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公开(公告)号：CN1263569A
公开(公告)日：2000-08-16
申请号：CN98807069.3
申请日：1998-07-14
Applicant: 塞姆特里克斯公司
Inventor： 卡洛斯·A·帕兹德阿罗 , 拉里·D·麦克米伦 , 纳拉严·索拉亚攀 , 杰弗里·W·培根
IPC: C23C16/44 , C23C16/40 , H01L21/314
CPC classification number: C23C16/45565 , B05D1/007 , B05D1/04 , C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/45561 , C23C18/12 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 一文丘里雾发生器(141、142、143、16)从一含有有机金属化合物的液态前体生成雾,其中的雾滴的直径小于1μm。雾混合后送入一气化器(160),在该气化器中雾滴在低于该前体化合物发生分解的温度的100℃—250℃下气化。气化前体化合物在绝热管道(161、168)中在室温下由载气传送,以防止凝结和过早分解。由气化前体与氧化剂气体混合成的气态反应混合物从一喷头(184)喷入一沉积反应器中,该沉积反应器中有一加热到300℃—600℃的基片(185)。该气化前体在基片(185)上分解而在基片上生成一固体材料薄膜(860)。该薄膜(860)经500℃—900℃的高温处理,生成多晶金属氧化物材料、特别是铁电分层超点阵材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1237618C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN00802711.0
申请日：2000-01-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/92 , H01L21/8247 , H01L21/316
Abstract: 一种涂层，将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122)，在氧环境中不超过300℃的温度下，在热板上烘焙5分钟，然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时，以便形成厚度不超过90nm的层状超晶格材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128)，和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是钽酸锶铋，母体包含u摩尔当量的锶，v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽，其中0.8≤u≤1.0，2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。
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公开(公告)号：CN1236452C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN01816271.1
申请日：2001-09-25
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电存储器(636)，包括一组存储器单元(645，12，201，301，401，501)，每个单元具有一铁电存储器元件(44，218)，一驱动线，其上置放有写入信息至存储器单元群组的电压；一位元线(25，49，125)，(325，425，525)，其上置放有欲自存储器单元组读出的信息，一前置放大器(20，42，120，320，420)，在存储器单元及位元线之间，一设定开关(14，114，314，414，514)，连接于驱动线及存储器单元之间，一重设开关(16，116，316，416，516)，连接于与前置放大器并联的存储器单元。存储器是藉由横跨存储器元件置放一小于铁电存储器元件的矫顽电压的电压而被读取。在读取之前，自单元群组的噪声是藉由使铁电存储器元件的两个电极接地而排放。
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公开(公告)号：CN1337068A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN00802711.0
申请日：2000-01-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/92 , H01L21/8247 , H01L21/316
Abstract: 一种涂层,将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122),在氧环境中不超过300℃的温度下,在热板上烘焙5分钟,然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时,以便形成厚度不超过90nm的层状超点阵材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128),和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是锶铋钽,母体包含u摩尔当量的锶,v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽,其中0.8≤u≤1.0,2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。
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公开(公告)号：CN1252779A
公开(公告)日：2000-05-10
申请号：CN98804185.5
申请日：1998-03-12
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电子工业株式会社
CPC classification number: H01J9/20 , C03C17/25 , C03C2217/228 , C03C2218/11 , H01J2209/012 , H01J2211/40
Abstract: 提出一种在等离子体显示器(100)上制造氧化镁层(122)的新方法(P200)。将羧化镁液态前体溶液加在显示面板(102)上,进行干燥退火处理,形成一层具有很好的光电性能的固体氧化镁层。
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公开(公告)号：CN1180447A
公开(公告)日：1998-04-29
申请号：CN97190141.4
申请日：1997-03-04
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电子工业株式会社
Inventor： 林慎一郎 , 拉里·D·麦克米伦 , 吾妻正道 , 卡洛斯·A·帕斯·得阿劳霍
IPC: H01L21/3205
Abstract: 将液体底层涂料雾化并使其流入到沉积室(2)中并沉积在衬底(5)上。将液体前体(64)雾化,使其流入到沉积室(2)中并沉积在衬底(5)上。该底层涂料及前体被干燥并形成固体薄膜,然后该薄膜被退火并形成一集成电路(1110)中电子元件(1112)的一部分,例如另一存储器单元中的电介质。底层涂料是一种溶剂,及前体包括前体溶剂中的金属羧酸盐,金属醇盐或金属烷氧基羧酸盐。最好,底层涂料及前体的溶剂是相同的溶剂,如2－甲氧基乙醇、二甲苯类,n－乙酸丁酯及六甲基－二硅氧烷。
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