公开(公告)号：CN117060222A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311127856.0

申请日：2023-09-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 赵杰 ,  王亚光 ,  孙振兴 ,  徐真真 ,  汤凯飞 ,  袁伟 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/12

Abstract: 本发明提供了一种半导体多波长激光器装置，激光器光栅结构采用线性渐变光栅结构，用于增加激光器的禁带宽度，整体激光器光栅结构等分为多段结构，所设计激光器的整体光栅在激光器的腔体内呈现渐变过程，周期渐变变化。通过控制整体光栅周期变化实现多波长激射波长及波长间隔。激光器在各段光栅之间引入相移，达到相位匹配，激光器存在多相移结构从而实现多波长激射输出。本发明半导体多波长激光器装置由下至上依次由衬底、缓冲层、下限制层、多量子阱层、上限制层、光栅层、腐蚀阻挡层、波导层和接触层叠设而成，其中，光栅层由激光器光栅构成。本发明具有单颗激光器多波长输出，结构简单，功耗低，集成度高的优点。

公开(公告)号：CN115224585A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210872970.5

申请日：2022-07-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 龚洋洋 ,  徐真真 ,  孙振兴 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/10

Abstract: 本发明公开了一种单颗实现多波长激射的半导体激光器，包括激光器区域与集成在激光器地出光端的SOA区域；激光器区域与SOA区域均依次包括正电极层、电隔离、光栅层、有源层、缓冲层、负电极层；所述光栅层分为光栅分布区域和光栅空白区域，且光栅层的光栅由种子光栅和一次取样光栅、二次取样光栅叠加合成得到；正电极层由所述电隔离分隔为光栅电极与空白电极；光栅电极为光栅分布区域提供泵浦电流；空白电极为光栅空白区域提供透明电流；通过给SOA区域加电为激光提供额外的增益，提高激光器区域的输出功率。本发明满足WDM对于波长的需求，可有效解决现有多波长半导体激光器阵列存在的结构复杂、难集成、额外功耗大、不便用于密集波分复用系统，实现不同激光器或通道的快速切换需要特殊考虑等问题。

公开(公告)号：CN114825037A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210365085.8

申请日：2022-04-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 王亚光 ,  孙振兴 ,  扬子江 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/40 ,  H01S5/028 ,  H01S5/30 ,  H01S5/50

Abstract: 本发明公开了一种直接调制的多段式可调谐激光器，由多个激光器单元串联组成，所述可调谐激光器的两端镀抗反膜，第一个激光器单元的最前端集成光放大器，相邻激光器单元的采样光栅周期不同，激射波长差为2‑5nm；所述激光器单元包括：激光器发光有源增益区以及设置于激光器发光有源增益区前后段的反馈补偿区，所述激光器发光有源增益区通过重构‑等效啁啾技术插入等效π相移的采样光栅结构，所述反馈补偿区采用均匀采样光栅周期，与激光器发光有源增益区的采样光栅结构的采样周期不同。该可调谐激光器有利于提高激光器的调制速率以及激光器的单模输出特性，同时级联多个分布式反馈激光器单元实现波长调谐覆盖。