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公开(公告)号：CN114586145A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202080071173.6
申请日：2020-09-22
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 久田隆史 , 青木丰广 , 中村英司
IPC: H01L23/00
Abstract: 公开了一种凸起结构的制造技术。制备包括形成在其表面上的衬垫的组的衬底，衬垫包括第一导电材料。在每个衬垫上涂覆金属粘合层。通过使用模制层烧结导电颗粒来在每个衬垫上形成凸起基底，导电颗粒包括与所述第一导电材料不同的第二导电材料。
