一种羟基氯化锰材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116282181A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310507339.X

    申请日:2023-05-08

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种羟基氯化锰材料及其制备方法属于金属羟基氯化物晶体材料制备的技术领域,以纯的具有正交结构的羟基氯化锰(Mn2(OH)3Cl)粉末为初始原料,在高压装置(DAC)中对初始原料加压至13.3~28.0GPa,具有正交结构的羟基氯化锰在压力作用下转变成具有六方结构的羟基氯化锰;卸压至常压,六方结构的羟基氯化锰(Mn2(OH)3Cl)仍然存在,在混合共存的材料中,正交结构和六方结构的羟基氯化锰的质量比为1:1.3。本发明具有过程简单、室温合成、合成时间短、可重复性高等优点。

    一种MgMn3(OH)6Cl2纳米材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113753957A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202111191639.9

    申请日:2021-10-13

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种MgMn3(OH)6Cl2纳米材料及其制备方法属于纳米材料制备技术领域。以氯化锰颗粒、氧化锰粉末和氢氧化镁为原料,首先将氯化锰晶体颗粒研磨1小时,然后加入氢氧化镁粉末继续研磨1‑2小时,最后加入氧化锰粉末充分混合研磨2‑3小时;然后在180‑240℃下密封加热6‑12小时,反应结束后,待其冷却至室温,得到棕色的MgMn3(OH)6Cl2纳米材料,产物是菱方晶系晶体,空间群R‑3m(No.166),晶粒具有纳米片形貌,厚度10‑70nm,颗粒大小50‑900nm。本发明具有方法简单易于实现,花费成本低,产量丰富,结晶度好等优点。

    一种羟基氯化镉晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN113716601A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202111048289.0

    申请日:2021-09-08

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种羟基氯化镉晶体及其制备方法属于ⅡB族羟基氯化物材料制备技术领域。首先将硝酸镉固体颗粒和六次甲基四胺颗粒加入去离子水中,在磁力搅拌器中搅拌10分钟,然后加入氯化钠颗粒继续搅拌10分钟,得到混合溶液;将混合溶液倒入反应釜中,在75~150℃下密封反应2~8小时;冷却至室温,将产物离心清洗、干燥、研磨后得到白色的羟基氯化镉晶体粉末。所述的羟基氯化镉晶体,是以化学计量数为1:1:1的比例构成的化合物Cd(OH)Cl,具有细长六角形棱柱形貌。本发明的方法操作简单易行、易于控制、成本低廉;制备出样品具有产量高、纯度高等优点。

    一种Cu3Zn(OH)6Cl2晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN113526540A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110748147.9

    申请日:2021-07-02

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种Cu3Zn(OH)6Cl2晶体及其制备方法,属于磁性材料制备的技术领域。首先将碱式碳酸铜粉末和氯化锌粉末加入乙醇和水的混合溶剂中,搅拌器形成均匀的混浊液,然后加入浓盐酸继续搅拌10~15分钟,将得到的混浊液在180~200℃下密封反应4~8小时;待其冷却至室温,将固液分离、研磨后得到菱形类八面体Cu3Zn(OH)6Cl2晶体材料。制备的Cu3Zn(OH)6Cl2形貌为菱形类八面体晶体,晶体边长大小控制在200‑500纳米范围内。本发明的方法操作简单易行、重复性好、成本低廉;制备出的Cu3Zn(OH)6Cl2纳米晶体具有尺寸均匀,粒径小等优点。

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