公开(公告)号：CN113078471B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202010003703.5

申请日：2020-01-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  王珂 ,  廖轶明

IPC: H01Q13/02 ,  H01Q15/16

Abstract: 本发明提出了一种反射面和差网络天线。该天线包括反射面天线、馈源以及和差网络，馈源连接至和差网络，其中，馈源采用单耳型喇叭，两个以上的单耳型喇叭成对对称分布在反射面天线焦点的两侧；单耳型喇叭为角锥喇叭的形状，喇叭口的边缘延伸设置有单耳结构。本发明提出的新型反射面和差网络天线，为馈源对反射面天线的遮挡问题提供了一种有效解决办法，能够在减小馈源相位中心相对反射面焦点偏移的同时得到高增益、低副瓣、低零值深度和高度对称的扇形和差波束。

公开(公告)号：CN111834732A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201910321996.9

申请日：2019-04-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  王珂 ,  闫锋 ,  任芳芳

IPC: H01Q1/22 ,  H01Q1/36 ,  H01Q1/50 ,  H01Q5/28 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明提出了一种基于集成电路工艺的太赫兹多频探测器及其探测方法。其探测器包括多频表面等离子体共振天线和晶体管；多频表面等离子体共振天线由两个对称设置的天线单元构成，天线单元包括扇形环嵌套接收面和水平振子，扇形环嵌套接收面包括同心设置的内半圆和外扇形环，水平振子与内半圆在圆心处垂直连接；晶体管设置在两个天线单元的水平振子之间且垂直于天线单元所在的平面；晶体管的栅极与多频表面等离子体共振天线位于同一多晶硅层。该探测器可以采用标准集成电路工艺技术，在单个探测器上实现一芯多频的功能，具有体积小、重量轻、高精度、高可靠、低功耗和低成本等突出优势，有利于实现太赫兹多频探测的微型化与小型化。

公开(公告)号：CN109904854A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910030412.2

申请日：2019-01-14

Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 ,  南京大学 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 于华 ,  李亚平 ,  周竞 ,  蒋智威 ,  顾庆 ,  王珂 ,  钱甜甜

IPC: H02J3/00 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明涉及一种面向需求响应的家庭电路负荷分解方法及系统，将采集的目标家庭的电路负荷数据，代入预先建立的深度长短期记忆网络模型中；利用深度长短期记忆网络模型对所述目标家庭的电路负荷数据进行分解，并将分解结果进行拼接，得到所述目标家庭各用电器的用电情况；其中，所述深度长短期记忆网络模型包括预先采集的典型家庭电路负荷数据。

公开(公告)号：CN109904854B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201910030412.2

申请日：2019-01-14

Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 ,  南京大学 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 于华 ,  李亚平 ,  周竞 ,  蒋智威 ,  顾庆 ,  王珂 ,  钱甜甜

IPC: H02J3/00 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明涉及一种面向需求响应的家庭电路负荷分解方法及系统，将采集的目标家庭的电路负荷数据，代入预先建立的深度长短期记忆网络模型中；利用深度长短期记忆网络模型对所述目标家庭的电路负荷数据进行分解，并将分解结果进行拼接，得到所述目标家庭各用电器的用电情况；其中，所述深度长短期记忆网络模型包括预先采集的典型家庭电路负荷数据。

公开(公告)号：CN116822316A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202210262325.1

申请日：2022-03-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  王珂 ,  江浩东 ,  廖轶明 ,  郭耀祖 ,  刘家兵

IPC: G06F30/27 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明公开了一种基于神经网络的氮化镓器件寿命预测方法。该方法的步骤包括：通过半导体器件仿真软件模拟氮化镓器件在不同应力下电学性能(如：漏极电流)随时间的退化；基于神经网络建立氮化镓器件寿命预测模型，并将氮化镓器件电学性能在不同应力下的退化作为数据集训练寿命预测模型，进而通过训练好的模型预测出正常工作条件下器件的使用寿命。本发明通过将半导体器件仿真软件与神经网络模型结合，可掌握氮化镓器件在不同应力下的退化情况，可预测出器件在正常工作条件下电学参数随时间的退化，进而计算出器件的寿命，为氮化镓器件的可靠性寿命研究提供新的思路。

公开(公告)号：CN119064576A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411059105.4

申请日：2024-08-02

Applicant: 江苏省人民医院(南京医科大学第一附属医院) ,  南京大学

Inventor： 管晓翔 ,  李喆 ,  徐锋 ,  王珂

IPC: G01N33/569 ,  G01N21/64 ,  G01N33/574 ,  G01N33/531 ,  C12N15/115

Abstract: 本发明提供了一种用于HER2相关外泌体的检测方法及其应用本发明应用。借助于双DNA四面体纳米材料检测样品中HER2相关外泌体的浓度，相比于传统方法，对HER2相关外泌体具有更好的富集作用，从而为精准的浓度检测提供了有效的手段。借助于以上富集手段检测样本，结果发现人血清中HER2相关外泌体水平的升高与HER2阳性乳腺癌的发生发展关系密切。借助于更为精准的检测，利用双DNA四面体纳米材料能够对HER2阳性乳腺癌起到筛查、诊断、转移、预后评估的作用，并且对不同HER2表达水平的乳腺癌患者起到鉴别作用。