公开(公告)号：CN100409379C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200610013055.1

申请日：2006-01-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  王健 ,  王雅欣 ,  孙云 ,  张德贤 ,  李养贤 ,  李志青

IPC: H01F10/20 ,  H01F10/32 ,  H01F41/18 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径为19～42纳米，薄膜的室温磁电阻数值11～12%。本发明是采用直流磁控溅射技术，先在氩气和氧气的混合气氛中溅射成膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，所用基片材料为玻璃、石英、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明制备得到的多晶Fe3O4薄膜材料与目前所存的同类材料相比，其晶粒大小可以连续控制，并且具有较高的室温磁电阻数值，制备工艺简单，适用于多种基片等优点。

公开(公告)号：CN100387751C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200510122237.8

申请日：2005-12-08

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  李志青 ,  张德贤 ,  王雅欣 ,  王健

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料的制备方法。该磁敏材料的通式为FexGe1-x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。先将高纯度的氩气通入真空室，然后将超高真空闸板阀的开启度降为20%。锗靶上加15瓦的射频功率，在铁靶上加以5～15瓦的直流功率，预溅射20分钟左右。基片以20转/分钟的速率均匀旋转。本发明制备的铁锗颗粒薄膜材料为纳米晶结构，霍尔电阻灵敏度在-250℃到+200℃的温度范围内达到125VA/T，并且具有小的热漂移、零磁场偏移。本发明的材料制备简单，成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN2711951Y

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200420029281.5

申请日：2004-07-05

Applicant: 南开大学

Inventor： 王文倩 ,  吕福云 ,  谢春霞 ,  张书敏 ,  王健 ,  王宏杰

IPC: H01S3/067

Abstract: 本实用新型涉及一种光纤激光器，特别是具有复合腔的单纵模掺铒激光器，属激光技术领域。主要由三部分构成：主谐振腔部分、外腔反馈部分和信号光的放大输出部分。采用紧凑型半导体激光器作泵浦源，在几个厘米长的高掺铒光纤两端熔接光纤Bragg光栅对儿构成主腔，一段带有另一个光纤Bragg光栅的单模传光光纤与主腔熔接构成外腔，外腔的光纤光栅对信号光产生反馈并选取单纵模。最后，剩余泵浦光继续泵浦一段低掺铒光纤，对信号进行放大，放大后的激光经单向导光器从低掺铒纤的另一端输出。该结构制作工艺简单，性价比高，可以实现稳定、无跳模的单纵模激光运转。可广泛用于高速光通信、高密集波分复用、相干检测系统及相位型光纤传感系统及光谱学等领域中。