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公开(公告)号：CN105552038B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201510960406.9
申请日：2015-12-18
IPC: H01L23/10 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种大功率压接式IGBT器件，包括管壳和同轴安装在所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上安装有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块，所述下端金属电极的内侧面上垂直安装有将所述下端金属电极的内侧面分隔成四个区域的十字形硅钢片组；所述凸台分布在所述四个区域内；所述十字形硅钢片组外部为绝缘框架。本发明提供的技术方案将大量的凸台进行分割，降低了凸台在通过瞬态电流时，所产生磁场的相互影响，从而实现了局部区域内凸台之间杂散电感的最小化，提高了器件的使用性能。
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公开(公告)号：CN104966704B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201510436088.6
申请日：2015-07-23
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供了一种低热阻的压接式功率器件封装，包括上钼片、功率器件的芯片和弹簧探针，以及依次叠层布置的上端盖、液态金属导热片、PCB板、框架和下管壳；框架上设置有第一定位孔和第二定位孔；第一定位孔用于固定上钼片，第二定位孔用于固定弹簧探针；液态金属导热片敷设在上钼片的上表面；功率器件的芯片设置在上钼片和下管壳之间。与现有技术相比，本发明提供的一种低热阻的压接式功率器件封装，减少了纵向的叠层结构和横向热阻，使得温度分布均匀化，降低了功率器件封装的最高温度。
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公开(公告)号：CN108231703A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711307492.9
申请日：2017-12-11
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/522 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供一种功率器件模组及其制备方法，该功率器件模组包括：功率芯片、第一金属膜及第二金属膜，第一金属膜与第二金属膜分别设置于功率芯片的上表面和下表面，解决了现有压接型功率器件接触热阻和接触电阻较高，从而导致功率器件散热性不佳的问题，减少了功率器件模组早期失效的现象。
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公开(公告)号：CN107845617A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710846539.2
申请日：2017-09-19
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L23/488 , H01L25/16 , H01L21/603
CPC classification number: H01L25/165 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L25/162 , H01L2224/2918 , H01L2224/83203
Abstract: 本发明公开了一种芯片烧结品、子单元、IGBT封装模块及制备方法。该芯片烧结品包括第一钼片和第二钼片以及设置于两者间的芯片，第一钼片和第二钼片中至少一个为预制钼片，预制钼片为表面设置预制纳米银膜的钼片，且芯片中至少一面与预制纳米银膜相接触，通过采用预制纳米银膜能有效提高后续加压烧结过程中纳米银颗粒的分布均匀性，避免“咖啡环效应”，降低了热阻。同时保证由其烧结得到的烧结层中分布均匀的纳米级孔洞，通过这些纳米级孔洞能有效降低芯片和钼片间产生的应力，提高芯片烧结品的剪切强度。采用该芯片烧结品的单元和IGBT封装模块具有低的热阻、高的剪切强度，由预制纳米银膜烧结得到的烧结层致密性高，且分布纳米级孔洞。
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公开(公告)号：CN107656180A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710875826.6
申请日：2017-09-25
Applicant: 国网黑龙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网公司
CPC classification number: G01R31/1227 , G01S5/02
Abstract: 本发明公开了一种局部放电智能传感器检测方法，为了解决高压电力设备运行过程中发生的局部放电缺陷。构建了一个基于信号幅值强度分布的定位算法的无线传感网络，可用于多种场合的电力设备局部放电在线检测系统。主要包括超高频智能传感器、无线传感网络和便携式数据分析单元组成。整个电力设备系统可采用多个智能传感器，用于检测局部放电产生的电磁信号，多个智能传感器通过无线技术组成智能网络，通过无线网络实现数据的传输及共享，结合新型幅值强度定位方法，通过数据分析单元对多个智能传感器获得的超高频电磁信号进行融合处理分析，给出缺陷定位和诊断结论。本发明适用于高压设备的故障诊断。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103545269B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310341881.9
申请日：2013-08-07
Abstract: 本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种大功率压接式IGBT封装模块。上端盖子、子模块、门极针、下端底座，上端盖子盖于下端底座上，所述子模块设置于上端盖子和下端底座之间，所述门极针设置于下端底座中绝缘底板的凹槽内。所述子模块包括顶部钼片、芯片、底部钼片、导电银片和PBI高性能塑料框架，在所述PBI高性能塑料框架的槽面内顶部钼片、芯片、底部钼片和导电银片自上到下依次压接，所述顶部钼片的上表面与上端盖子的下表面电极接触，所述子模块里导电银片的下表面与下端底座中凸台的上表面压接。本发明具有制作和装配更加简便、连接的可靠性更好、散热性能更好等优点。
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公开(公告)号：CN103515365B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310478518.1
申请日：2013-10-14
IPC: H01L25/07 , H01L23/13 , H01L23/492 , H01L25/00 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种大功率压接式IGBT器件。IGBT器件为圆柱体或矩形体，所述IGBT器件包括管壳以及设置在管壳上下两端的两个功率电极，上功率电极为平板结构，下功率电极其中一面分布凸台阵列。器件内部在每个凸台上会设置子模组，子模组分为IGBT子模组和FWD子模组两类。IGBT和FWD子模组均包括功率芯片、多片金属垫片和绝缘框架；功率芯片包括IGBT芯片和FWD芯片两组。子模组中的IGBT芯片和FWD芯片均为厚度100-1000微米的矩形硅片。压接IGBT器件内部无任何焊点。在实际应用时，依靠器件外部施加的数十牛压力实现芯片和上下功率电极的良好连接，提高了器件可靠性，降低了工艺复杂度。
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公开(公告)号：CN103400831B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310308903.1
申请日：2013-07-22
Abstract: 本发明涉及电力半导体器件技术领域的功率器件及其装配方法，具体涉及一种全压接IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块及其装配方法。该IGBT模块包括至少一个IGBT组件、至少一个二极管芯片组件和PCB板，所述至少一个IGBT组件、至少一个二极管芯片组件均被压接在PCB板上对应的孔位内，所述PCB板通过PCB板定位块定位，设置于上、下端盖之间；IGBT封装结构为至少一层IGBT组件和二极管组件组合的叠层结构。本发明不用加工凸出电极群，降低加工量，提升加工效率，降低新产品设计成本，同时可降低模块尺寸及重量；整体结构更加简单紧凑、制作和装配更加简便、连接的可靠性更好、散热性能更好。
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公开(公告)号：CN105355614A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510835539.3
申请日：2015-11-26
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种预封装单芯片及其制备工艺，所述预封装单芯片包括外壳，位于芯片两面的大小钼片，其侧面的键和线以及引脚，所述的预封装单芯片的制备工艺包括如下步骤：1)以烧结或焊接方式将芯片与两面分别设置的大小钼片连接；2)芯片的栅极和发射极上分别设置与引脚对应连接的键合线；3)封装。本发明的预封装单芯片可以方便地进行性能测试，避免了环境对芯片造成的污染和损坏，且不会对其性能造成影响，经测试合格的预封装芯片可直接采用压接或焊接的方式组装为大功率器件，便于标准化生产。
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公开(公告)号：CN104183556A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201310195328.9
申请日：2013-05-23
IPC: H01L23/16 , H01L23/48 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种新型全压接式封装的绝缘栅双极晶体管器件。该器件包括芯片（1）、与所述芯片（1）轴向垂直、依次对称设置在芯片（1）上下的辅助件（2）和接触电极（3）；对称接触电极（3）通过外壳（4）相互连接，所述辅助件（2）上设有金属盖（5）。该器件通过所述金属盖（5）可以消除全压接式器件长期使用存在的结构隐患，提高了器件的可靠性。
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