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公开(公告)号：CN105895803A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610051400.4
申请日：2016-01-26
Applicant: 南京工业大学
IPC: H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/48 , H01L51/00 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/56 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L51/42 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/5012 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L51/001 , H01L51/0077 , H01L51/4253 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿光电器件，包括衬底、电极层和功能层，所述电极层设置于衬底表面，功能层设置在电极层之间，功能层至少包括钙钛矿层，其中，所述钙钛矿层为具有自组装多量子阱结构的钙钛矿材料，通过调整材料组分，可实现多量子阱宽度的可控调节及多量子阱之间有效的能量转移，发光颜色可以是近紫外、可见光和近红外光，并且可有效解决现有钙钛矿材料薄膜不连续和稳定性差的问题。本发明制备钙钛矿光电器件的工艺简单、成本低廉，适合广泛应用于大面积、低成本、柔性衬底和高性能器件的工业化生产。本发明还公开了一种钙钛矿材料，可用于光致发光、电致发光、光伏及薄膜晶体管器件中。
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公开(公告)号：CN104681731A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510068283.8
申请日：2015-02-09
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿型电致发光器件，包括衬底、阴极层、电子传输-空穴阻挡层、发光层、空穴传输-电子阻挡层和阳极层，其中所述发光层为具有钙钛矿结构的材料，该器件结构可以有效促进载流子注入和传输，限制载流子/激子充分复合发光，并且通过改变发光材料的组分，可实现从近紫外、可见光到近红外波段的发光颜色可调。本发明提供的发光器件效率高、开启电压低、色饱和好、光谱随电压变化稳定，同时工艺简单、成本低廉，适合广泛应用于显示与照明领域的产品中，尤其适用于大面积、低成本、柔性衬底、高性能发光器件的工业化生产。
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公开(公告)号：CN119816158A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411078386.8
申请日：2024-08-07
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明属于显示领域，公开一种基于钙钛矿材料的全彩Micro‑LED芯片阵列及其制备方法，包括多个颜色的钙钛矿Micro‑LED芯片，每个颜色钙钛矿Micro‑LED芯片包括功能层和电极，所述的功能层包括Micro‑LED底部传输层、Micro‑LED活性层和Micro‑LED顶部传输层，在单色钙钛矿Micro‑LED活性层上通过卤素阴离子交换的方法获得其它颜色的钙钛矿Micro‑LED活性层。本发明全彩钙钛矿Micro‑LED可以通过衬底图案化直接制备满足分辨率的显示屏幕，相对于基于巨量转移制备的Micro‑LED芯片阵列，其制备成本低，易于实现钙钛矿Micro‑LED芯片阵列的高通量生产。
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公开(公告)号：CN117801808A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211165483.1
申请日：2022-09-23
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种带隙可调的钙钛矿薄膜和制备方法及其光电器件，所述薄膜是通过原位离子交换方法制备得到的，所述的方法为液‑固离子交换法、固‑固离子交换法或气‑固离子交换法，其不受限于卤化物在钙钛矿前驱体溶液中的溶解度，有助于实现任意卤素比例的钙钛矿薄膜，制备的钙钛矿薄膜具有缺陷少、光电性能优异的特点，有助于实现高亮度、高效率的发光器件。
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公开(公告)号：CN114335400B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202011054422.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制混合卤素钙钛矿相分离的方法及应用和器件，通过加入有机添加剂，使前驱体溶液中不同卤素在分子水平均匀混合；所述有机添加剂为具有较大空间位阻，并且能够促进混合卤素均匀混合的分子。采用本发明的技术方案，具有以下有益效果：1)在任意混合卤素比例下都可有效抑制其相分离；2)抑制相分离的同时，不会带来新的问题(例如导电性、亮度降低)；3)提高钙钛矿薄膜光致发光量子产率和光谱稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116177558A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310076076.1
申请日：2023-01-18
Applicant: 国家能源集团科学技术研究院有限公司 , 南京工业大学
Abstract: 本发明涉及沸石分子筛制备与气体吸附领域，公开了一种锆硅CHA分子筛及其制备方法和应用。该方法包括：(1)将锂源与水混合，然后依次加入硅源和结构导向剂，得到混合液；(2)将所述混合液与锆源进行搅拌混合，得到混合料；(3)将所述混合料置于反应釜中进行水热反应，然后进行洗涤、烘干和焙烧；所述硅源、锆源、锂源、结构导向剂和水的摩尔比为1:0.0033‑0.02:0.01‑0.5:0.1‑1.25:10‑500。所述方法无需使用含氟原料，克服了由于使用含氟原料带来的安全隐患和环保问题。制备的锆硅CHA分子筛为微孔结构，具有良好的疏水性，在气体吸附等领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114713041A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210393002.6
申请日：2022-04-14
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种原位制备Si‑CHA分子筛膜的方法，多孔载体经有机结构导向剂预处理，将多孔载体直接放入无氟合成溶胶中，采用原位生长法在多孔载体上生长一层连续致密的Si‑CHA分子筛膜。本发明采用的溶胶态无氟原位合成法大幅提升了膜制备的重复性和过程的环境友好性。原位合成法比晶种法省去了晶种制备和涂敷步骤，提高了合成效率和可重复性。该膜对CO2/CH4和CO2/N2混合气体具有很好的分离性能，可用于天然气纯化和烟道气碳捕集。
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公开(公告)号：CN113388385A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010165973.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种非铅金属卤化物材料及其制备方法和器件，非铅金属卤化物的结构通式为Od‑AaBbXc，其中A为金属阳离子；B为Cu+、Cu2+、Ag+、Au+、Sn2+、Bi3+、In3+等金属离子；X为卤素阴离子；O为有机物；非铅金属卤化物前驱体溶液由AX和BX以及有机物添加剂溶于溶剂中，通过溶液法制得。本发明通过利用含有氧原子的有机物在不改变卤化物组分的情况下，改善薄膜的结晶性和覆盖率，增大薄膜的表面电势，提高载流子的注入和传输，从而提高器件的亮度、外量子效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN108630831B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710177638.6
申请日：2017-03-23
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种提高钙钛矿发光器件寿命的方法及钙钛矿发光器件，通过有机改性剂对钙钛矿发光器件中钙钛矿薄膜表面进行改性，将所述有机改性剂溶于溶剂中，钙钛矿薄膜应不溶于所述溶剂，利用旋涂法或浸泡法在钙钛矿表面形成改性层，并进行热退火；所述改性剂是一种能与钙钛矿薄膜表面的阳离子和阴离子形成化学键从而达到改性效果的有机化合物，包含直链或环状脂肪族化合物，芳香族化合物或杂环化合物。本发明通过对钙钛矿薄膜表面改性，有效的与未配位的阳离子和阴离子形成化学键，减少表面缺陷，提高钙钛矿薄膜的稳定性。制备的器件外量子效率在高电流密度下衰减减缓，可提高钙钛矿发光器件在高电流密度、高初始外量子效率下的寿命。
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公开(公告)号：CN119113820A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411319208.X
申请日：2024-09-21
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种异相晶种法合成Si‑CHA分子筛膜的方法，采用清液态碱矿化无氟溶胶，利用异相晶种法在多孔载体上制备高性能的Si‑CHA分子筛膜，包括以下步骤：(1)MFI分子筛晶种制备；(2)多孔载体预处理；(3)异相晶种法制备Si‑CHA分子筛膜。本发明方法采用流动性好的清液代替半固体凝胶，可均匀浸润多孔载体或晶体层，将载体或晶体的表面和孔道的空气排除，同时液态下的传质速率显著高于半固态，从而大幅减少晶间孔形成概率。本发明制备的Si‑CHA分子筛膜具有高的化学稳定性和水热稳定性，适合从天然气中捕集二氧化碳。
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