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公开(公告)号：CN113130430A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110410250.2
申请日：2021-04-16
Applicant: 南通大学
IPC: H01L23/488 , H05K3/34
Abstract: 本申请提供了一种适用于LGA封装的焊点，其具有由焊膏包覆PCB侧焊盘所形成的倒凹槽结构。本申请还提供了一种系统级封装结构，包括：PCB、芯片封装体以及用于连接PCB和芯片封装体的焊点，所述焊点具有由焊膏包覆PCB侧焊盘所形成的倒凹槽结构本申请提供的具有到凹槽结构的焊点，其相比于现有技术中的常规焊点，热疲劳寿命显著提升，最高可达常规焊点的7.43倍。由此可见，本申请提供的凹槽焊点结构，具有优异的热可靠性，不易失效。
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公开(公告)号：CN104795379A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510217835.7
申请日：2015-04-30
Applicant: 南通大学
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了差分共面传输线封装引脚内外级联结构，包括载片台、分布于载片台外周向的框架引脚和封装体。其中，框架引脚包括差分共面传输线，差分共面传输线包括并排设置的二中心导体和位于二中心导体两侧的返回路径；中心导体包括封装于封装体内部的信号线封装体内部引脚和位于封装体外部的信号线封装体外部引脚；信号线封装体内部引脚的横向尺寸与信号线封装体外部引脚的横向尺寸不同，本发明减少了现有技术中非规则的弯角所造成的整个传输通道上的阻抗不连续的缺陷。
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公开(公告)号：CN119401973A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411510827.7
申请日：2024-10-28
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请的实施例提供了一种高阶模态兰姆波谐振器及其制备方法，属于射频MEMS器件领域。所述高阶模态兰姆波谐振器包括：衬底，所述衬底的上表面中央设置有释放腔；压电振动结构，悬浮在所述释放腔中；顶部插指电极，布置在所述压电振动结构的上表面上，并且包括主体电极和连接主体电极的bus区域；底部平板电极，布置在所述压电振动结构的下表面上，其中，所述bus区域设置有空槽结构，用于抑制横向杂散模态。本发明的无杂散的高阶模态兰姆波谐振器，具有无杂散和高频率的特点。
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公开(公告)号：CN118890025A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411092501.7
申请日：2024-08-09
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明的实施例提供一种横向激励体声波谐振器及其制备方法，属于射频MEMS器件领域。所述横向激励体声波谐振器包括：衬底；压电层，所述压电层位于衬底上；空腔结构，所述空腔结构设置成从衬底的上表面向下的释放腔并且所述释放腔的顶部由压电层覆盖；声学散射阵列，所述声学散射阵列设置成贯穿所述压电层的成阵列形式排布的多个孔。在本发明的实施例中，通过在横向激励体声波谐振器中设置声学散射阵列，可以达到抑制杂散模态的目的，从而具有杂散模态少的性能特点，能够实现高频、大带宽且极小带内纹波的滤波器。
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公开(公告)号：CN114297983B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210027770.X
申请日：2022-01-11
Applicant: 南通大学 , 苏州锐杰微科技集团有限公司
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F115/12
Abstract: 本发明公开一种优化通信功耗的2.5D chiplet排布方法，步骤包括根据每个chiplet之间的比例关系以及排布间距确定每个chiplet的尺寸理论值；根据全部chiplet的尺寸理论值确定拓扑结构的大小，并将拓扑结构划分为若干个相等尺寸的第一单位格；根据待映射排布的chiplet的通信数据量的大小从大到小依次确认待映射排布的chiplet在拓扑结构上的未确认有chiplet的映射排布位置的第一单位格上的映射排布位置，形成映射排布方式；计算每一个映射排布方式的总体通信能耗；选择总体通信能耗的最小值对应的映射排布方式作为最终映射排布方式。本申请能够实现映射排布在2.5D集成中硅载板上的chiplet之间通信能耗达到最小并减小拓扑结构的面积，有效解决2.5D集成功耗和散热方面的问题，并有效降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116667810A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310470060.9
申请日：2023-04-27
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统(MEMS)器件领域，涉及一种高频兰姆(Lamb)波谐振器及制备方法。本发明提供的Lamb波谐振器，包括具有中部内凹的释放腔且上表面沉积有释放保护层的衬底、上表面为顶部电极结构且下表面为底部电极结构的压电振动结构以及设置于所述电极结构四周的焊盘。本发明申请的高频Lamb波谐振器，通过优化工艺形成边缘剪切角趋近60°的底部低阻硅电极以高质量生长压电振动结构，提高了谐振器的Q值从而使器件的性能得到提升。
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公开(公告)号：CN114297983A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202210027770.X
申请日：2022-01-11
Applicant: 南通大学 , 苏州锐杰微科技集团有限公司
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F115/12
Abstract: 本发明公开一种优化通信功耗的2.5D chiplet排布方法，步骤包括根据每个chiplet之间的比例关系以及排布间距确定每个chiplet的尺寸理论值；根据全部chiplet的尺寸理论值确定拓扑结构的大小，并将拓扑结构划分为若干个相等尺寸的第一单位格；根据待映射排布的chiplet的通信数据量的大小从大到小依次确认待映射排布的chiplet在拓扑结构上的未确认有chiplet的映射排布位置的第一单位格上的映射排布位置，形成映射排布方式；计算每一个映射排布方式的总体通信能耗；选择总体通信能耗的最小值对应的映射排布方式作为最终映射排布方式。本申请能够实现映射排布在2.5D集成中硅载板上的chiplet之间通信能耗达到最小并减小拓扑结构的面积，有效解决2.5D集成功耗和散热方面的问题，并有效降低成本。
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公开(公告)号：CN104795379B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510217835.7
申请日：2015-04-30
Applicant: 南通大学
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了差分共面传输线封装引脚内外级联结构，包括载片台、分布于载片台外周向的框架引脚和封装体。其中，框架引脚包括差分共面传输线，差分共面传输线包括并排设置的二中心导体和位于二中心导体两侧的返回路径；中心导体包括封装于封装体内部的信号线封装体内部引脚和位于封装体外部的信号线封装体外部引脚；信号线封装体内部引脚的横向尺寸与信号线封装体外部引脚的横向尺寸不同，本发明减少了现有技术中非规则的弯角所造成的整个传输通道上的阻抗不连续的缺陷。
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公开(公告)号：CN106453109A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610971499.X
申请日：2016-10-28
Applicant: 南通大学
IPC: H04L12/771 , H04L12/741 , G06F15/173
Abstract: 本发明涉及片上网络通信方法及路由器，该方法包括片上网络的任一本地路由器接收来自上游路由器发送的微片和下游路由器反馈的下游虚通道信息和拥塞信息，利用该拥塞信息计算出微片到达下游路由器的输出方向，对反馈的下游路由器的虚通道信息进行记录，同时将自身的虚通道信息和拥塞信息反馈至上游路由器，且结合下游路由器的虚通道状态，对微片输出请求进行仲裁，赢得授权的微片结合到达下游路由器的虚通道信息和输出方向形成待发送微片，该微片由输出方向所指定的输出端口输出至下游路由器。有益效果：降低了路由器的设计复杂度，在数据传输过程中采用特殊的请求屏蔽技术提高了片上网络的通信效率和性能。
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公开(公告)号：CN119727648A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411715340.2
申请日：2024-11-27
Applicant: 南通大学 , 无锡中微腾芯电子有限公司
IPC: H03H9/02 , H03H9/15 , H03H3/02 , H10N30/082
Abstract: 本申请公开了一种具有弧形总线的氮化铝兰姆波谐振器及其制备方法，属于射频MEMS器件领域。本发明提供的谐振器所述具有弧形总线的氮化铝兰姆波谐振器包括：衬底，所述衬底的上表面上设置有释放腔；底部平板电极，放置在衬底的上表面的上方并且位于所述释放腔中；压电振动结构，位于底部平板电极的表面上；顶部叉指电极，位于压电振动结构的表面上；支撑轴，位于压电振动结构的两侧使得压电振动结构、底部平板电极和顶部叉指电极均悬浮固定于释放腔中。本发明提供的具有弧形总线的氮化铝兰姆波谐振器，具有高品质因数的特点，能够实现提高Q值的新型谐振器。
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