公开(公告)号：CN101627459B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200880006286.7

申请日：2008-02-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 畠中正信 ,  津曲加奈子 ,  石川道夫

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  Y10T29/49146 ,  Y10T29/49162

Abstract: 一种改进金属保护层可靠性和生产率的半导体器件制造方法，该方法包括将绝缘层(11)叠加在包括元件区(2b)的半导体基板(2)上的绝缘层步骤，在所述绝缘层(11)中形成凹槽(12)的凹槽步骤，将金属层(13)嵌入到所述凹槽(12)中的金属层步骤，将所述绝缘层(11)的表面和所述金属层(13)的表面平坦化以使两者彼此基本平齐的平坦化步骤，以及在平坦化步骤之后，在所述绝缘层(11)的所述表面和所述金属层(13)的所述表面上形成至少包含锆元素和氮元素的金属保护层(16)的金属保护层步骤。

公开(公告)号：CN101115860A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200680004400.3

申请日：2006-03-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 畠中正信 ,  高桥善和 ,  石川道夫 ,  中村文生

IPC: C23C14/12 ,  C23C16/44 ,  C08G73/10

CPC classification number: C23C16/4402 ,  B05D1/60 ,  B05D7/22

Abstract: 本发明提供一种对形状复杂的内部通路可容易地形成树脂被膜的真空部件制造方法及树脂被膜形成装置。本发明涉及的树脂被膜形成装置(21)，具有：单体蒸气的供给部(23)、输送单体蒸气的真空排气管线(24)、与真空排气管线(24)的一部分上设置的真空部件(22A)的内部通路可连接的连接部(24C)、在与该连接部(24C)连接的真空部件(22A)的内部通路上使上述单体蒸气附着、形成树脂被膜的部件温度调节机构(31)。通过该构成，仅通过将真空部件(22A)的内部通路暴露于单体蒸气中，就可在该内部通路上以均匀而且高的被覆性形成树脂被膜。