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公开(公告)号:CN106575085B
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201580038295.4
申请日:2015-07-06
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 使用EUV辐射的光刻设备具有被配置用于提供科勒照射的照射器。照射器包括具有多个可独立导向的反射器的场反射镜(422)和具有多个光瞳琢面(4241‑1至4241‑M)的光瞳反射镜(424),其中可独立导向的反射器被分成多组相邻的可独立导向的反射器、以形成虚拟场琢面(50),光瞳琢面投影虚拟场琢面的像、以填充照射场(IS)。可独立导向的反射器被控制在非激活状态和至少一个激活状态之间,以便控制传送至衬底的剂量。
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公开(公告)号:CN101506739B
公开(公告)日:2013-03-13
申请号:CN200780031539.1
申请日:2007-08-25
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70891 , G03F7/70258
Abstract: 本发明涉及一种用于补偿光学系统中、特别是微光刻系统的投影透镜阵列(3)中强度分布所致成像误差的方法,该方法包括以下步骤:确定光学系统的至少一个光学元件中与位置和时间有关的强度分布;确定已经为之确定强度分布的至少光学元件中与位置和/或时间有关的吸收能量;确定光学元件由所述能量造成的变形和/或光学属性变化;以及根据先前步骤的结果来选择一个或者多个补偿措施。并且本发明涉及一种用于对物体、特别是用于微光刻的投影透镜进行成像的光学系统,该光学系统优选地用于将所述的方法与至少一个、优选为多个光学元件(4,5)一起应用,其中为强度测量提供可以位于光路中的至少一个图像检测器(6,7),该检测器直接地测量光学系统的光路中的位置和/或时间分解强度分布。
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公开(公告)号:CN116368419A
公开(公告)日:2023-06-30
申请号:CN202180069901.4
申请日:2021-10-12
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G02B7/185
Abstract: 本发明涉及一种用于微光刻的成像设备的光学布置结构,该光学布置结构尤其用于使用极紫外范围(EUV)内的光,所述光学布置结构具有用于保持光学元件(M3)的保持装置(109)。保持装置(109)具有至少一个保持元件(110),其中,该保持元件(110)具有第一接口区段(110.1)和第二接口区段(110.2)。第一接口区段(110.1)构成第一接口(IF1),所述至少一个保持元件(110)在安装状态下通过该第一接口与光学元件连接。第二接口区段(110.2)构成第二接口(IF2),保持元件(110)在安装状态下通过该第二接口与尤其是主动的支持单元(104.2)连接,该支持单元将光学元件(109)与支持结构连接,以便通过支持力将光学元件(M3)支撑在支持结构上。保持装置(109)包括促动器装置(111),其中,该促动器装置(111)在第一接口(IF1)和第二接口(IF2)之间作用在保持元件(110)上。促动器装置(111)配置用于,在控制装置(106)的控制下如此对保持元件(110)起作用,使得在第一接口(IF1)上调节形成能预设的接口变形和/或能预设的、对光学元件(M3)起作用的接口力分布。
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