一种基于掩模曝光法的大面积液晶区域定向方法及其系统

    公开(公告)号:CN109164684A

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201811226681.8

    申请日:2018-10-22

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于掩模曝光法的大面积面外液晶区域定向方法及其系统,本方法使用掩模曝光系统构建聚合物微结构;聚合物微可由不同区域构成,每个区域的特征尺寸在几十微米量级,且区域内的液晶定向均匀;聚合物微结构的总体尺寸可从几十平方微米量级到平方分米量级,从而满足大面积加工要求,并且可以随意调整基板表面的加工范围和结构设计。本发明定向方法及系统操作简单,不需要使用机械或光诱导的方式在基板上形成定向诱导膜,能够在微米量级区域实现液晶的自定向,定向方向可以微区域调控,有利于液晶器件的微型化和三维的液晶结构定向,可广泛的推广应用。

    光学非线性偏振调控元件以及调控入射光波偏振的方法

    公开(公告)号:CN105319737B

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:CN201510801179.5

    申请日:2015-11-19

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明涉及一种光学非线性偏振调控元件,其中,其包括:一绝缘透明基底;一设置于该绝缘透明基底的一表面的金属等离子激元层,所述等离子激元层包括多个周期设置的具有手性的微结构;以及一设置于该金属等离子激元层远离该绝缘透明基底的表面且将该金属等离子激元层覆盖的折射率可调控薄膜,所述折射率可调控薄膜包括折射率在光照下可调控的材料。一种调控入射光波偏振的方法,其包括:在某一时间内,采用一偏振入射光和一调控光同时从所述折射率可调控薄膜一侧照射如上述任意一项所述的光学非线性偏振调控元件。采用本发明的光学非线性偏振调控元件可以实现对偏振光的全光式调控。该方法具有方法简单,响应速度快的优点。

    一种激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法及其系统

    公开(公告)号:CN107244669A

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201710461601.6

    申请日:2017-06-14

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法及其系统,本方法首先制备氧化物‑石墨烯‑基底材料三明治结构样品;其次,样品通过激光直写系统进行加工;超过阈值光强的区域内石墨烯在激光诱导下和氧化物发生碳热还原反应而被破坏,其他部分的石墨烯则不会被破坏得以保留,从而形成石墨烯微纳结构。本发明方法及系统操作简单,不需要借助掩模板进行曝光,避免了离子束加工中二次溅射的问题,能实现高精度的石墨烯结构及图案的加工,加工分辨率可通过激光光斑大小和激光能量调控,有利于复杂结构石墨烯图案的快速加工及高质量石墨烯结构器件的制备,可广泛的推广应用。

    一种微结构阵列光学应变传感器设计及其制造方法

    公开(公告)号:CN104807416B

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:CN201510236182.7

    申请日:2015-05-08

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于微结构阵列的光学应变传感器设计及制造方法,首先在弹性体基底材料表面进行镀膜,利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列;将制备好的器件固定在被测样品表面,利用光谱仪测量样品在形变前后及形变过程中的光谱,最终利用光谱特征峰的变化计算样品的形变量。本发明的微结构阵列光学应变传感器可以测量微小区域内形变量,且具有测量灵敏度高、检测速度快的优势。

    光学非线性偏振调控元件以及调控入射光波偏振的方法

    公开(公告)号:CN105319737A

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201510801179.5

    申请日:2015-11-19

    Applicant: 南开大学

    CPC classification number: G02F1/0136

    Abstract: 本发明涉及一种光学非线性偏振调控元件,其中,其包括:一绝缘透明基底;一设置于该绝缘透明基底的一表面的金属等离子激元层,所述等离子激元层包括多个周期设置的具有手性的微结构;以及一设置于该金属等离子激元层远离该绝缘透明基底的表面且将该金属等离子激元层覆盖的折射率可调控薄膜,所述折射率可调控薄膜包括折射率在光照下可调控的材料。一种调控入射光波偏振的方法,其包括:在某一时间内,采用一偏振入射光和一调控光同时从所述折射率可调控薄膜一侧照射如上述任意一项所述的光学非线性偏振调控元件。采用本发明的光学非线性偏振调控元件可以实现对偏振光的全光式调控。该方法具有方法简单,响应速度快的优点。

    基于掺铒铌酸锂多孔材料的上转换绿光随机激光器

    公开(公告)号:CN102157898B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201110064153.9

    申请日:2011-03-17

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于掺铒铌酸锂多孔材料的上转换绿光随机激光器。其特征在于其结构包括有:泵浦光源、准直透镜、聚焦透镜、斩波器、激光增益介质,其泵浦光源为波长980nm的红外激光器;其激光增益介质为掺铒铌酸锂多孔材料,利用其上转换特性及光子局域化特性可将980nm的激发光转化为绿光随机激光输出。本发明克服了现有光泵浦随机激光器发光波长无法覆盖至绿光波段以及使用成本偏高的问题,具有能够发射上转换绿光随机激光、使用成本低的优点。

    基于掺铒铌酸锂多孔材料的上转换绿光随机激光器

    公开(公告)号:CN102157898A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110064153.9

    申请日:2011-03-17

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于掺铒铌酸锂多孔材料的上转换绿光随机激光器。其特征在于其结构包括有:泵浦光源、准直透镜、聚焦透镜、斩波器、激光增益介质,其泵浦光源为波长980nm的红外激光器;其激光增益介质为掺铒铌酸锂多孔材料,利用其上转换特性及光子局域化特性可将980nm的激发光转化为绿光随机激光输出。本发明克服了现有光泵浦随机激光器发光波长无法覆盖至绿光波段以及使用成本偏高的问题,具有能够发射上转换绿光随机激光、使用成本低的优点。

    用红光作为读出光源的三维光子存储装置的存取方法

    公开(公告)号:CN1133162C

    公开(公告)日:2003-12-31

    申请号:CN00121096.3

    申请日:2000-07-20

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明属信息存储。将红光半导体激光器用作三维全息存储装置中的读出光源。本发明包括计算机、精密转台、写入光源、读出光源、透镜、空间滤波器、空间光调制器、反射镜、相位失配调整器、光折变晶体(如单掺、双掺铌酸锂,钽酸锂)与CCD构成;利用绿光(532nm)作为写入光,读出光波长(650-690nm,典型波长670nm)远离写入光的波长,使得图像的信噪比大大提高,并解决了光固定的难题。本发明用红光半导体激光作为读出光源,解决了现有存储器用原写入光源读出的一些弱点,大大压缩了系统的尺寸,使信息存储寿命远大于一百年,解决了信息固定的难题。

    一种激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法及其系统

    公开(公告)号:CN107244669B

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN201710461601.6

    申请日:2017-06-14

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法及其系统,本方法首先制备氧化物‑石墨烯‑基底材料三明治结构样品;其次,样品通过激光直写系统进行加工;超过阈值光强的区域内石墨烯在激光诱导下和氧化物发生碳热还原反应而被破坏,其他部分的石墨烯则不会被破坏得以保留,从而形成石墨烯微纳结构。本发明方法及系统操作简单,不需要借助掩模板进行曝光,避免了离子束加工中二次溅射的问题,能实现高精度的石墨烯结构及图案的加工,加工分辨率可通过激光光斑大小和激光能量调控,有利于复杂结构石墨烯图案的快速加工及高质量石墨烯结构器件的制备,可广泛的推广应用。

    一种分光器以及采用该分光器的分光方法

    公开(公告)号:CN108061936B

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201711396942.6

    申请日:2017-12-21

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种分光器以及采用该分光器的分光方法。该分光器包括:一透光基底;设置于该透光基底表面的多个周期性的第一微结构单元,所述第一微结构单元包括多个沿X方向平行且间隔设置的第一微纳米柱,所述多个第一微纳米柱的高度相同,且所述多个第一微纳米柱的横截面尺寸梯度变化;以及设置于该透光基底表面的多个周期性的第二微结构单元,所述第二微结构单元包括多个沿X方向平行且间隔设置的第二微纳米柱,所述多个第二微纳米柱的高度相同,所述多个第二微纳米柱的横截面尺寸梯度变化,且所述多个第一微纳米柱的梯度与所述多个第二微纳米柱的梯度相同但相反;所述多个周期性的第一微结构单元和多个周期性的第二微结构单元交替设置。

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