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公开(公告)号：CN115513613B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202110702303.8
申请日：2021-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01P1/10
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型电调控液晶射频开关，属于微波器件工程技术领域。本发明解决了现有液晶射频开关体积大、集成度低的问题。本发明提供的电控液晶射频开关具有集成度高、体积小、小型化的特点，完善了液晶射频开关在实际应用中的适用场景，且与现有射频开关相比，本发明的电控液晶射频开关采用两个谐振电路级联的形式，实现了良好的开关比，且该射频开关基于液晶材料实现通断状态的有效切换，相比于传统基于铁氧体和铁电体材料实现的射频开关，具有所需外部驱动电压小的显著优势。
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公开(公告)号：CN115598877A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110720213.1
申请日：2021-06-28
Applicant: 哈尔滨工业大学(CN)
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1345 , G02F1/1337
Abstract: 本发明公开了一种可调平衡液晶移相器，属于微波器件技术领域。本发明解决了现有单终端可调液晶移相器抗电磁干扰能力较差的问题。本发明基于耦合双线结构的可调平衡液晶移相器，在上、下耦合线之间施加驱动电压时，位于上、下耦合线之间的液晶分子长轴指向将发生偏转，从水平方向逐渐偏转至垂直方向，从而使液晶材料的介电常数发生变化，继而在上下耦合线间传输的电磁波的相位发生改变，最终实现可调平衡液晶移相器的功能。本发明提供的液晶移相器结构，能够使射频信号以差分模式在耦合双线结构中有效传播，通过控制液晶层介电常数的变化来实现传输相位的连续调控，进而实现了基于液晶材料的平衡可调液晶移相器设计，有效提高了抗电磁干扰的能力。
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公开(公告)号：CN115513613A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110702303.8
申请日：2021-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01P1/10
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型电调控液晶射频开关，属于微波器件工程技术领域。本发明解决了现有液晶射频开关体积大、集成度低的问题。本发明提供的电控液晶射频开关具有集成度高、体积小、小型化的特点，完善了液晶射频开关在实际应用中的适用场景，且与现有射频开关相比，本发明的电控液晶射频开关采用两个谐振电路级联的形式，实现了良好的开关比，且该射频开关基于液晶材料实现通断状态的有效切换，相比于传统基于铁氧体和铁电体材料实现的射频开关，具有所需外部驱动电压小的显著优势。
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公开(公告)号：CN112436248B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202011203824.0
申请日：2020-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明是一种基于介质集成波导的高相移调谐率液晶移相器。本发明属于微波器件工程技术领域，所述移相器包括：上层介质板、中间层介质板、下层介质板、金属化过孔和液晶层；所述上层介质板、中间层介质板和下层介质板连接，中间层介质板为中心镂空出矩形结构，上层介质板和下层介质板间形成密闭腔体，将液晶材料灌注在密闭腔体中，形成液晶层。本发明在工作频带范围内具有显著的高相移调谐率特性。因此，对于相同的相位调控指标，可以有效缩减移相器物理长度，对射频电路实现小型化和高集成度具有重要价值；本发明可调液晶移相器结构具有设计方案简单、高效的显著优势。
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公开(公告)号：CN112436247B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202011202992.8
申请日：2020-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明是一种具有共模滤波功能的可调平衡液晶移相器。本发明属于微波器件工程技术领域，所述移相器包括：上层介质板、中间层介质板、下层介质板、平衡传输线、谐振单元、金属地和液晶。所述上层介质板、中间层介质板和下层介质板连接，形成三层介质板，中间层介质板为中心镂空出矩形结构，上层介质板和下层介质板间形成密闭腔体，将液晶材料灌注和封装在密闭腔体中，形成液晶；本发明在工作频带范围内具有显著的高相移调谐率特性。因此，对于相同的相位调控指标，可以有效缩减移相器物理长度，对射频电路实现小型化和高集成度具有重要价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112436248A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011203824.0
申请日：2020-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明是一种基于介质集成波导的高相移调谐率液晶移相器。本发明属于微波器件工程技术领域，所述移相器包括：上层介质板、中间层介质板、下层介质板、金属化过孔和液晶层；所述上层介质板、中间层介质板和下层介质板连接，中间层介质板为中心镂空出矩形结构，上层介质板和下层介质板间形成密闭腔体，将液晶材料灌注在密闭腔体中，形成液晶层。本发明在工作频带范围内具有显著的高相移调谐率特性。因此，对于相同的相位调控指标，可以有效缩减移相器物理长度，对射频电路实现小型化和高集成度具有重要价值；本发明可调液晶移相器结构具有设计方案简单、高效的显著优势。
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公开(公告)号：CN112436247A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011202992.8
申请日：2020-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明是一种具有共模滤波功能的可调平衡液晶移相器。本发明属于微波器件工程技术领域，所述移相器包括：上层介质板、中间层介质板、下层介质板、平衡传输线、谐振单元、金属地和液晶。所述上层介质板、中间层介质板和下层介质板连接，形成三层介质板，中间层介质板为中心镂空出矩形结构，上层介质板和下层介质板间形成密闭腔体，将液晶材料灌注和封装在密闭腔体中，形成液晶；本发明在工作频带范围内具有显著的高相移调谐率特性。因此，对于相同的相位调控指标，可以有效缩减移相器物理长度，对射频电路实现小型化和高集成度具有重要价值。
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公开(公告)号：CN118268664A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410285432.5
申请日：2024-03-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种仿生螺旋结构中间层的制备及其辅助异种材料钎焊的方法，涉及中间层辅助钎焊技术领域。本发明的目的是为了解决异种材料之间以及母材与钎料之间钎焊由于热膨胀系数差异大导致钎焊接头强度低的问题。本发明仿生螺旋结构中间层以自然界中螳螂虾的强韧性外壳的微观螺旋结构为依据，将单向纤维片层以一定角度进行逐层堆叠，形成具有螺旋结构的仿生中间层。这种螺旋结构能够改善应力分布，并且在裂纹扩展时发生偏转消耗断裂能量，实现钎缝性能的强韧化，同时纤维层的存在能够调控界面组织和结构，降低钎缝热膨胀系数，缓解接头残余应力，最终提高钎焊接头的强度。本发明可获得一种仿生螺旋结构中间层的制备及其辅助异种材料钎焊的方法。
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公开(公告)号：CN114346519A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210212390.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种TiAl合金钎焊用高熵钎料及其制备方法和应用，属于焊接技术领域，具体涉及一种高熵钎料及其制备方法和应用。本发明高熵钎料由Ti、Zr、Hf、Cu、Ni、Co组成，或由Ti、Zr、Hf、Cu、Ni组成，高熵钎料中各元素的原子百分比相同。制备方法：按化学成分称取原料，制备高熵钎料锭，吸铸得到细棒状高熵钎料锭；切割成箔片。应用为利用高熵钎料钎焊TiAl合金。本发明借助高熵合金的理论，采用高熵钎料钎焊TiAl合金，利用高熵效应和迟滞扩散效应对于钎焊过程中母材与钎料的互扩散以及接头中的金属间化合物具有重要的抑制作用。接头中母材的溶解现象得到抑制，脆性化合物含量减少，接头高温强度的稳定性得到提高。
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公开(公告)号：CN111816968A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010558441.9
申请日：2020-06-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01P3/12
Abstract: 本发明是一种基于周期碎钉结构的慢波缝隙波导。本发明属于微波器件工程技术领域，所述波导包括：顶层金属板、缝隙波导金属侧壁、底层金属板、缝隙波导和周期碎钉；所述底层金属板上设置有缝隙波导和周期碎钉，所述缝隙波导位于底层金属板两端，所述周期碎钉的两端连接位于底层金属板两端的缝隙波导；所述缝隙波导包括标准缝隙波导和慢波段，所述慢波段紧邻周期碎钉的两端，所述标准缝隙波连接慢波段，所述慢波段连接周期碎钉；所述底层金属板沿两侧设置有缝隙波导金属侧壁，所述缝隙波导金属侧壁上端设置有顶层金属板。本发明在工作频段内的慢波系数可灵活调控，具有设计方案简单、高效的显著优势。
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