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公开(公告)号：CN115070694B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202210848670.3
申请日：2022-07-19
申请人： 华芯半导体科技有限公司 , 华芯半导体研究院(北京)有限公司
IPC分类号： B25B27/14
摘要： 本申请公开了一种安装装置及安装工具，用于将尾气收集圈安装于金属有机化学气相沉积系统的反应腔内，所述安装装置包括：杆体；托板，设于所述杆体上，并具有承托所述尾气收集圈的伸展状态和解除该承托效果的收缩状态；驱动组件，设于所述杆体上，用于驱使所述托板在伸展状态和收缩状态之间切换。本申请实施例的安装装置，其在尾气收集圈和反应腔的腔壁之间移动时，可以通过收缩托板来解决安装装置因托板尺寸过大而导致安装装置无法使用的问题，同时，由于托板可收缩的特点，可以保证托板具有足够的尺寸，避免因托板尺寸过小而导致的尾气收集圈容易脱落的风险。
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公开(公告)号：CN113839308B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111417176.3
申请日：2021-11-26
申请人： 华芯半导体研究院(北京)有限公司 , 华芯半导体科技有限公司
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明公开了具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片及其制备方法，所述VCSEL芯片包括GaAs衬底、在所述GaAs衬底上依次生长的N型布拉格反射镜和谐振腔、设置在对应非出光区域的所述谐振腔表面的非氧化型电流限制层、设置在所述非氧化型电流限制层以及对应出光区域的所述谐振腔表面的第一P型布拉格反射镜、设置在所述第一P型布拉格反射镜表面的P接触层、设置在所述P接触层上的P电极以及设置在所述GaAs衬底下表面的N电极。本发明解决了高铝材料氧化后由于应力变化、热膨胀系数变化容易产生缺陷，从而造成芯片性能下降以及寿命缩短的问题，由此进一步提高了芯片的性能以及延长了芯片的寿命。
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公开(公告)号：CN114199031B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210154369.2
申请日：2022-02-21
申请人： 华芯半导体研究院(北京)有限公司 , 华芯半导体科技有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C30B25/10 , F27D5/00 , F27B17/00
摘要： 本申请公开了一种石墨盘烘烤夹具及烘烤装置，所述石墨盘烘烤夹具包括烘烤架(1)，所述烘烤架(1)上安装有多个横梁(2)，每个所述横梁(2)上均设有凹槽(3)，对应所述凹槽(3)构成石墨盘(7)的圆周边；所述烘烤架(1)上还设有两组平行相对的长通孔(4)，所述横梁(2)的两端分别设于一所述长通孔(4)内，在外力作用下，所述横梁(2)旋转和/或沿所述长通孔(4)移动，以调整所述圆周边的半径。本申请实施例的石墨盘烘烤夹具，其烘烤架上设有可供横梁移动和选择的长通孔，横梁能够通过旋转和/或移动来调整支撑角度和支撑位置，从而可以适用于不同半径长度和不同形状的石墨盘。
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公开(公告)号：CN115783477A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211560676.7
申请日：2022-12-07
申请人： 华芯半导体科技有限公司 , 华芯半导体研究院(北京)有限公司
摘要： 本发明公开了一种MO源瓶固定装置及MO源瓶温控装置，所述MO源瓶固定装置包括槽体、支撑件和至少两个固定组件，支撑件和固定组件均位于槽体的容纳腔中，固定组件包括承托固定板和连接杆，连接杆的外端铰接在槽体上，连接杆的内端与承托固定板铰接，支撑件连接每个承托固定板，多个承托固定板和支撑件围成能够容纳MO源瓶的容纳空间，支撑件能够伸缩，以使得连接杆围绕其外端转动时，承托固定板能够相互接近或者远离。本发明提供的MO源瓶固定装置及MO源瓶温控装置可保证在使用不同规格的源瓶、在不同安装情形下的稳定性要求，保证了源瓶使用过程中外部稳定，达到出源稳定的目的。
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公开(公告)号：CN115655832A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211576669.6
申请日：2022-12-09
申请人： 华芯半导体研究院(北京)有限公司 , 华芯半导体科技有限公司
IPC分类号： G01N1/28
摘要： 本发明公开了一种化合物半导体外延片霍尔样品制备装置，涉及化合物半导体外延片霍尔测试领域,所述化合物半导体外延片霍尔样品制备装置包括加热平台、定位件和按压件，加热平台包括平台本体、样品定位槽、加热元件和测温元件，样品定位槽的形状与霍尔样品的形状相同，定位件与平台本体之间设置有导向件，定位件上开设有铟球容纳孔，当定位件向下滑动到与平台本体接触时，铟球容纳孔的下端开口朝向样品定位槽内放置的霍尔样品的铟球固定位置，按压件上安装有压平杆，当按压件向下运动时，能够带动压平杆的下端挤压在放入铟球容纳孔中的铟球。所述化合物半导体外延片霍尔样品制备装置操作简单，并且可以确保制作的霍尔样品的一致性。
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公开(公告)号：CN114284191B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210195053.8
申请日：2022-03-02
申请人： 华芯半导体研究院(北京)有限公司 , 华芯半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687
摘要： 本发明提供一种片盒及其承载装置和取放装置、半导体处理设备，承载装置包括相对间隔设置的多个承载组件以及至少一个升降机构，多个承载组件用于活动设置在片盒内；升降机构与多个承载组件连接，升降机构能够使得多个承载组件升降，以调整多个承载组件之间的距离。本发明的承载装置可以通过调整多个承载组件之间的距离，很好的解决从片盒的承载装置中取放晶片时避免对晶片表面造成划痕、脏污、磕碰损伤、错位放入，对晶片表面有效的保护，避免造成损伤。
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公开(公告)号：CN216378480U
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202122746064.4
申请日：2021-11-10
申请人： 华芯半导体研究院(北京)有限公司 , 华芯半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型提供一种承载盘及气相外延设备，属于气相外延生长技术领域。本实用新型的承载盘，用于悬浮在基座上，以在基座提供的气流下旋转，承载盘朝向基座的表面设置有至少一个气流阻挡结构，气流阻挡结构沿气流的流动方向设置，气流阻挡结构能够阻挡气流以推动承载盘旋转。气流阻挡结构可使承载盘的自转速度增加，承载盘表面被覆盖外延层的速度减小，沉积外延层时间增加，从而延长承载盘使用周期，减少维护成本；使用本实用新型的承载盘不容易沉积外延层，从而减少外延片被边缘外延沉积阻挡造成卡壳取不出来造成裂片的风险，提高产品成品率。
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公开(公告)号：CN112260062A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010949421.4
申请日：2020-09-10
申请人： 华芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了垂直腔面发射激光器及其制备方法。其中，垂直腔面发射激光器包括：N型衬底、N型布拉格反射镜、多重量子阱层、x对第一P型布拉格反射镜、电流限制层、n对第二P型布拉格反射镜和电极。该垂直腔面发射激光器的可靠性强、发光效率高，且制备成本较低。
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