公开(公告)号：CN117544126A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311481400.4

申请日：2023-11-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 许荣彬 ,  裴文皎 ,  吴少城

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/02 ,  H10N30/082

Abstract: 本发明属于薄膜体声波谐振器制备技术领域，具体公开了一种利用键合倒装工艺优化薄膜体声波谐振器性能的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积压电层；在压电层上溅射生长底电极层，并通过光刻和刻蚀图形化底电极层；生长键合层，并对键合层进行抛光；将刻蚀出凹槽的基板与抛光过的键合层直接键合形成空腔，然后将器件倒装，利用化学机械抛光配合刻蚀工艺去除原衬底；通过光刻和刻蚀图形化压电层，露出部分底电极后再沉积顶电极层；对顶电极层进行光刻图形化，顶电极层和底电极层相对，顶电极层、压电层和底电极层形成三明治结构，即得薄膜体声波谐振器。本发明的方法避免了目前商用空气隙型薄膜体声波谐振器在牺牲层去除过程中腐蚀液对器件的其他结构造成腐蚀，同时避免空腔在释放过程中的应力变化破坏器件结构。

公开(公告)号：CN115799988A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211661483.0

申请日：2022-12-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  徐欢 ,  李青璇 ,  许荣彬 ,  梅洋 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备方法，包括：选用一外延层，该外延层从下到上依次包括衬底、N型氮化物、有源区和P型氮化物；在P型氮化物上表面中部的电流注入孔位置生长金属掩膜层；通过高能粒子均匀地辐照P型氮化物的上表面，使辐照区形成电流限制层；去除金属掩膜层，并在电流注入孔上表面依次生长透明导电层和第一分布布拉格反射镜；在透明导电层和第一分布布拉格反射镜的外表面及电流限制层的上表面生长第一电极，并翻转后转移到支撑基板上；去除衬底，将N型氮化物进行减薄抛光，并在N型氮化物的上表面中部生长第二分布布拉格反射镜，其上表面两侧生长第二电极。本发明工艺简单，散热性好。

公开(公告)号：CN110265864A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910608744.4

申请日：2019-07-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 应磊莹 ,  王灿 ,  张保平 ,  许荣彬 ,  徐欢

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域。本发明公开了一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法，采用光刻和图形化电镀技术在种子层上形成图形化的金属基底；使用胶键合技术将样品转移到临时基板上；采用自分裂激光剥离技术去除蓝宝石衬底，同时达到分离器件的目的；去除缓冲层、u-GaN层以及一部分n-GaN层；制作n金属电极和顶部介质膜DBR；去除临时基板，得到分立的GaN基垂直腔面发射激光器。本发明不仅有效改善了器件的散热性能，而且避免了金属切割带来的金属卷边和器件短路的问题，简化了器件制备的工艺流程，降低了成本。

公开(公告)号：CN108521075B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201810315250.2

申请日：2018-04-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  许荣彬 ,  梅洋 ,  徐欢 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器，涉及绿光发射激光器。从下至上包括铜衬底、下分布布拉格反射镜、p型Cr/Au电极、ITO透明导电层、SiO2电流限制层、GaN基外延层、n型Cr/Au电极和上分布布拉格反射镜；所述GaN基外延层包括P型GaN、N型GaN和蓝光InGaN/GaN量子阱；所述上分布布拉格反射镜和下分布布拉格反射镜高反带需覆盖整个增益谱范围，反射率达到99％及以上，材料组合采用TiO2/SiO2、Ta2O5/SiO2或Ti3O5/SiO2。所述蓝光InGaN/GaN量子阱中，势阱InXGa1‑XN层InN含量x在0.16～0.22之间，势垒为GaN层。

公开(公告)号：CN107863688A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711072492.5

申请日：2017-11-03

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  梅洋 ,  许荣彬 ,  翁国恩 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/187 ,  H01S5/34 ,  H01S5/065

CPC classification number: H01S5/187 ,  H01S5/065 ,  H01S5/3412

Abstract: 一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源，涉及发射光源。设有外延层，所述外延层从下至上依次为：衬底、下介质膜分布布拉格反射镜、ITO电流扩展层、p型Cr/Au电极、SiO2电流限制层、p型GaN、量子点有源层、n型GaN、n型Cr/Au电极和上介质膜分布布拉格反射镜。使用具有不同尺寸量子点作为有源区，得到了可调谐的增益特性，结合谐振腔效应，得到了发光波长在强耦合模式之间可调谐的输出特性。发光波长调谐范围从黄绿光到紫光，实现了大范围调谐。相比于以往制作可调谐发光器件的方法，不需要复杂的材料生长以及期间制作工艺，大大简化了工艺过程以及器件制作难度，并且提高了发光波长的调谐范围。

公开(公告)号：CN219018128U

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202223453199.2

申请日：2022-12-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  徐欢 ,  李青璇 ,  许荣彬 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/183

Abstract: 本实用新型公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器，包括：支撑基板、第一电极、第一分布布拉格反射镜、透明导电层、外延层、第二分布布拉格反射镜和第二电极，外延层包括P型氮化物、有源区和N型氮化物；第二分布布拉格反射镜设置于N型氮化物的上表面中部，第二电极设置于N型氮化物的上表面两侧；P型氮化物的下方两侧设置有辐照区，由高能粒子辐照形成电流限制层，中部设置有非辐照区，透明导电层设置于非辐照区下表面，第一分布布拉格反射镜设于透明导电层下表面，第一电极包覆于第一分布布拉格反射镜和透明导电层的外表面及电流限制层的下表面，支撑基板设于第一电极下表面。本实用新型工艺简单，散热性好。