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公开(公告)号:CN103972789A
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201410134928.9
申请日:2014-04-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物非对称型回音壁模式光学微腔器件及制备方法,光学微腔器件包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的氮化镓层,氮化镓层中设置有非对称型回音壁模式光学微腔和水平的支撑臂,非对称型回音壁模式光学微腔下方设置有贯穿硅衬底层的空腔,使非对称型回音壁模式光学微腔完全悬空,非对称型回音壁模式光学微腔通过支撑臂与氮化镓层连接,实现微腔内部光全反射传播,最终方向性的输出。本发明器件能够实现激光选频并且定向输出的功能、制造工艺简便、输出功率高。
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公开(公告)号:CN105428305B
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201510816501.1
申请日:2015-11-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/762 , H01L27/04 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供一种悬空LED光波导光电探测器单片集成器件及其制备方法,该器件利用各向异性硅刻蚀技术,剥离去除器件结构下硅衬底层,得到悬空氮化物薄膜LED光波导探测器单片集成器件,进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术,获得超薄的硅衬底悬空LED光波导探测器单片集成器件。本发明器件将光源、光波导和光电探测器集成在同一芯片上,LED器件发出的光,侧向耦合进光波导,通过光波导传输,在波导另一端被光电探测器检测到,实现平面光子单片集成器件,应用于光通信和光传感领域。
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公开(公告)号:CN103779452B
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201410026373.6
申请日:2014-01-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法,实现载体为硅衬底氮化物晶片,包括顶层氮化物器件层和硅衬底层;该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离,消除硅衬底层对激发光的吸收,实现悬空氮化物薄膜LED器件;顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构,用以改善氮化物的界面状态,提高出光效率;结合背后对准和深硅刻蚀技术,去除LED器件下方的硅衬底层,得到悬空氮化物薄膜LED器件,进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术,获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件,降低LED器件的内部损耗,提高出光效率。
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