公开(公告)号：CN112951906B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202110098377.5

申请日：2021-01-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 邱凯兵 ,  施俊 ,  刘昊 ,  田亮

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种SiC绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，晶体管器件包括设置于背面的金属集电极，从金属集电极开始依次布置有第一导电类型衬底、第一导电类型buffer层、第二导电类型集电极、第一导电类型漂移区，在第一导电类型衬底和第一导电类型buffer层中有若干个沟槽，沟槽穿透第一导电类型衬底层和第一导电类型buffer层，沟槽内的填充集电极穿透第一导电类型衬底和第一导电类型buffer后与第二导电类型集电极相连。本发明的SiC绝缘栅双极型晶体管结构通过背面深沟槽结构实现集电极金属与P型集电极连接，实现了用成熟N型衬底制备N沟道SiC IGBT器件的目标，有效降低了P型衬底带来的额外导通压降。

公开(公告)号：CN113571584B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202110746585.1

申请日：2021-07-01

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 王谦 ,  刘昊 ,  田亮 ,  施俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET器件及其制备方法，其SiC MOSFET器件包括第一掺杂类型的重掺杂的衬底、第一掺杂类型的轻掺杂的第一外延层、第二掺杂类型的电场调制区、第一掺杂类型的轻掺杂的第二外延层、第二掺杂类型的阱区、第二掺杂类型的接触区、第一掺杂类型的源区、栅沟槽、栅介质层、第一掺杂类型的多晶硅层、源极欧姆接触层、漏极欧姆接触层、栅极电极、源极电极、漏极电极、钝化层，本发明通过引入电场调制区，可有效调制器件内部电场，消除沟槽底部的电场聚集效应，还可降低沟槽底部栅氧中的电场强度，避免栅氧击穿，从而可防止器件过早击穿烧毁，提升器件可靠性。此外，制备方法与现有制备方法兼容，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN113140617A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110280013.9

申请日：2021-03-16

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 ,  南瑞集团有限公司

Inventor： 田亮 ,  施俊 ,  刘昊 ,  邱凯兵

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明公开了半导体器件技术领域的一种大功率半导体器件及其制备方法，降低了裂片过程中出现碎片的几率，提高了产品的合格率和产量。包括：在芯片第一表面进行各功能模块的制作，然后在第一表面的划片道处制作第一埋层；在芯片第二表面进行各功能模块的制作，然后在第二表面上制作与第一埋层相对的第二埋层；对芯片进行裂片，使芯片沿第一埋层和第二埋层产生裂痕，进而分割成若干个独立的半导体器件。