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发明公开
Si掺杂短周期(AlN)m(GaN)n超晶格结构及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116247139A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310045348.1

申请日：2023-01-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 王科 , 王中伟 , 李思琦 , 张荣 , 郑有炓

IPC: H01L33/04 , H01L33/32 , H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种Si掺杂短周期(AlN)m(GaN)n超晶格结构，其特征在于所述超晶格结构存在多个周期，每个周期的结构特征为Si掺杂的(AlN)m(GaN)n，其中m和n分别代表AlN和GaN区域中的原子层数。还公开了其制备方法。Si掺杂短周期(AlN)m(GaN)n超晶格在相似的电子迁移率的条件下具有更高的电导率，远高于Si掺杂的相同Al组分的AlGaN三元合金。并且硅掺杂短周期超晶格的电阻率相较于相同Al组分的AlGaN三元合金明显偏小。故本发明公开的Si掺杂短周期(AlN)m(GaN)n超晶格结构有利于提高电导率，可用于开发深紫外器件。

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