-
公开(公告)号：CN101451883A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810243433.4
申请日：2008-12-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种用于机械转子单截面轴振分析的短时频谱阵列，称为短时二维全息谱阵列，它的制作包含下面步骤：(1)读取同步采集的来自转轴一截面两垂直方向的x信号序列和y信号序列；(2)按一定的时延D和短时窗长L，分别对x信号序列和y信号序列进行分割，依次分割出各自的一组短时信号序列；(3)用每一对时跨相同的两方向短时信号序列在频域合成一个短时二维全息谱；(4)将合成的所有短时二维全息谱沿时间轴排列，即按短时信号序列截取的时间次序排列。短时二维全息谱阵列，不仅能反映各轴振分量振动幅值随时间的动态变化，也能反映振动方向随时间动态变化的特点，是对机械转轴运行平稳性进行深度分析的工具。
-
公开(公告)号：CN114307941B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111208776.9
申请日：2021-10-18
Applicant: 南京大学
IPC: B01J20/02 , B01J20/32 , C02F1/28 , C02F1/70 , C02F1/72 , C02F1/30 , B01J31/02 , C02F101/14 , C02F101/36
Abstract: 本发明公开了一种胺化表面缺陷闪锌矿材料、制备方法及其在降解全氟化合物中的应用，属于持久性污染物降解领域。本发明通过在闪锌矿的合成过程中加入阳离子表面活性剂而对闪锌矿进行表面胺化并诱导形成表面晶体缺陷，得到一种新型的胺化表面缺陷闪锌矿材料，该材料表现出对全氟化合物(PFCs)极强的吸附性和极强的光还原性，应用在全氟污染水体中，能够大大促进PFCs降解和脱氟，解决现有降解全氟化合物技术存在的降解效率低、反应条件苛刻等问题。
-
公开(公告)号：CN114307941A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111208776.9
申请日：2021-10-18
Applicant: 南京大学
IPC: B01J20/02 , B01J20/32 , C02F1/28 , C02F1/70 , C02F1/72 , C02F1/30 , B01J31/02 , C02F101/14 , C02F101/36
Abstract: 本发明公开了一种胺化表面缺陷闪锌矿材料、制备方法及其在降解全氟化合物中的应用，属于持久性污染物降解领域。本发明通过在闪锌矿的合成过程中加入阳离子表面活性剂而对闪锌矿进行表面胺化并诱导形成表面晶体缺陷，得到一种新型的胺化表面缺陷闪锌矿材料，该材料表现出对全氟化合物(PFCs)极强的吸附性和极强的光还原性，应用在全氟污染水体中，能够大大促进PFCs降解和脱氟，解决现有降解全氟化合物技术存在的降解效率低、反应条件苛刻等问题。
-
公开(公告)号：CN101368870A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810156584.6
申请日：2008-10-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种用于机械转子单截面轴振分析的幅值频谱，它的制作由这些步骤组成：(1)读入同步采集的转轴一截面两垂直方向的位移信号序列x和y；(2)分别对两信号序列进行快速离散傅立叶变换；(3)基于两信号离散傅立叶变换结果求取各自傅立叶级数；(4)从获取的两傅立叶级数中，将每个频率下的来自x信号的正弦波谐波分量和来自y信号的正弦波谐波分量合成，得到一个轴心轨迹椭圆，又称为李萨育图形；(5)计算各频率下所合成椭圆的长半轴的大小，即各频率下截面上的轴振幅值的大小；(6)以频率或其阶次为横轴，以轴振幅值为纵轴，绘制出幅值频谱。每个轴振幅值代表相应频率下截面轴振实际大小，不受传感器安装方位影响。
-
公开(公告)号：CN119944320A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510108725.0
申请日：2025-01-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种液态金属层封装的蜂窝结构微波‑红外隐身调制系统，属于微波‑红外兼容伪装技术领域，包括蜂窝结构和液态金属层，蜂窝结构包括蜂窝底和周期性排列的蜂窝芯，蜂窝芯设置在蜂窝底上，液态金属层覆盖在蜂窝芯上，蜂窝底和蜂窝芯材质相同，均由弹性体基质、吸波材料和固化剂混合制备而成，液态金属层由液态金属、弹性体基质和固化剂混合制备而成。本发明还提供了上述微波‑红外隐身调制系统的制备方法。本发明可通过调节电磁参数、蜂窝结构参数、液态金属浓度和形貌变化，实现反射率和红外发射率的调节。本发明液态金属封装的蜂窝结构还具备宽频吸波、低红外发射率、曲面共形能力以及良好的柔韧性和散热性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111429495B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202010302960.9
申请日：2020-04-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种新型非刚性图像配准方法，包括以下步骤：构建浮动图像与固定图像之间的位移场的二阶有界广义形变函数，将位移场的二阶广义形变函数作为变分模型的正则项；按照待配准图像之间的灰度分布特点，采用不同的数据项：当待配准图像之间的灰度分布接近，不存在局部灰度偏移时，采用平方差之和(sum of squared difference，SSD)作为模型的数据项，建立BGDSSD配准模型；当待配准图像之间存在局部灰度偏移时，采用局部相关系数(local correlation coefficient，LCC)作为模型的数据项，建立BGDLCC配准模型；利用自适应原始‑对偶算法求解配准模型，得到配准结果。本发明能够在满足有界形变的前提下得到更光滑的位移场，从而得到更有效的配准结果。
-
公开(公告)号：CN112551778B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011308954.0
申请日：2020-11-20
Applicant: 南京大学
IPC: C02F9/08 , C02F101/36
Abstract: 本发明公开了一种高效处理全氟化合物污染水体的方法，属于持久性污染物降解领域。本发明利用在水中呈正电性或电中性的吲哚衍生物，增强与阴离子的PFCs之间的结合作用，从而提高其产生的水合电子与PFCs的反应效率，促进PFCs的降解和脱氟，不仅解决了现有的降解PFCs方法存在降解效率低、反应条件苛刻、需要添加其他外源物质等问题，而且对环境不会造成二次污染，具有较高的应用价值。
-
公开(公告)号：CN113555457A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010338509.2
申请日：2020-04-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种Ge/Si衬底，其包括依次层叠设置的Si衬底、Si缓冲层和Ge薄膜，所述Ge薄膜通过外延法生长在所述Si缓冲层上，其中所述Ge薄膜的空穴迁移率大于1000cm2/Vs。本发明提供的Ge/Si衬底中，Ge薄膜表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，空穴载流子迁移率大于1000cm2/Vs，最高可达1300cm2/V·s，可以极大的推动Si基Ge光子技术的发展，另外本发明的Ge/Si衬底可以代替锗衬底，用于材料的外延生长及后续的器件集成和加工。本发明还提供了Ge/Si衬底的制备方法。
-
公开(公告)号：CN111429495A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010302960.9
申请日：2020-04-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种新型非刚性图像配准方法，包括以下步骤：构建浮动图像与固定图像之间的位移场的二阶有界广义形变函数，将位移场的二阶广义形变函数作为变分模型的正则项；按照待配准图像之间的灰度分布特点，采用不同的数据项：当待配准图像之间的灰度分布接近，不存在局部灰度偏移时，采用平方差之和(sum of squared difference，SSD)作为模型的数据项，建立BGDSSD配准模型；当待配准图像之间存在局部灰度偏移时，采用局部相关系数(local correlation coefficient，LCC)作为模型的数据项，建立BGDLCC配准模型；利用自适应原始-对偶算法求解配准模型，得到配准结果。本发明能够在满足有界形变的前提下得到更光滑的位移场，从而得到更有效的配准结果。
-
公开(公告)号：CN103337250A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310276651.9
申请日：2013-07-03
Applicant: 南京大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明公开了一种非挥发阻变存储器，其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。本发明借鉴铁电场效应器件的工作机制，采用半导体材料作为电极，提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中，自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度，从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化，成功调制了结电阻，并获得了104以上的ON/OFF阻态比，比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.059 seconds)
