公开(公告)号：CN108896803A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810510171.7

申请日：2018-05-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  王璐 ,  叶雪荣 ,  吕明东 ,  于松民

IPC: G01R11/185 ,  G01R11/17

Abstract: 本发明公开了一种基于温度补偿的电能表计量精度优化方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、热仿真建模；步骤二、近似建模；步骤三、计量模块建模；步骤四、温度补偿。本发明基于温度补偿的电能表计量精度优化方法填补了已有补偿方法没有考虑到温度变化影响采样电阻、参考电压进而导致计量误差的空白，对电能表在全温度下的计量一致性做出了优化。本发明用于在智能电能表产品的设计阶段，根据产品可能的温度运行环境，利用温度仿真和近似建模，通过理论计算，得到能够实现智能电能表在全温度环境下运行的计量功率一致性优化的方法。

公开(公告)号：CN107102230A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710386328.5

申请日：2017-05-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  吕明东 ,  郑博恺 ,  廖晓宇 ,  王汉 ,  翟国富

IPC: G01R31/00

CPC classification number: G01R31/003

Abstract: 本发明提供一种针对密封电子模块的耐环境可靠性分析方法，包括以下步骤：S1：向所述密封电子模块施加随机振动应力，激发所述密封电子模块在振动应力下可能出现的故障模式；S2：监视所述密封电子模块受到的振动应力的分布情况，寻找所述密封电子模块的力学薄弱点，分析故障原因；S3：依据所述密封电子模块的随机振动应力确定其应力集中的区域，针对所述区域进行Saber电路仿真分析，以确定故障发生的具体位置；S4：采用故障注入试验的方法验证上述仿真分析的正确性；S5：完成针对所述密封电子模块的耐环境可靠性分析。

公开(公告)号：CN104849645A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510309286.6

申请日：2015-06-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  王一行 ,  陈岑 ,  孙博 ,  吕明东 ,  徐军忠 ,  翟国富

IPC: G01R31/27

Abstract: 基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法及采用该方法的MOSFET剩余寿命预测方法，涉及半导体退化评估及寿命预测领域。解决了无法实时在线评估MOSFET退化状态的问题，同时满足了对MOSFET的剩余寿命预测方法的需求。基于米勒平台电压的以MOSFET开通波形中的米勒平台电压作为敏感特征参数的评估方法：将MOSFET的米勒平台电压作为评估器件退化状态的参数。采用基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法获得MOSFET退化模型，再利用粒子滤波算法对MOSFET退化模型的参数进行修正与更新，并得到新的MOSFET退化模型，从而获得MOSFET当前状态距失效阈值的时间差，实现对MOSFET的剩余寿命预测。本发明适用于半导体的退化评估及寿命预测。