公开(公告)号：CN104819889B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201510217445.X

申请日：2015-04-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陆国会 ,  周强 ,  崔田 ,  黄晓丽 ,  陆冬筱

IPC: G01N1/42

Abstract: 本发明属用于金刚石对顶砧压机内对气体微量液化封装的技术领域。装置由腔体外套(1)、上盖(2)和低温室(4)三个部件构成；上盖(2)中间开口挂装低温室(4)；上盖(2)开有液氮入口(3)和液氮出口(6)；外套(1)、上盖(2)与低温室(4)围成的空间为液氮室(8)；低温室(4)内放置金刚石对顶砧压机，低温室(4)侧面开有气体入口(5)，气体入口(5)能与金刚石对顶砧中样品室连通。本发明利用液氮对低温室(4)和金刚石对顶砧压机进行降温，当温度达到封装气体的液化温度时，将气体注入样品室内。本发明比现有技术大大的节省被液化的气体，对易燃易爆的气体能消除不安全隐患。

公开(公告)号：CN105973678A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610556025.9

申请日：2016-07-15

Applicant: 吉林大学

Inventor： 周强 ,  付鑫鹏 ,  李芳菲

IPC: G01N1/28

Abstract: 本发明的向金刚石对顶砧转移二维层状半导体材料的装置和方法属于高压装置的技术领域。装置结构有光学显微镜(9)、样品台(4)、三维平移台(5)、延展臂(6)、竖井(7)和玻璃片(8)。利用本发明可以将二维层状半导体材料转移到金刚石对顶砧中，克服了传统技术中衬底材料形变影响样品材料性质的弊端，更打破了目前少数层级二维层状半导体材料高压下电学性能测量中的技术壁垒。

公开(公告)号：CN117227240A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311514706.5

申请日：2023-11-15

Applicant: 吉林大学

Inventor： 刘兆东 ,  胡阔 ,  刘然 ,  刘书成 ,  姚迪 ,  张笑鸣 ,  周强 ,  刘冰冰

IPC: B30B12/00 ,  B30B13/00 ,  B01J3/06

Abstract: 本发明公开了一种大腔体压机可控快速加压技术，属于高压实验技术领域，包括正八面体部件、堵头、金刚石柱和标压物质，其中正八面体部件开设有两端开口的空腔，标压物质放置在空腔内，空腔两端的开口通过具有导电功能的堵头进行封堵，标压物质与堵头之间设有金刚石柱；通过在标压物质与堵头之间设置金刚石柱，利用金刚石柱硬度较大，传压效率优于普通陶瓷堵头的特性，提高样品腔的升压效率；采用先向加载装置预充压力，再向加压模具快速释放的加载方法，与改进后的传压组件相配合，缩短了样品腔的压力加载时间，使之能达到毫秒级，弥补了现有技术中对介于静高压和动高压之间的压力加载过程研究不足的缺陷，推动了高压实验科学的进一步发展。

公开(公告)号：CN105018042A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510355544.4

申请日：2015-06-20

Applicant: 吉林大学 ,  长春工程学院

Inventor： 周强 ,  王楠

IPC: C09K5/06

Abstract: 本发明公开了一种纳米复合相变材料及其制备方法，该材料由以下重量份的原料制备而成：导电炭黑5-15份；改性正硅酸乙酯15-25份；钛酸四异丙酯5-15份；分散剂20-31份；有机溶剂11.7-36.2份；相变材料7.1-5.7份；耐化学品改性剂0.5-5份；无机纳米粒子3-6份；耐热剂0.5-5份；阻燃协效剂2-6份；溴系阻燃剂5-10份。本发明所得相变材料具有良好的导热、耐化学、阻燃性能，且热稳定性好、成本低，制作工艺简单。

公开(公告)号：CN102517626A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110417939.4

申请日：2011-12-14

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李亮 ,  崔田 ,  周强 ,  许大鹏

IPC: C30B13/28 ,  C30B29/30

Abstract: Mg4Nb2O9单晶体的光学浮区生长方法属于化合物晶体生长技术领域。现有Mg4Nb2O9单晶体尺寸小质量差。本发明将MgO和Nb2O5混合，在1250～1400℃温度下烧结20～40小时，得到Mg4Nb2O9多晶粉体；将该多晶粉体制成棒状，之后在1400～1550℃温度下烧结10～40小时，得到Mg4Nb2O9多晶棒；将该多晶棒作为喂料棒，在光学浮区炉中，喂料棒在上，晶种在下，二者对接，对接处为熔区；在3～4小时内升温至熔区出现液相，之后在30～60rpm范围内调整喂料棒、晶种的转速，在熔区内喂料棒形状稳定10～20分钟，之后开始生长Mg4Nb2O9单晶，生长速率为2～6mm/h，直到得到直径为0.6～1.0cm的Mg4Nb2O9单晶棒；在Mg4Nb2O9单晶相变点以上降温时的降温速度为30～40℃/h，在该相变点以下降温时的降温速度为100～400℃/h，直到常温。

公开(公告)号：CN119555809A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202510112932.3

申请日：2025-01-24

Applicant: 吉林大学 ,  宁波大学

Inventor： 王星淋 ,  李壮 ,  由存 ,  陶强 ,  朱品文 ,  周强 ,  崔田

IPC: G01N29/07 ,  G01N29/22 ,  G01N29/34 ,  G01N29/42 ,  G01N29/44

Abstract: 本发明的一种超声波检测小尺寸薄板样品弹性模量的装置及方法属于利用超声波测量的技术领域，所述的超声波检测小尺寸薄板样品弹性模量的装置，由测量工装（1）、信号发生器（2）、第一低通滤波器（3）、第二低通滤波器（4）和高速采样示波器（5）组成。采用本发明提出的装置和方法，可以测量现有方案难以测量的硬质小尺寸薄型样品，该方法具有测量方便、可靠性高、成功率高、测试重复性好等优点。该方法对于实验室合成的小尺寸薄型硬质样品物理性能快速精确检测具有重要意义。

公开(公告)号：CN112899780A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110072368.9

申请日：2021-01-20

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李亮 ,  宫美琪 ,  周强 ,  李芳菲

IPC: C30B29/30 ,  C30B29/32 ,  C30B9/12

Abstract: 本发明的弛豫铁电单晶铌锌酸铅‑钛酸铅的定向生长方法属于单晶生长技术领域。初始原料按照(1‑x)Pb(Zn1/3Nb2/3O3)‑xPbTiO3,0

公开(公告)号：CN109437124A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811620679.9

申请日：2018-12-28

Applicant: 吉林大学

Inventor： 周强 ,  柳艳 ,  李芳菲

IPC: C01B19/04

Abstract: 本发明的一种合成单层过渡金属硫族化合物的方法属于纳米材料制备技术领域，以二硒化钼粉末和二硒化钨粉末为原料，以惰性气体Ar(95％)和H2(5％)的混合气体作为载气，采用PVD方法将高温管式真空炉仅有的一个温区既作为粉末融化蒸发的区域又作为基底承接样品沉积的区域，在Si/SiO2基底和蓝宝石基底合成单层MoSe2和单层WSe2样品。本发明制备的样品面积大、比较均匀、质量好、重复率高；制备方法具有操作简单、反应时间短、成本低、不会对环境造成污染等优点。

公开(公告)号：CN105973678B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201610556025.9

申请日：2016-07-15

Applicant: 吉林大学

Inventor： 周强 ,  付鑫鹏 ,  李芳菲

IPC: G01N1/28

Abstract: 本发明的向金刚石对顶砧转移二维层状半导体材料的装置和方法属于高压装置的技术领域。装置结构有光学显微镜(9)、样品台(4)、三维平移台(5)、延展臂(6)、竖井(7)和玻璃片(8)。利用本发明可以将二维层状半导体材料转移到金刚石对顶砧中，克服了传统技术中衬底材料形变影响样品材料性质的弊端，更打破了目前少数层级二维层状半导体材料高压下电学性能测量中的技术壁垒。

公开(公告)号：CN114791541B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202210480041.X

申请日：2022-05-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李亮 ,  王晓晗 ,  周强 ,  李芳菲 ,  李新阳 ,  唐雯婷

IPC: G01R31/00 ,  G01N25/00 ,  G01N27/00 ,  G01N21/25 ,  G01B11/24

Abstract: 本发明涉及一种红外光加热宽温度范围、气氛可控、可视电学测试系统，属于电学测试技术领域，包括保护壳，测量夹具，安装在所述保护壳内，用于装载待测样品并使其处于气体保护氛围；加热件，安装在所述保护壳内，用于对待测样品进行加热；温度记录仪，与所述测量夹具相连，用于检测待测样品的温度；电学测试仪，与所述测量夹具相连，用于检测待测样品的测试信号；摄像头，用于实时监控待测样品的状态。本发明通过在椭球反射镜焦点处安装卤灯，经椭球反射镜的汇聚后将光聚焦在样品上，进而对样品进行加热，加热温度高达2200℃；可在高达2200℃的同时保证样品的稳定性和实时可监测性。