一种氮化硅陶瓷/镍基高温合金的连接方法

    公开(公告)号:CN114211076B

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210012613.1

    申请日:2022-01-06

    Abstract: 一种氮化硅陶瓷/镍基高温合金的连接方法,涉及一种用于陶瓷/高温合金的连接方法。本发明是要解决目前陶瓷和高温合金连接热失配的技术问题。本发明操作简单,焊前不需要对待焊试样表面进行任何改性处理实现陶瓷与金属的直接钎焊,通过中间层的加入即可实现陶瓷和金属的有效连接;中间层中的Ni层在满足陶瓷侧等温凝固的需求的条件下,无需再增加添加辅助层即可实现与镍基高温合金的连接,简化了试样装配的复杂性并节省实验材料。

    一种陶瓷天线罩与金属连接环的连接方法

    公开(公告)号:CN113000960B

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202110286972.1

    申请日:2021-03-17

    Abstract: 一种陶瓷天线罩与金属连接环的连接方法,涉及一种陶瓷与金属的连接方法。本发明是要解决目前多孔氮化硅陶瓷/Invar合金天线罩接头残余应力较高的技术问题。本发明通过天线罩的结构设计解决了目前多孔氮化硅陶瓷/Invar合金天线罩接头残余应力较高的问题,使环形天线罩连接后无明显微裂纹。本发明的中间连接层的设计,其由上层钎料、软性中间层和下层钎料组成。其中上层钎料为AgCuTi钎料箔;软性中间层为Cu泡沫、Cu瓦楞或泡沫镍;下层钎料为AgCu钎料箔。本发明应用于焊接领域。

    一种使用氧化钙/氧化铝/二氧化硅/氧化锂玻璃焊料连接SiC陶瓷材料的方法

    公开(公告)号:CN112851389B

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202110400570.X

    申请日:2021-04-14

    Abstract: 一种使用氧化钙/氧化铝/二氧化硅/氧化锂玻璃焊料连接SiC陶瓷材料的方法,涉及一种使用玻璃焊料连接SiC陶瓷材料的方法。本发明是要解决目前核反应堆服役条件下SiC陶瓷的连接需要高温高压条件,接头性能以及抗辐照性能差的技术问题。本发明有利于提高接头的力学性能,同时能提高SiC陶瓷焊接结构件在核辐照服役环境下的可靠性,使得该焊接结构有望利用在核电领域。本发明的玻璃焊料连接方法具有使用简单,可以在无压、气氛和相对更低的连接温度1200℃~1280℃下实现连接,在焊接热循环中,焊料能原位形成一个结晶率高的玻璃陶瓷焊缝,能显著提高接头的力学性能和抗辐照性能。

    一种使用高熵合金连接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法

    公开(公告)号:CN114131232A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202111614187.0

    申请日:2021-12-27

    Abstract: 一种使用高熵合金连接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法,涉及一种连接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法。本发明是要解决目前SiC陶瓷的连接技术在核应用背景下效果较差的技术问题。本发明中使用的连接温度较低,并未达到AlCoCrFeNi2.1高熵合金的熔点,主要通过高熵合金中的Ni和Cr元素与SiC反应,在界面生成局部瞬时液相实现连接,可以实现低温连接和高温使用。本发明利用具有优异的高温性能和抗辐照性能的AlCoCrFeNi2.1高熵合金作为连接材料来连接SiC陶瓷或SiCf/SiC复合材料,有望使得该焊接结构在核电领域运用,提高核电包壳材料的可靠性。

    一种使用氧化钙/氧化铝/二氧化硅/氧化锂玻璃焊料连接SiC陶瓷材料的方法

    公开(公告)号:CN112851389A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110400570.X

    申请日:2021-04-14

    Abstract: 一种使用氧化钙/氧化铝/二氧化硅/氧化锂玻璃焊料连接SiC陶瓷材料的方法,涉及一种使用玻璃焊料连接SiC陶瓷材料的方法。本发明是要解决目前核反应堆服役条件下SiC陶瓷的连接需要高温高压条件,接头性能以及抗辐照性能差的技术问题。本发明有利于提高接头的力学性能,同时能提高SiC陶瓷焊接结构件在核辐照服役环境下的可靠性,使得该焊接结构有望利用在核电领域。本发明的玻璃焊料连接方法具有使用简单,可以在无压、气氛和相对更低的连接温度1200℃~1280℃下实现连接,在焊接热循环中,焊料能原位形成一个结晶率高的玻璃陶瓷焊缝,能显著提高接头的力学性能和抗辐照性能。

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