电磁场和外加恒定磁场H的共同作用下，在磁性薄膜（112）上得到增强的自旋整流效应。
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公开(公告)号：CN101299445A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810039212.5
申请日：2008-06-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/111
CPC classification number: H01L31/035209 , H01L31/02327 , H01L31/112
Abstract: 本发明属于光探测技术领域，具体为一种半导体量子阱光子探测器。该探测器包括一半导体层，在该半导体层一侧表面附近有量子阱层，该量子阱层中具有一定的载流子浓度，并至少具有两个能级；一金属层，在半导体一侧表面上，该金属层中具有亚波长孔周期性结构；一入射光波，在垂直于半导体一侧表面和量子阱层的方向上，从金属层正面或半导体层的另一侧表面入射，并最终被量子阱层所吸收。本发明利用金属亚波长周期性结构进行光耦合，实现量子阱结构对垂直入射光的有效吸收；同时将半导体能带工程技术与金属周期性结构的表面等离子体技术相结合，实现耦合方式的方便调谐和在很宽波长范围内的半导体量子阱光波探测。
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