类金刚石材料场电子发射阴极及制备方法

    公开(公告)号:CN101060047A

    公开(公告)日:2007-10-24

    申请号:CN200710021318.8

    申请日:2007-04-06

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 类金刚石材料场电子发射阴极制备方法,利用团簇束流在基底上沉积高密度纳米针尖发射体从而实现高场发射电流和低发射阈值,在高真空室中,利用Ar、He等气体碰撞射频磁控溅射产生的类金刚石材料蒸气产生纳米颗粒,并产生定向束流将其引到衬底,改变束流强度和沉积时间来实现高空间密度发射体制备;束流的调节方法是:调节靶室中的Ar、He气体流量101-102sccm和分压1∶1~5∶1,调节最终工作体束流的尺寸组分;调节溅射靶材到小孔的距离>10cm调节纳米颗粒以及最终发射体的大小。本发明获得高发射体空间密度和高性能(低启动电压、高发射电流)的场发射阴极。

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