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公开(公告)号:CN118084472B
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202410305512.2
申请日:2024-03-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种Y型六角铁氧体磁电耦合陶瓷材料及其制备方法;属于磁电耦合材料领域。本发明是要解决现有的多铁材料兼具铁电性和铁磁性种类少并且磁电耦合强度低的问题。本发明的Y型六角铁氧体的化学式为:BaxSr2‑xCo1.5Cu0.5Fe11AlO22,其中x=0~2;在氧气气氛下采用分阶段烧结的方法制备。本发明的Y型六角铁氧体兼具铁电性和铁磁性同时具有强的磁电耦合性能。本发明产品可以实现外加的小的磁场条件下诱导出样品的电极化性能。并且样品的极化可以被预极化电场和磁场扫场方向的改变而调控,可应用于磁电耦合领域。本发明丰富和拓宽了磁电材料的应用范围,具有潜在的应用优势。
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公开(公告)号:CN116003128B
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN202310060854.8
申请日:2023-01-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 一种具有超高储能效率的KNN基无铅铁电储能陶瓷材料及其制备方法,它涉及无铅铁电储能陶瓷材料及其制备方法,它是要解决现有的高储能效率铁电储能陶瓷储能效率低、能源利用率低的技术问题。本材料为(1‑x)[0.88K0.5Na0.5NbO3‑0.12Bi(Ni2/3Ta1/3)O3]‑xBi0.5Na0.5TiO3,x=0.20~0.25。制法:按化学计量比称取原料并球磨混合,再预烧、球磨压片、排胶后烧结即得。对材料施加外加电场,材料铁电畴翻转响应迅速,极化滞后大大减弱,电滞回线表现为细长型,储能效率为98.17%~99.32%,有效储能密度达到0.804~1.032J/cm3,可用于电介质储能领域。
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公开(公告)号:CN116315712A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310253287.8
申请日:2023-03-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种柔性羰基铁倒金字塔超材料薄膜的制备方法和应用,它涉及电磁吸收超材料的制备方法和应用。它是要解决现有超材料加工后功能固定、在固定薄厚度下吸收频带窄的技术问题,本方法:将羰基铁粉末、邻苯二甲酸二丁酯和磷酸三丁酯加入到PVB粘结剂中制备浆料;再将浆料在玻璃基板上流延、干燥,得到流延膜;将流延膜叠层后雕刻周期性单元,再叠层将周期性单元组装成倒金字塔结构,得到超材料薄膜。将约2mm的薄膜直接贴合在金属板上制成电磁吸收平板构件,其吸收带宽覆盖约12.4GHz‑18.5GHz;将薄膜弯曲覆盖在金属板上并留有厚度可调节的空气层,实现约在6.8GHz、14.5GHz的双频吸收,该多功能薄膜可用于吸波领域。
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公开(公告)号:CN114890780B
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202210354063.1
申请日:2022-04-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01F1/03 , H01F41/02
Abstract: 一种Y型六角铁氧体磁电耦合陶瓷材料及其制备方法,它涉及磁电耦合材料领域。它是要解决现有的多铁材料兼具铁电性和铁磁性种类少并且磁电耦合强度低的问题。本发明的陶瓷材料的化学表达式为BaSrCo2‑xCuxFe11AlO22,x=0.3~0.9。制法:按化学计量比称取原料并球磨混合,再预烧,预烧粉再球磨后压片、排胶,得到排胶坯体;排胶坯体在管式炉的氧气气氛中烧结,得到Y型六角铁氧体磁电耦合陶瓷材料。该材料具有良好的磁电耦合性能,其中BaSrCo1.5Cu0.5Fe11AlO22的磁释电电流为20uA/m2,最大极化强度为35uC/m2,最大磁电耦合系数为4496ps/m。可用于磁电耦合领域。
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公开(公告)号:CN113150376A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN202110410683.8
申请日:2021-04-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种双层超宽带薄型吸波超材料的仿真及制备方法;属于宽带薄型吸波超材料技术领域。本发明要解决现有的吸波超材料中有效吸收带宽窄及材料厚度较大的技术问题。本发明方法:配置PVA水溶液,加入石墨烯,得到悬浊液;填充上下层模具中;复合在一起得到双层超宽带薄型吸波超材料;测试双层超宽带薄型吸波超材料的吸波性能,得到反射损耗曲线,并与CST Studio Suite的仿真结果进行比较,验证其超宽带的微波有效吸收效果。本发明的制备方法简单,制备效率高,有效吸收带宽宽,不使用专用设备,可实现工业化大规模生产,具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN111517788A
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:CN202010428069.X
申请日:2020-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 一种具有高剩余极化强度的铌酸钾钠陶瓷材料的制备方法,它涉及提高K0.5Na0.5NbO3陶瓷剩余极化强度的制备方法。它是要解决现有无铅K0.5Na0.5NbO3陶瓷剩余极化强度低的技术问题。本方法:烘干之后的碳酸钾和碳酸钠粉末与五氧化二铌粉末混合后湿法球磨,烘干后放在管式炉预烧,然后再湿法球磨,烘干后在氧气气氛下放入热压炉中进行高温高压烧结,将热压烧结得到的陶瓷切片放入管式炉中进行氧气退火,可得到具有高剩余极化强度的K0.5Na0.5NbO3陶瓷。该陶瓷的剩余极化强度为24~27μC/cm2,是利用传统固相方法制备的K0.5Na0.5NbO3陶瓷的1.6~2.7倍,可用于电气、电子领域。
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公开(公告)号:CN107473744B
公开(公告)日:2020-07-17
申请号:CN201710846011.5
申请日:2017-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种钛酸钡基陶瓷材料中类圆形晶粒与高长径比棒状晶粒比例的气氛调节方法,它涉及钛酸钡基陶瓷材料的制备方法。它是要解决陶瓷材料中棒状晶粒长径比低并且棒状晶粒比例难以调节的技术问题。本制法:将碳酸钡、碳酸钙、二氧化钛、三氧化二铁、五氧化二钽和二氧化锆按照0.2Ba(Zr0.2Ti0.8)O3–0.8Ba0.7Ca0.3FeTaO5的化学计量比混匀,粉末混合后湿法球磨,烘干后预烧,然后再湿法球磨,烘干后加入粘结剂压制成预制体,再将预制体在不同的气氛下烧结,得到钛酸钡基陶瓷材料。通过调节陶瓷烧结气氛可以实现陶瓷产品表面高长径比棒状晶粒所占比例从0到100%的调节,可用于电气、电子领域。
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公开(公告)号:CN110451575A
公开(公告)日:2019-11-15
申请号:CN201910859617.1
申请日:2019-09-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于尺寸效应增强铁酸铋纳米粉末磁性的方法,属于多铁性材料/磁电耦合材料的技术领域。本发明是要解决现有的单相多铁材料铁酸铋的易产生杂相和铁磁性弱这两个技术问题。本发明方法如下:一、在搅拌下向乙二醇单甲醚中依次加入五水硝酸铋和九水硝酸铁,完毕后滴加稀硝酸直至pH值为3~4;二、继续搅拌,加入一水柠檬酸,搅拌均匀后,再加入乙二醇,搅拌均匀;三、然后置于水浴中磁力搅拌,再干燥;四、二阶段保温;五、然后研磨,加入稀硝酸,磁力搅拌后用去离子水清洗,烘干,得到BiFeO3纯相纳米粉末。本发明铁酸铋的铁磁性能显著增强。
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公开(公告)号:CN106810237A
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201710075048.2
申请日:2017-02-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/495 , C04B35/634
Abstract: 一种单相多铁陶瓷材料及其制备方法,本发明涉及单相多铁陶瓷及其制备方法。本发明是要解决现有的单相多铁材料铁酸铋的铁磁性弱的技术问题。本发明的单相多铁陶瓷材料的化学表达式为(1‑x)Ba(Zr0.2Ti0.8)O3–x(Ba0.7Ca0.3)(Fe0.5Ta0.5)O3,其中x=0.2~0.4。制法:碳酸钡、碳酸钙、二氧化钛、三氧化二铁、五氧化二钽和二氧化锆粉末混合后湿法球磨,烘干后放在管式炉预烧,然后再湿法球磨,烘干后加入粘结剂压制成预制体,再将预制体于管式炉中烧结,得到单相多铁陶瓷材料。单相多铁陶瓷材料在室温下是四方相钙钛矿结构,同时具有铁磁性和铁电性,可用于电气、电子领域。
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公开(公告)号:CN103603044A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN201310636441.6
申请日:2013-11-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法,它涉及钽铌酸钾晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的低铌钽铌酸钾晶体居里温度低,而用现有晶体生长方法无法得到富铌钽铌酸钾单晶的技术问题。本发明的富铌掺锂钽铌酸钾单晶的表示式为K0.95Li0.05Ta1-xNbxO3,其中x=0.50~0.90。方法:将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽和氧化铌粉末并混合均匀和球磨后,压片,然后预烧得到多晶片,再将多晶片捣碎、湿磨得到生长单晶的原料,在晶体提拉生长炉内经籽晶接种、提拉、等径生长后,得到富铌掺锂钽铌酸钾单晶。该单晶的相变温度为310~500K,可用在无铅压电铁电器件中。
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