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公开(公告)号：CN110719447A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910965943.0
申请日：2019-10-12
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
Inventor： 马浩文
Abstract: 本发明提供一种具有多通道窄带滤色片阵列的图像传感器。该图像传感器包括二维光敏像素阵列和多通道窄带滤色片阵列，滤色片阵列位于光敏像素阵列感光面的上方，且每一个光敏像素对应一个带宽的窄带滤色片；光敏像素阵列和滤色片阵列均由最小重复单元重复排列组成，最小重复单元分别由n*n个光敏像素或者窄带滤色片构成，其中n为大于2的正整数。本发明的图像传感器具有多通道窄带滤色片阵列，能够进行高光谱成像，可以同时获得光谱分辨率和空间分辨率，可以快速、高性能地获得光谱信息和空间信息，集成度高，成本低。
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公开(公告)号：CN111146223A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911257285.6
申请日：2019-12-10
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种复合介质栅双器件光敏探测器的晶圆堆叠结构。该结构的复合介质栅双器件光敏探测器包括具有感光功能的MOS-C部分和具有读取功能的MOSFET部分，探测器的MOS-C部分设置在上晶圆，探测器的MOSFET部分设置在下晶圆；上晶圆和下晶圆堆叠集成在一起；探测器的MOS-C部分和探测器的MOSFET部分通过通孔相连。本发明的堆叠结构能提高光敏探测器的填充系数，并能减小读取过程中对感光区的影响，提高信噪比和灵敏度。
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公开(公告)号：CN110677604A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910965769.X
申请日：2019-10-12
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
Inventor： 马浩文
Abstract: 本发明提供电压域全局曝光图像传感器的像素单元及其控制方法。其中，像素单元包括光电转换单元、采样单元、复位单元和读取单元；光电转单元包括浮栅感光晶体管和第一源极跟随晶体管，采样单元包括采样晶体管，复位单元包括复位晶体管，读取单元包括第二源极跟随晶体管和读取选择晶体管，采样晶体管的源极与复位晶体管的漏极相连的节点构成浮置扩散节点。本发明使用浮置扩散节点作为采样信号存储节点，与光电荷积累区域隔离，不进行光电荷转移即可实现全局曝光功能，从而提高了像素单元的PLS性能，最终提高了图像质量。
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公开(公告)号：CN111146223B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201911257285.6
申请日：2019-12-10
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司 , 南京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种复合介质栅双器件光敏探测器的晶圆堆叠结构。该结构的复合介质栅双器件光敏探测器包括具有感光功能的MOS‑C部分和具有读取功能的MOSFET部分，探测器的MOS‑C部分设置在上晶圆，探测器的MOSFET部分设置在下晶圆；上晶圆和下晶圆堆叠集成在一起；探测器的MOS‑C部分和探测器的MOSFET部分通过通孔相连。本发明的堆叠结构能提高光敏探测器的填充系数，并能减小读取过程中对感光区的影响，提高信噪比和灵敏度。
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公开(公告)号：CN112787646A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011640730.X
申请日：2020-12-31
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
IPC: H03K17/30
Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的钳位电路，该钳位电路包括运算放大器和源跟随晶体管，所述运算放大器的同相端与参考电位相连，所述运算放大器的反相端与所述源跟随晶体管的漏端和所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的漏端相连，所述运算放大器的输出端与所述源跟随晶体管的栅端相连，所述源跟随晶体管的源端与读出电路相连。本发明的钳位电路，利用运算放大器的虚短特性，能够以更低的功耗、更小的面积，实现更加稳定的钳位功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111147772A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911257874.4
申请日：2019-12-10
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
IPC: H04N5/353 , H04N5/355 , H04N5/369 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的曝光方法及其电路，包括复合介质栅双晶体管光敏探测器构成的阵列，复合介质栅双晶体管光敏探测器包括MOS-C部分和MOSFET部分。技术方案中包括全局曝光和卷帘曝光两种曝光方式：(1)通过让每一行依次进行曝光和读取的方式，实现了基于复合介质栅双晶体管光敏探测器阵列的卷帘曝光，(2)通过在像素内添加电荷转移单元、电荷存储单元和电荷复位单元，实现了基于复合介质栅双晶体管光敏探测器阵列的全局曝光。本发明为复合介质栅双晶体管光敏探测器阵列提供了拍摄高质量静态图像和动态图像的方法。
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公开(公告)号：CN107658321B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201610592997.3
申请日：2016-07-25
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅的双器件光敏探测单元、探测器及其方法。其中，光敏探测单元包括复合介质栅MOS‑C部分和复合介质栅MOSFET部分，这两部分形成在同一P型半导体衬底的上方，并共用电荷耦合层。多个上述光敏探测单元在同一P型半导体衬底上排成阵列形成探测器，探测器中相邻单元像素之间通过深槽隔离区以及隔离区下方的P+型注入区来实现隔离。探测时，复合介质栅MOS‑C部分的P型半导体衬底感光，然后将光电子耦合到电荷耦合层，光电子信号通过复合介质栅MOSFET部分进行读取。本发明可以很好地实现光信号的探测，具有较好的弱光响应和线性度，同时没有明显的饱和现象，有比较大的动态范围和比较高的量子效率。
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公开(公告)号：CN213960195U
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202023340957.0
申请日：2020-12-31
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
IPC: H04N5/369 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 本实用新型涉及一种基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的像素合并电路，包括多个复合介质栅双晶体管构成的晶体管阵列，晶体管阵列的前端设有字线选通模块，晶体管阵列的后端设有位线选通模块、电流电压转换模块和模数转换模块；晶体管阵列同行所有晶体管的栅极相连，构成字线且受控于字线选通模块；晶体管阵列同列所有晶体管的漏端相连，构成位线且受控于位线选通模块；晶体管阵列同列所有晶体管的源端相连，构成源线；位线选通模块的输出端与电流电压转换模块的输入端相连，电流电压转换模块的输出端与模数转换模块的输入端相连。本实用新型可实现将m×n个像素的合并，信噪比提升至原来的m×n倍。
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公开(公告)号：CN214152901U
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202023311672.4
申请日：2020-12-30
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本实用新型涉及一种垂直电荷转移型光子解调器，属于光子解调器技术领域。包括半导体，半导体的下方设有半导体衬底，半导体的上表面设有调制解调部分，半导体的下表面延伸至半导体衬底的底部构成感光部分；感光部分为轻掺杂的P或N型的光电导，该光电导的两电极分别设置在半导体的上表面和半导体衬底的底部；调制解调部分包括至少两个电荷收集区，以及与电荷收集区数目相对应的调制开关。电荷收集区为重掺杂的N型，调制开关为重掺杂的P型；不同电荷收集区之间用浅槽隔离或P掺杂作为隔离，调制开关与对应的电荷收集区相邻。该光子解调器的感光过程依靠垂直电场，无论像素尺寸如何缩小，都不会影响感光区的深度，量子效率不会因此大幅降低。
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公开(公告)号：CN211017105U
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201921701285.6
申请日：2019-10-12
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
Inventor： 马浩文
IPC: H01L31/113
Abstract: 本实用新型提供了一种基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件。该器件包括复合介质栅、MOS电容和感光晶体管，复合介质栅的P型基底上方依次设有底层介质层、浮栅和顶层介质层，顶层介质层上方设有MOS电容的控制栅极和感光晶体管的控制栅极，感光晶体管的控制栅极通过互连导线和P型基底连接；MOS电容和感光晶体管设置在P型基底内，并通过浅槽隔离；感光晶体管设有源极和漏极；MOS电容和感光晶体管之间通过浮栅相连。本实用新型的器件能实现低功耗的感光自增益功能和增益控制功能，同时满足对强光和弱光的探测需求，实现高动态范围的光敏探测。
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