用金刚石膜作热沉材料的LED芯片基座及制作方法

    公开(公告)号:CN101465399A

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200810051719.2

    申请日:2008-12-30

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的用金刚石膜作热沉材料的LED芯片基座及制作方法涉及LED热沉的技术领域。本发明的结构由1为贴片区,2为电极打线区,3为底部焊盘,4为电导通孔,5为反射杯,6为导热柱,7为散热焊盘,9为金刚石膜,10为上陶瓷层,20为下陶瓷层构成;方法是在陶瓷基座的下陶瓷层20上生长CVD金刚石膜或焊接CVD自支撑金刚石膜做LED芯片的热沉系统。本发明涉及的热沉导热性好,降低产品的热阻,使热量尽快散发出去,提高LED的发光效率,同时也提高了产品的可靠性和延长了产品的寿命。

    一种金属量级导电的金刚石-镍超硬材料制备方法

    公开(公告)号:CN119553125B

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510114606.6

    申请日:2025-01-24

    Abstract: 本发明的一种金属量级导电的金刚石‑镍超硬材料制备方法属于超硬导电复合材料制备技术领域,以纳米尺寸的金刚石和泡沫镍为原料,采用超声方法进行混合,同时引入预处理工艺,在5 GPa,700~2000℃保温时间20 min的条件下,使填充于泡沫镍孔隙中的纳米金刚石表面石墨化,提供镍原子扩散通道,细化泡沫镍骨架,使镍原子沿金刚石表面石墨层中扩散。然后,在10~20 GPa 1800℃保温20 min条件下进行烧结,获得超硬且金属量级导电的金刚石镍‑复合材料。本发明通过构筑导电通路,同时利用镍原子在石墨中的扩散速度远高于金刚石的扩散机制,制备出导电性接近金属的超硬导电复合材料。

    一种高温高压合成笼目型钙硼化物超导体的方法

    公开(公告)号:CN119430211A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411572076.1

    申请日:2024-11-06

    Abstract: 本发明的一种高温高压合成笼目型钙硼化物超导体的方法属于高温超导材料制备技术领域;以单质B和单质Ca为初始原料,采用金刚石对顶砧装置在目标压力下对样品进行原位的激光加热,从而合成出笼目型钙硼化物超导体P6/mmm CaB3。本发明制备得到的钙硼化物具有kagome B层结构,超导转变温度(Tc)可达到22K,为已知的Kagome材料中最高的超导转变温度。本发明对理解金属硼化物的电子结构与其宏观物理特性之间的复杂关系具有重要的科学意义,同时也为寻找新奇结构的轻元素超导体提供了方向。

    一种在金刚石对顶砧中合成六氟化铼晶体的方法

    公开(公告)号:CN118320717A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410446923.3

    申请日:2024-04-15

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明提供一种在金刚石对顶砧中合成六氟化铼晶体的方法,选择金属铼作为反应的初始原料,将二氟化氙以及液氩封装到金刚石对顶砧的样品腔中;在60℃下加热金刚石对顶砧直到二氟化氙晶体消失,通过拉曼光谱观测到六氟化铼和七氟化铼的特征振动峰。继续在60℃下加热,将七氟化铼完全转化为六氟化铼,整个过程通过拉曼光谱监控。待完全转化后,冷却到室温并调控压力到0.3Gpa与1.2Gpa之间,得到结晶效果较好的六氟化铼晶体。本发明操作简单,安全无污染,可重复性高。通过调控还原反应条件,避免杂质七氟化铼的存在,得到高纯度的六氟化铼。

    高压制备200K以上高温超导体La4AlH10的方法

    公开(公告)号:CN116062694A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202310148910.3

    申请日:2023-02-22

    Applicant: 吉林大学

    Inventor: 黄晓丽 陈诉 崔田

    Abstract: 本发明的高压制备200K以上高温超导体La4AlH10的方法属于高温超导材料制备技术领域;以用直流/射频共溅射法合成的摩尔比为4:1的初始La‑Al合金及氨硼烷为起始原料,利用金刚石对顶砧压机对样品加压至146GPa,然后进行激光加热,得到新型高温超导体La4AlH10,并通过控制压力使其超导转变温度达到最大值。本发明提供的新型超导材料制备方法简单高效,且具有大于200K的超导转变温度和很高的上临界磁场,具有成为超导强电应用候选材料的潜力,为超导材料的选择及应用提供了更大的空间。

    一种单一相纳米立方一硼化钛的高温高压制备方法

    公开(公告)号:CN109704354B

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN201910170614.7

    申请日:2019-03-07

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种单一相纳米立方一硼化钛的高温高压制备方法属于纳米二元硼化物制备的技术领域,以纳米钛粉、纳米硼粉为原料进行混合;经高温高压保持30分钟后冷却卸压,将所得样品研磨成粉末用热硫酸除去剩余的钛粉,再通过水洗烘干的工艺,制得单一相纳米立方一硼化钛。本发明利用纳米起始原料,有效降低反应能量,跨过o‑TiB的生成区间,制备单一相的c‑TiB,方法简单易操作,样品纯度高,粒径小且均一,适合后续工业应用。

    一种在高压力样品腔中产生局部剪切应力的方法

    公开(公告)号:CN110479187B

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN201910771949.4

    申请日:2019-08-21

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种在高压力样品腔中产生局部剪切应力的方法,属于超硬材料技术领域。在样品内部随机位置放置1~10粒高硬度单晶,将包含高硬度单晶的样品粉压成圆柱状后放入叶腊石组装块中,由常压升压至3~5GPa,保压1.5min后卸至常压,随后将样品取出重新碾碎成粉末状,上述全部操作记为一次冷压操作,总共进行18~30次冷压操作,即可在样品中产生局部剪切应力。本发明操作简单,成本低,便于推广,实施过程中样品不易受到污染,与离心相结合可以得到粒径较为均匀的纳米样品。

    纳米洋葱碳的高温高压制备方法

    公开(公告)号:CN105833797B

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201610159997.4

    申请日:2016-03-21

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的纳米洋葱碳的高温高压制备方法,属于纳米材料制备的技术领域。制备过程为将纳米金刚石粉按合成腔体大小压成圆柱状,将冷压得到的圆柱状原料装入加热容器,放入合成腔体中,在压力1.0~5.2GPa、温度1273~1773K下保温保压1~90分钟;最后冷却卸压,制得块状纳米洋葱碳材料。本发明工艺流程简单,制备周期短;产量和纯度高;产物粒度可以通过原料的尺寸大小调控;可以通过控制温度、保温时间和压力制备出不同形貌的纳米洋葱碳;该方法制备的纳米洋葱碳具有多孔结构提高其比表面积,并且制备的纳米洋葱碳含有含氧官能团提高了其亲水性。

    一种层状铼氮化合物ReN<base:Sub>2</base:Sub>的合成方法

    公开(公告)号:CN105752949B

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:CN201610077184.0

    申请日:2016-02-03

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种层状铼氮化合物ReN2的合成方法,属于过渡金属化合物合成方法的技术领域,将铼粉和叠氮化钠以质量比1:2混合作为原料,放置于研钵中充分研磨,取研磨后的混合物装入DAC装置,向DAC装置充入液氩,然后将原料加压至30GPa,以20W的功率进行激光加热8~12分钟,得到层状结构的ReN2。本发明所用原料在空气中稳定,实验准备过程简单,合成安全性好并且可重复性高。

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