公开(公告)号：CN119725049A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411817490.4

申请日：2024-12-11

Applicant: 南京大学 ,  合肥国家实验室

Inventor： 王科 ,  柳裕 ,  邵鹏飞 ,  刘达伟 ,  姚齐 ,  陆海 ,  张荣

IPC: H01J1/34

Abstract: 本发明公开了一种分层掺杂的GaN光电阴极，其结构最底层为衬底，其上依次生长有缓冲层、GaN光吸收层、GaN电子迁移层，在GaN电子迁移层上吸附有Cs/O激活层，所述GaN光吸收层为非故意掺杂或p型掺杂，所述GaN电子迁移层为p型掺杂，且掺杂浓度高于GaN光吸收层。通过协同控制p‑GaN掺杂浓度与厚度，本发明提出的分层掺杂GaN光电阴极结构，有效避免了传统结构GaN光电阴极材料高晶体质量和高浓度p型掺杂在外延生长中难以兼容问题，在光电子产生、迁移、发射三个方面均有改善，实现提高光阴极量子效率的效果。

公开(公告)号：CN116247139A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310045348.1

申请日：2023-01-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 王科 ,  王中伟 ,  李思琦 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种Si掺杂短周期(AlN)m(GaN)n超晶格结构，其特征在于所述超晶格结构存在多个周期，每个周期的结构特征为Si掺杂的(AlN)m(GaN)n，其中m和n分别代表AlN和GaN区域中的原子层数。还公开了其制备方法。Si掺杂短周期(AlN)m(GaN)n超晶格在相似的电子迁移率的条件下具有更高的电导率，远高于Si掺杂的相同Al组分的AlGaN三元合金。并且硅掺杂短周期超晶格的电阻率相较于相同Al组分的AlGaN三元合金明显偏小。故本发明公开的Si掺杂短周期(AlN)m(GaN)n超晶格结构有利于提高电导率，可用于开发深紫外器件。

公开(公告)号：CN110620042B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201910908310.6

申请日：2019-09-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 郭慧 ,  陈敦军 ,  刘斌 ,  王科 ,  谢自力 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法，在生长完AlGaN/GaN HEMT结构后原位再外延一层InN保护层，当采用MOCVD再生长p‑GaN栅结构时在生长系统中先将InN保护层高温蒸发掉，再外延p‑GaN层，这种方法避免了AlGaN因暴露于空气中导致的C和O杂质污染，能有效降低p‑GaN/AlGaN的界面态密度。同时，该方法制备HEMT器件时因不需要刻蚀p‑GaN层，避免了传统方法在源漏区因不能精确控制p‑GaN层的刻蚀深度而导致的高源漏接触电阻或界面损伤。