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公开(公告)号:CN115108826A
公开(公告)日:2022-09-27
申请号:CN202210896622.1
申请日:2022-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 一种低电场驱动高储能密度和超快放电速率的弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法,涉及弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法。解决现有技术下BNT基弛豫铁电陶瓷需要高驱动电场才能获得高的有效储能密度,同时其他高储能性能难以兼顾的问题。材料的化学通式为(Bi0.5Na0.5)(1‑x)SrxTi(1‑y)(M,N)yO3,在驱动电场低于250kV/cm的条件下,获得高于3.7J/cm3的有效储能密度,储能效率在80%以上,在温度为20℃~140℃和频率为0.2Hz~200Hz之间,有效储能密度变化率不超过9%,最大放电密度释放90%的时间小于65ns。方法:一、基体细粉制备;二、流延膜片制备;三、储能陶瓷制备。
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公开(公告)号:CN110668493B
公开(公告)日:2020-09-01
申请号:CN201911144123.1
申请日:2019-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 一种纳微米级钛酸铋钠基低维晶体,本发明涉及低维晶体及其制备方法。本发明解决现有技术所制备的Na0.5Bi0.5TiO3基片状晶体多为纯Na0.5Bi0.5TiO3一元体系,且由于形貌调控难导致粒径尺寸大、粒径尺寸分布宽和分散性差的问题。纳微米级钛酸铋钠基低维晶体的化学通式为(1‑x‑y)Na0.5Bi0.5TiO3‑xK0.5Bi0.5TiO3‑yAETiO3;方法:一、熔盐法制备粒径均一的片状Na0.5Bi4.5Ti4O15前驱体晶体;二、局部化学微晶转化法制备钙钛矿结构目标产物。
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公开(公告)号:CN110668493A
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201911144123.1
申请日:2019-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 一种纳微米级钛酸铋钠基低维晶体及其制备方法,本发明涉及低维晶体及其制备方法。本发明解决现有技术所制备的Na0.5Bi0.5TiO3基片状晶体多为纯Na0.5Bi0.5TiO3一元体系,且由于形貌调控难导致粒径尺寸大、粒径尺寸分布宽和分散性差的问题。纳微米级钛酸铋钠基低维晶体的化学通式为(1-x-y)Na0.5Bi0.5TiO3-xK0.5Bi0.5TiO3-yAETiO3;方法:一、熔盐法制备粒径均一的片状Na0.5Bi4.5Ti4O15前驱体晶体;二、局部化学微晶转化法制备钙钛矿结构目标产物。
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