公开(公告)号：CN113371233B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202110864829.6

申请日：2021-07-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 蒋文嘉 ,  刘辉 ,  扈延林 ,  韩亮 ,  毛威 ,  魏立秋 ,  于达仁

IPC: B64G1/40

Abstract: 本发明涉及一种阳极结构及会切场切推力器。所述阳极包括：阳极主体和贯穿通道，所述贯穿通道贯穿所述阳极主体，所述贯穿通道用于输入待电离的工质。本发明可提高会切场推力器轴线处的电子能量的利用率。

公开(公告)号：CN110006776A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910298067.0

申请日：2019-04-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 段小明 ,  邱宝付 ,  毛威 ,  扈延林 ,  沈岩 ,  丁永杰 ,  宁中喜 ,  于达仁 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: G01N5/04 ,  G01N23/2251 ,  G01N23/2273 ,  G01B11/30

Abstract: 一种针对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的评价方法，本发明涉及陶瓷材料抗溅射性能的评价方法。解决现有缺少对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的筛选与评价方法的问题。方法：一、将霍尔电推进器通道所用的陶瓷材料加工，得到试样；二、将试样置于靶台上，设定离子束流与试样法向夹角、离子源与试样的距离及靶台转速；三、抽真空，通入气体工质，调整气体工质；四、启动离子源，依次设定离子能量、阳极电压及加速电压，设定离子束流及电子束流，进行溅射试验，得到溅射后的试样；五、计算溅射速率v及溅射产额Y，分析溅射后的试样表面粗糙度、价键组成、元素含量及表面形貌。本发明用于针对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的评价。

公开(公告)号：CN109630369A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201910026143.2

申请日：2019-01-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 魏立秋 ,  丁永杰 ,  李鸿 ,  扈延林 ,  毛威 ,  于达仁

IPC: F03H1/00

Abstract: 本发明提供一种射频离子推力器及脉冲产生方法，涉及离子推力器技术领域。射频离子推力器包括电离室、二极管、脉冲电压电路和低压放电电源；在射频离子推力器屏栅和加速栅之间引入脉冲工作的电压，利用脉冲电压引出离子，进而产生推力，通过调整占空比在不改变现有射频离子推力器结构的情况下，实现更小的平均输出推力。本发明的射频离子推力器及脉冲产生方法可以有效扩展现有射频离子体推力器的推力输出下边界，在不改变现有射频离子推力器结构和尺寸的情况下，实现更小的平均输出推力，同时避免实现微小推力输出时需要高压加速电源增大推力器尺寸的问题。

公开(公告)号：CN106382195A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201611103276.8

申请日：2016-12-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘辉 ,  蒋文嘉 ,  毛威 ,  扈延林 ,  于达仁

IPC: F03H1/00

CPC classification number: F03H1/0075

Abstract: 会切场-霍尔组合型推力器，属于航天技术和低温等离子体技术领域，本发明为解决现有会切场推力器难以满足技术要求的问题。本发明在屏蔽罩中同时设置会切场推力单元和霍尔推力单元，屏蔽罩为向上开口的桶状结构，在屏蔽罩的中心位置设置会切场推力单元，霍尔推力单元设置在会切场推力单元的外部；会切场推力单元包括一号会切场永磁铁、二号会切场永磁铁、会切场陶瓷通道、导磁环和三号会切场永磁铁；本发明充分利用会切场的强磁场、霍尔推力器圆环形结构内部空间以及提高会切场推力器的效率。