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公开(公告)号：CN101076243A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710072354.7
申请日：2007-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 防止磁卡消磁的屏蔽装置，它涉及电磁屏蔽用具。它解决了现有手机与磁性存储材料放置在一起，因手机产生的大功率电磁场脉冲会导致磁卡内存储信息的丢失；另外，由于屏蔽盒重量较大、携带不便、成本较高的问题。本发明的柔性泡沫塑料层(2)设在第一金属片(1)和第二金属片(3)之间，第一金属片(1)和第二金属片(3)上开有孔(4)，第一金属片(1)和第二金属片(3)上的孔(4)交错排列，第一金属片(1)和第二金属片(3)的四周边缘连接。本发明的屏蔽装置采用铜质屏蔽材料时，反射衰减大，吸收衰减小，导电性能良好，不会有静电荷的累积，能避免因为摩擦而产生的静电破坏磁卡数据。本发明还具有体积小、携带方便的优点。
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公开(公告)号：CN113881055A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111164492.4
申请日：2021-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08G79/08
Abstract: 一种耐高温含硼硅树脂的制备方法，它涉及树脂领域，本发明要解决改性硅树脂，尤其是含硼硅树脂的制备方法复杂，耐热性不理想的问题。本发明将硼酸与甲基三甲氧基硅烷混合，进行二个阶段反应，然后将反应产物进行烘干，即得。本发明采用溶胶‑凝胶法制备一种具有高耐热能力的硅树脂，制备过程简单，可复现性良好，且通过形成在硅树脂中的Si‑O‑B键提升其耐温能力。本发明的方法高温热解时无晶态物质析出，耐热性能良好，适合中试放大生产。本发明应用于航空，航天和民用领域。
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公开(公告)号：CN106978346B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201710264740.X
申请日：2017-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种提升PHA合成菌产出段菌种排放量的方法，所述方法以PHA合成菌产出段SBR反应器排出的PHA合成菌为菌源，进行底物分段补加实现PHA合成菌的扩大培养，再进入第三阶段完成PHA的合成进而大幅度提升工艺整体的PHA产量和容积产率。本发明引入的“碳源储存/内源生长”扩大培养模式承担了较高的工艺负荷，可以使产PHA菌群的筛选段能在较低的底物负荷范围实现稳定可控的运行，解决了工艺稳定运行与高产PHA的矛盾，能够有效推进混菌PHA合成的规模化应用。将本发明提出的“碳源储存/内源生长”扩大培养模式嵌入传统的三段式工艺之后可以显著提升工艺整体的PHA产量，其最大PHA产率约为原工艺的80倍。
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公开(公告)号：CN100486412C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710072354.7
申请日：2007-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 防止磁卡消磁的屏蔽装置，它涉及电磁屏蔽用具。它解决了现有手机与磁性存储材料放置在一起，因手机产生的大功率电磁场脉冲会导致磁卡内存储信息的丢失；另外，由于屏蔽盒重量较大、携带不便、成本较高的问题。本发明的柔性泡沫塑料层(2)设在第一金属片(1)和第二金属片(3)之间，第一金属片(1)和第二金属片(3)上开有孔(4)，第一金属片(1)和第二金属片(3)上的孔(4)交错排列，第一金属片(1)和第二金属片(3)的四周边缘连接。本发明的屏蔽装置采用铜质屏蔽材料时，反射衰减大，吸收衰减小，导电性能良好，不会有静电荷的累积，能避免因为摩擦而产生的静电破坏磁卡数据。本发明还具有体积小、携带方便的优点。
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